平面五配位硅、 锗XBe5H6(X=Si,Ge)团簇

采用密度泛函理论PBE0方法, 在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe₅H₆ (X=Si, Ge)团簇. 势能面系统搜索及高精度量化计算表明, 它们均为全局极小结构. XBe₅H₆(X=Si, Ge)团簇整体呈完美的扇形结构: Si/Ge原子被5个金属Be原子配位; 4个H原子以桥基方式与Be原子相键连, 剩余的2个 H原子以端基方式与两端的Be原子成键. 化学键分析表明, XBe₅H₆(X=Si, Ge) 团簇中XBe₅单元具有完全离域的1个π及3个σ键, 外围铍氢间形成4个Be—H—Be 三中心二电子(3c-2e)键及2个定域的Be—H键. XBe₅单元上离域的2π及6σ电子赋予体系π和σ双重芳香性, 并使Si/Ge原子满足八隅律（或八电子规则）. 能量分解-化学价自然轨道分析揭示, Si/Ge和Be₅H₆之间主要为电子共享键.     

N3H5异构化及构象分析

采用量子化学的方法, 对氮氢化合物N3H5所有可能的二面角变化进行松散势能面扫描, 获得了相应的能量和构象之间的关系, 研究了N3H5的异构化机理和构象的变化. 分子中的原子(AIM))理论计算得到的键临界点电荷密度的增大和减小,及其拉普拉斯值的正负变化, 可以清楚地反映构象转化过程中键的增长、断裂和新键生成的相关信息. 自然键轨道(NBO)理论分析表明, 立体排斥作用使分子能量升高, 而超共轭作用使分子能量降低, 它们对分子构象的相对稳定性起了重要作用.     

茂金属配合物[2,5-(Me3Si)2MeC5H2FeI(CO)2]的电子结构研究

运用G98W程序，采用Lan12dz基组，对茂金属配合物[2,4-(Me3Si)2MeC5H2F3I(CO)2]进行从头算研究，探讨了配合物结构单元的稳定性，分子轨道能量，原子净电荷布居规律，以及一些前线分子轨道组成特征等，结果表明，标题配合物在能量上可作为结构单元而稳定存在，该结构单元为茂金属配合物的合成，分子组装分析和催化活性研究提供理论依据。     

超碱金属阳离子BM_6~+,CM_5~+,NM_4~+,OM_3~+和FM_2~+(M=Li,Na)的理论研究

采用从头算方法研究了一系列超碱金属阳离子BM6+,CM5+,NM4+,OM3+和FM2+(M=Li,Na).在MP2/6-311+G(d)水平上优化了这些体系的几何结构,并对频率进行了分析.计算得到它们最稳定结构分别具有Oh,D3h,Td,D3h和D∞h对称性.中心原子电负性越高,与配体碱金属原子之间的键长越短,相互作用越强.在CCSD(T)/6-311+G(3d,f)理论水平下计算了阳离子体系的垂直电子亲和势(EEA,v),EEA,v值的范围在3.26～3.86 eV之间,都低于Cs原子的第一电离势(3.90 eV).     

不同Si/Al比对Mo/ZSM-5催化性能的影响

采用浸渍法在不同Si／Al比的HZSM-5上制备了3种MoO3含量相同的Mo／ZSM-5样品，并在相同的实验条件下对其进行了活性测试，同时运用XRD、XPS、NO—TPD等技术分别对催化剂的体相和表面结构进行了表征．实验结果表明，Si／Al比对Mo／ZSM-5上NO的选择性催化还原性能有明显的影响，Si／Al比为28的1#样品其转化率在530℃达到94％以上，而Si／Al比较大的2#和3#样品最高转化率只有48％和41％．对3种Mo／ZSM-5样品的XRD表征只发现有HZSM-5和MoO3两种物相存在，分子筛骨架差异不大；而XPS表征却发现1#样品的表面M03d5／2含量远大于2#和3#样品，并且有Mo^4 和(或)Mo＼ 5 存在，表明3种样品的表面性质存在很大差异．在3种样品中，1#样品具有最大的NO吸附能力，这与表面特性差异相吻合．     

