强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

 利用强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行了辐照，测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示，经过强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行的辐照，在Si-SiO₂界面感生出新的界面态，感生界面态的增加与辐照剂量成正比，并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式，并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明，强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多，退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象，即辐照剂量大的阈电压漂移，在退火后恢复的绝对值，要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系，定性解释了滞后现象。     

软X射线辐照引起的InP表面电子态变化

采用X光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了软X射线辐照InP所产生的表面电子态的变化．实验结果表明,软X射线的照射,对In原子影响不大,而对P原子影响很大．分析了InP的辐照效应机理,解释了产生上述影响的原因. 关键词：     

聚酰胺胺分子和纳米二氧化硅复合过程的从头计算

通过密度泛函理论在气相条件下, 利用UB3LYP/6-311G(d)和HF/6-31G基组水平优化了过渡态的结构并寻找了能量最低点,发现酰胺氮和亚胺氧是最佳结合点,并分析了这些活性点的活化能大小以及≡Si⁺和≡SiO^-基团和这些活性点的反应步骤,得出静电作用和离子配位效应是形成稳定复合物的主要因素,另外在形成稳定复合物过程中,亚胺氧转向作用和支链的大小和转向对降低整个复合物能量也起着重要的作用．     

同步辐射X射线吸收边辐照技术

介绍了同步辐射Ｘ射线能量收边辐照技术和部分应用研究，简要阐述了单能软Ｘ射线辐射剂量参数的测量和计算方法。     

电子束和β射线两用外推电离室

电子束辐照在辐射加工、新材料研制、放射治疗和模拟空间辐射环境的各种科学实验中应用日益广泛.实践表明,在上述应用中,被照物体吸收剂量是决定成功与失败的关键.因此,近年来准确测定电子束在各种材料中的剂量分布已成为迫切需要解决的问题. 由于电子束和β射线在物质中的迁移和能量沉积行为十分复杂,所以至今也难以从理论上给出准确的吸收剂量率随深度变化的统一解析式.目前,各种解析、模拟和半经验的计算电子剂量分布的方法已经产生,但具体给出准确的电子剂量分布仍然要靠实验测定.一般来讲,对不同加速器,即使具有相同的标称能量(加速器…     

MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量

利用电子顺磁共振（EPR）技术测量了（100）晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁（EPR）吸收谱，对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化。结果表明，辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化，电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷，电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大，质子辐照后则未观察这一现象，当质子辐昭到10^14p/cm^2时，引起部分体缺陷顺磁中心的消失，电子辐照后，产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大，表明电子与质子辐照作用机制的差异，质子辐照中位移效应和H^ 的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因。     

强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响

 利用强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO₂界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了解释。     

相位连续变化型太赫兹波带片

通过对太赫兹波段相位连续变化型波带片的系统研究,分析了特征尺寸与焦距、F数、预设频率、材料折射率等设计参数之间的关系,讨论了影响相位连续变化型波带片效率的几个主要因素。选取太赫兹透过率较高的泡沫聚乙烯和高密度聚乙烯材料,提出了设计方案,对所设计的波带片沿光轴方向太赫兹波强度变化以及焦平面太赫兹波强度变化给出了计算机模拟结果,并给出一组不同频率的波带片的特征参数。     

电子束和β射线两用外推电离室

随着高技术在各个领域中的发展,电子束辐照在辐射加工、新材料研制、放射治疗和模拟空间辐射环境的各种科学实验中应用日益广泛.实践表明,在上述应用和研究中被辐照物体吸收剂量是决定成功与失败的关键.近年来准确测定电子束在各种材料中的吸收剂量分布已成为迫切需要解决的问题. 由于电子束和β射线在物质中的迁移和能量沉积行为十分复杂,所以至今也难以从理论上给出准确的吸收剂量率随深度变化的统一解析式.目前,各种解析、模拟和半经验的计算电子剂量分布的方法已经产生,但具体给出准确的电子剂量分布仍然要靠实验测定.一般来讲,对不同加…