谈光的驻波场

大部分光学书在论述光的驻波场时均假设反射光的振幅等于入射光的振幅.这实际上是假设折射光所在介质的折射率远大于入射光所在介质的折射率。在光频范围,一些常见的介质是不满足此条件的。因此,不妨取消此假定而来看着光驻波场的一般表达及特点。     

软X射线辐照引起的InP表面电子态变化

采用X光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了软X射线辐照InP所产生的表面电子态的变化．实验结果表明,软X射线的照射,对In原子影响不大,而对P原子影响很大．分析了InP的辐照效应机理,解释了产生上述影响的原因. 关键词：     

非线性光学慢变波幅的耦合波方程

本文处理了非线性光学中波幅Ｅ（ω，γ）缓慢变化并沿对称轴方向传播时的耦合波方程，给出了一个较为简单的结果。     

强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响

 利用强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO₂界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了解释。     

MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

利用电子顺磁共振（EPR）技术测量了（100）晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁（EPR）吸收谱，对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明，辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化，电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷，电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大，质子辐照后则未观察这一现象，当质子辐昭到10^14p/cm^2时，引起部分体缺陷顺磁中心的消失，电子辐照后，产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大，表明电子与质子辐照作用机制的差异，质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。     

关于物理学中几种速度的含义和理解

本文分析了两类速度定义的实质和物理学中几速度的不同含义,指出了数学中应注意之处,也有助于加深对波粒二角性的理解。     

校正磁场和cos/sin线圈的设计

介绍了控制束心corkscrew运动的原理,给出了用cos/sin线圈产生校正磁场方法并比较两种设计的结果。指出用较严格设计的cos/sin线圈能更有效地调节校正磁场。     

量子光场中二能级原子自发辐射跃迁速率的非微扰求法

本文在相互作用表象及偶极近似下，利用非微扰方法求量子光场中二能级原子自发辐射的跃迁速率并讨论了结果的意义。     

量子光场中二能级原子自发辐射频谱的研究

在相互作用表象中，用求解Ｓｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒ方程的方法，利用旋波近似（ＲＷＡ），对态矢量作单光子处理，确定了量子光场中二能级原子自发辐射的频谱。     

一种可获得“迁移率谱”的新方法——瞬时热电效应法

介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍． 关键词：