H2分子在Li3N(100)表面吸附的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了H₂分子在两种Li₃N(100)晶面的表面吸附情况. 通过研究Li₃N(100)/H₂体系的吸附位置、吸附能和电子结构, 发现H₂分子在Li₃N(100)晶面主要是化学吸附, 但也可以发生物理吸附. 在表面终止原子为Li和N的Li₃N(100)表面, 吸附的最稳定结构中H₂分子被解离, 最终H原子分别趋于两个N原子的顶位, 形成两个NH基, 吸附能为5.157 eV, 属于强化学吸附|此时H₂分子与Li₃N(100)表面的相互作用主要源于H1s轨道与Li₃N表层N原子的2s, 2p轨道重叠杂化的贡献, 且N-H键为共价键. 在表面终止原子为Li的Li₃N(100)表面, 吸附的最稳定结构中H₂分子也被解离, H原子趋于穴位, 吸附能为2.464 eV, 也属于强化学吸附|此时Li和Ｈ之间为较强的离子键相互作用.     

锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电子结构的影响

运用第一性原理计算了锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电了结构的影响．计算结果表明，不同的锂嵌入位置对O2p和V3d轨道的电了结构有着不同的影响．但锂的嵌入会减弱了V2O5中V=O1键，同时导致V3d导带的劈裂变窄或消失和HO2p价带变宽．最后计算出从每个Li2s轨道到V3d轨道的电子传递数为0．52．     

一种新型的混合金属原子簇化合物(η^5-C5H5)4Mo4Fe2-(μ3-S)5(CO)5的合成和晶体结构

用(η^5-C5H5)2Mo2(CO)6和Fe3S2(CO)9在甲苯中的反应制备了一种新型混合金属原子簇化合物(η^5-C5H5)4Mo4Fe2-(μ3-S)5(CO)5.并用X-射线结构分析测定了它的晶体结构和分子结构.结果表明原子簇的骨架是由[FeMo3S4]的类立方烷孪合[MoFe2S]的三角锥,它们之间共用一个Fe原子.     

Si2CN分子结构的理论研究

在B3LYP／6－311G（d）水平上对Si2CN的各种可能异构体进行了研究，得到了其几何构型，结果表明：Si2CN有11个稳定的异构体，能量最低的是直线型异构体SiCNSi1,其次是四元环构型具有SiC桥键，电子态为^2A″的cSiSiCN6，第三稳定的是具有CSiSi三元环和环外NC键的N－cCSiSi10^2A1，第四稳定的是四元环具有SiN桥键^2A″电子态异构体cSiSiCN7。     

氟代苯阳离子的理论研究

用B3LYP方法及6-311G(d，p)和6-311 G(d，p)基组，对十二种氟代苯阳离子做了理论研究，优化了它们的电子基态的结构，计算了对应分子的垂直电离势(VIP)和绝热电离势(AIP)．依据Jahn．Teller理论，计算确定了1，3，5-C6H3F^ 3和C6F^ 6离子分别具有C2v(2↑B)和D2h(2↑B2g)结构(对应分子分别为D3h和D6h结构)．其余十个离子的构型的对称点群与对应分子相同，但构型参数值有明显差别．自然布居分析计算表明这些离子的正电荷主要分布在与F原子相连的C原子和各H原子上．B3LYP／6-311 G(d，p)级别上计算的各氟代苯分子的VIP和AIP值和实验值符合得很好．     

La2O3对Mo5Si3/MoSi2复合材料的改性研究

通过粉末冶金方法制备了Mo5Si3/MoSi2和La2O3/Mo5Si3/MoSi2复合材料,探讨了其烧结工艺.检测了其密度、维氏硬度、抗弯强度和断裂韧性,运用X射线衍射仪和扫描电镜（SEM）研究了La2O3对Mo5Si3/MoSi2复合材料显微结构和力学性能的改性影响.结果表明,La2O3/Mo5Si3/MoSi2复合材料的合理烧结温度为1600 ℃,比MoSi2材料提高了100 ℃; 稀土氧化物的加入细化了晶粒,且明显提高了材料的致密度、维氏硬度和抗弯强度; 其强化机制为细晶强化和弥散强化; 韧化机制为细晶韧化、裂纹偏转、裂纹分支和微桥接.     

La2O3-Mo5Si3/MoSi2复合材料的高温氧化行为

研究了0．8％La2O3-MosSi3／MoSi2复合材料在1200℃空气中的高温氧化行为。结果表明：0．8％稀土和MoSi3的加入，使材料的抗氧化性能降低。MosSi3含量越高，材料的抗氧化性能越差。当MosSi3含量低于30％时，在氧化初始阶段，质量变化呈直线下降，随着氧化的进行，氧化逐渐增重，材料表面形成较致密的SiO2阻止了材料的进一步氧化，使得氧化增重较小。而0．8％La2O3-40％Mo5Si3／MoSi2复合材料却出现了“粉化”现象。0．8％La2O3．MosSi3／MoSi2复合材料抗氧化性能的降低，归因于Mo5Si3差的抗氧化性和材料致密度的降低；另外，稀土和Mo5Si3的加入，细化了材料的晶粒，使晶界面积增加，加速了氧在晶界中的扩散，促进了材料的氧化。     

Na，NBA－Ga－Si－ZSM－5杂原子沸石分子筛的表征

Ｎａ，ＮＢＡ┐Ｇａ┐Ｓｉ┐ＺＳＭ┐５杂原子沸石分子筛的表征高志贤程昌瑞谭长瑜李源（中国科学院山西煤炭化学研究所，太原０３０００１）关键词Ｇａ－Ｓｉ－ＺＳＭ－５沸石分子筛，正丁胺，表征，模板作用近年来的研究结果表明，使用不同类型的有机胺或醇作引导剂，甚...     

异质富勒烯C~5~9Si与C~6~9Si的理论研究

利用MNDO,AM1和PM3半经验量子化学计算方法对硅杂富勒烯C~5~9Si和C~6~9Si进行了系统的理论研究.计算了稳定构型、生成热、前沿轨道能级差、电离势、电子亲和势、绝对电负性和整体硬度.结果表明,硅杂富勒烯的稳定性虽然低于全碳富勒烯,但也具有相当的稳定性.C~5~9Si的稳定性比已经合成的C~5~8X~2(X=B,N)高,C~6~9Si与C~7~0的稳定性差异也很小,因此在适宜条件下文中所讨论的硅杂富勒烯是应该能够合成的.在C~6~9Si各异构体中,取代位置在赤道的异构体具有最低的能量和最大的前沿轨道能级差,也是最稳定的异构体.与全碳勒烯C~6~0和C~7~0相比,C~5~9Si和C~6~9Si具有较小的电离势和电子亲和势,表明硅杂富勒烯容易被氧化,而被还原的难度要些,但是仍容易发生还原反应而生成负离子.因此硅原子的掺杂能够使富勒烯的氧化还原性能得以改善.C~5~9Si和C~6~9Si更容易与亲电试剂反应,而发生亲核反应的活性要相对小一些.硅杂富勒烯C~5~9Si和C~6~9Si的绝对电负性和硬度都小于相对应的全碳富勒烯,对电子的束缚力要相对小一些。     

Ab initio chemical kinetics for the unimolecular decomposition of Si2H5 radical and related reverse bimolecular reactions

For plasma enhanced and catalytic chemical vapor deposition (PECVD and Cat‐CVD) processes using small silanes as precursors, disilanyl radical (Si₂H₅) is a potential reactive intermediate involved in various chemical reactions. For modeling and optimization of homogeneous a‐Si:H film growth on large‐area substrates, we have investigated the kinetics and mechanisms for the thermal decomposition of Si₂H₅ producing smaller silicon hydrides including SiH, SiH₂, SiH_3, and Si₂H₄, and the related reverse reactions involving these species by using ab initio molecular‐orbital calculations. The results show that the lowest energy path is the production of SiH + SiH₄ that proceeds via a transition state with a barrier of 33.4 kcal/mol relative to Si₂H₅. Additionally, the dissociation energies for breaking the Si? Si and H? SiH₂ bonds were predicted to be 53.4 and 61.4 kcal/mol, respectively. To validate the predicted enthalpies of reaction, we have evaluated the enthalpies of formation for SiH, SiH₂, HSiSiH₂, and Si₂H₄(C_2h) at 0 K by using the isodesmic reactions, such as ²HSiSiH₂ + ¹C₂H₆→¹Si₂H₆ + ²HCCH₂ and ¹Si₂H₄(C_2h) + ¹C₂H₆ → ¹Si₂H₆ + ¹C₂H₄. The results of SiH (87.2 kcal/mol), SiH₂ (64.9 kcal/mol), HSiSiH₂ (98.0 kcal/mol), and Si₂H₄ (68.9 kcal/mol) agree reasonably well previous published data. Furthermore, the rate constants for the decomposition of Si₂H₅ and the related bimolecular reverse reactions have been predicted and tabulated for different T, P‐conditions with variational Rice–Ramsperger–Kassel–Marcus (RRKM) theory by solving the master equation. The result indicates that the formation of SiH + SiH₄ product pair is most favored in the decomposition as well as in the bimolecular reactions of SiH₂ + SiH₃, HSiSiH₂ + H₂, and Si₂H₄(C_2h) + H under T, P‐conditions typically used in PECVD and Cat‐CVD. © 2013 Wiley Periodicals, Inc.     

3, 5-二氯苯胺的电化学合成

以3, 5-二氯硝基苯为原料, 采用阴极转动分隔式电解槽, 在65℃、电流密度10A/dm^2、阴极转速400r/min和电极电位在-0.35～-0.45V范围的条件下进行电合成, 所得3, 5-二氯苯胺的产率达90%左右, m.p. 49～52℃。     

Polysila analogs of aromatic hydrocarbon ions: Structures and energies of Si3H3+, Si4H,and Si5H5−

Silicon analogs of aromatic monocyclic ions, (SiH) ( 4 ), (SiH) ( 5 ), and (SiH) ( 6 ) have been studied ab initio at MP 2(full)/6-31G *. The D_3h structure of Si₃H₃⁺ is the global minimum, whereas other two ions are nonplanar. The D_2d structure of (SiH) is less folded than the carbon analog and possesses a higher stabilization energy. Stabilization energies for the monocharged ions are diminished with respect to the corresponding carbons © 1993 John Wiley & Sons, Inc.     

新型显色剂3,3,5,5''''-四甲基联苯胺分光光度法测定余氯的研究

本文报道了采用新型氧化还原剂3,3’,5,5’-四甲基联苯胺(TMB)测定水中总余氯的分光光度法,并对其灵敏度、稳定性、准确性作了较为详细的研究,探讨了分析条件,提出了分析方法。在pH≤2时,最大吸收峰为450 nm,表观摩尔吸光系数为6.89×10~4L·mol~(-1)·cm~(-1),可测范围为0.01～2.5 mg/L。与目前使用的传统显色剂邻联甲苯胺(DMB)相比较,具有灵敏度高,显色稳定,重现性好及使用安全等优点。     

[MAl5]+(M=Si,Ge,Sn,Pb)体系结构和稳定性的理论研究

利用B3LYP和CCSD(T)(单点)方法, 研究了含Si, Ge, Sn, Pb的六原子体系[MAl₅]⁺中各个异构体的结构及稳定性. 研究结果表明, 尽管与[CAl₅]⁺一样也具有18个价电子, 但[MAl₅]⁺(M=Si, Ge, Sn, Pb)体系并不存在具有平面五配位结构的异构体, 其能量的全局极小点为具有C_s对称性的蝶形异构体Int1, 这是由于中心原子M(Si, Ge, Sn, Pb)较大的体积显著破坏了[MAl₅]⁺中平面五配位结构的稳定性所致.     

Darstellung und Kristallstruktur von Ca5Hg3 und Sr5Cd3

Preparation and Crystal Structure of Ca₅Hg₃ and Sr₅Cd₃ Both the incongruently melting compounds, Ca₅Hg₃ and Sr₅Cd₃, have been synthesized from stoichiometric amounts of the pure elements. They crystallize with the Cr₅B₃ type of structure: space group I4/mcm, Z = 4; Ca₅Hg₃ (Sr₅Cd₃): a = 818.9(1) (871.7(1)) pm, c = 1 470.1(3) (1 660.1(3)) pm, c/a = 1.80 (1.90), R = 2.33% (2.97%). The most remarkable fragments are dumbbells X₂, which have interatomic distances only slightly longer than the sum of Pauling's covalent radii: Hg? Hg (Cd? Cd) = 306 (298) pm. The structure can be constructed by rhombic dodecahedra as the only constituent moieties. These rhombic dodecahedra are built up by eight Ca (Sr) atoms and six Hg (Cd) atoms and are furthermore centered by an additional Ca (Sr) atom. Along [001] the rhombic dodecahedra share common vertices, but along [110] they are interconnected via common triangular faces. This kind of face sharing is responsible for the short distances obtained between the polyhedra, which leads to the occurrence of the dumbbells mentioned above.