首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
二茂铁及其衍生物不能牢固吸附于电极表面 ,特别是其氧化态 ( Fc+ )溶于水 ,影响了电极的稳定性 [1] .为解决这一问题 ,可采用合成有特殊官能团的二茂铁衍生物 [2 ] ,并利用 Nafion膜的双亲性将二茂铁固定于玻碳电极表面 [3]等方法 .这些方法制备的电极在使用过程中二茂铁仍会从电极表面缓慢流失 .我们利用二茂铁能与 β-环糊精形成 1∶ 1的包合物的性质[4] ,在乙二醇中制成了该包合物并掺杂于石墨粉中 ,用固体石蜡作粘合剂制成了 β-环糊精 -二茂铁包合物修饰碳糊电极 .首次把主客体包合物引入碳糊电极 ,大大改善了电极的性能 .该电极性能…  相似文献   

2.
李建平  陈文  舒柏崇 《分析化学》2001,29(1):118-118
1 引  言碳糊电极 (CPE)与金属电极相比具有电位窗较宽、残余电流小、表面易更新修饰、制备简便等优点。在CPE表面修饰金属微粒作为氧化还原中心 ,既保持了金属电极特点又通常比一般金属电极更具催化活性 ,在物质的测定中具有较高的灵敏度。但常见的CPE为液体石蜡作粘合剂的碳糊电极 (LCPE) ,在其表面沉积的金属微粒易随碳粒脱落而损失 ,导致测定的重现性变差。固体石蜡碳糊电极 (SCPE)相比于LCPE能降低过电位、表面光洁稳定、重现性好 ,因此SCPE的研究应用近来受到关注。我们曾利用SCPE制成了硅钼酸和磷钼…  相似文献   

3.
采用配位均匀沉淀法制备氢氧化铜纳米线,并制备了氢氧化铜-乙炔黑复合修饰碳糊电极。该修饰电极与裸碳糊电极相比,具有高的灵敏度、良好的稳定性和重现性。在优化条件下,采用微分脉冲伏安法测得壬基酚氧化峰电流与浓度的线性范围为7.50×10-8~1.75×10-5 mol/L,检测限为1.26×10-8 mol/L。该方法应用于环境水样和土壤样品中壬基酚的检测,加标回收率为98.8%~105.6%。  相似文献   

4.
碳电极表面的修饰在电化学和材料科学中很重要 .最近 ,通过层与层电子间的相互作用来自组装修饰玻碳电极已引起人们的关注 [1] .运用这种方法可将一些功能团修饰到电极表面 ,赋予电极一些新的功能 [2 ] .过渡金属取代的多金属氧酸盐不仅在配位环境 ,而且在催化活性方面都类似于金属卟啉和其它大环配体金属配合物 [3] .将其修饰到玻碳电极表面已有文献报道 [4 ] .由于修饰电极的厚度可控、成分可调及具有良好的电催化活性 ,在生物传感器和电子器件等方面具有潜在的应用前景 .取代型夹心型多金属氧酸盐具有大摩尔质量和高电荷密度 ,表现出优秀…  相似文献   

5.
蒙脱石有很好的层状结构、大的表面积和优良的吸附性,与其它修饰材料(如Nafion)相比有较高的热稳定性和化学稳定性。是可以利用的廉价材料。用它制成的化学修饰电极(CME)已用于电催化、电有机合成等。 本文报道中性红(NR)/蒙脱石/SnO_2 CME的制备及其电化学性能。实验结果表明,用蒙脱石作修饰层材料,对电活性物质有很好的富集作用,制得的CME有较好的稳定性。虽然电活性物在蒙脱石膜界面的扩散系数较小,但由于在膜内有较高的浓度,因而制得的CME比空白  相似文献   

6.
报道双-Keggin型四元杂多化合物K10H3[Nd(SiMo7W4O39)2]XH2O(简称[Nd(SiMo7W4)2]^13-)聚合物的交替组装多层膜在4-氨基苯甲酸修饰玻碳电极上的制备及其电化学特性。各层的循环伏安行为证明膜的均匀增长,峰电流随层数的增加而增加,与溶液中的电化学行为相比,位于多层膜中的杂多化合物的氧化还原特征峰随着多层膜层数的增加,具有一定程度的形变。该电极具有较高的稳定性。并讨论了pH对其氧化还原行为的影响,考察了该多层膜修饰电极对BrO3^-、HNO2和H2O2等的电催化性能。  相似文献   

7.
利用氧化还原反应制备纳米银-石墨烯复合纳米材料(Ag NPs-GN),将其修饰在玻碳电极表面制备了纳米银-石墨烯修饰玻碳电极(Ag NPs-GN/GCE)。在p H 4.78的Britton-Robinson(B-R)缓冲溶液中,用循环伏安法(CV)和方波伏安法(SWV)研究了对乙酰氨基酚在Ag NPs-GN/GCE和GN/GCE上的电化学行为。结果表明,二者对对乙酰氨基酚的氧化还原反应均有电催化作用,而且复合纳米材料Ag NPs-GN具有较单一GN更好的催化效果。用方波伏安法测得对乙酰氨基酚的还原峰电流与其浓度在1.0×10-7~5.0×10-4mol/L范围内呈线性关系,检出限(S/N=3)为3.0×10-8mol/L。建立了片剂中对乙酰氨基酚含量测定的新方法,修饰电极具有较好的重现性和稳定性。  相似文献   

8.
细菌修饰的碳糊电极表面超细微粒金膜的制备及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
胡荣宗 《电化学》1999,5(2):231-235
本文提出一种采用电化学方法在巨大芽孢杆菌D01修饰的碳糊电极表面制备超细微粒金膜的新方法,获得由平均粒径为80nm金微粒组成的金膜。该方法操作简单,耗金量少,以此金膜作为工作电极检测水溶液中痕量铜具有良好的重现性和线性,检测灵敏度达0.02ng/mL,该电极既可象金片电极多次反复被使用,也可以象碳糊电极一样不断更新表面。  相似文献   

9.
采用树状聚酰胺-胺(PAMAM)大分子化合物与同多酸阴离子[Mo6O19]2-,基于静电作用合成了同多金属氧酸盐/树型分子超分子化合物。用元素分析、FTIR、UV-V is、TG/DTA、荧光光谱等测试技术分别对样品进行了结构表征及性能测试。并利用其作为电极修饰剂,制得化学体修饰的碳糊电极(CMCPE),用循环伏安法研究了同多金属氧酸盐/树型分子超分子化合物修饰碳糊电极在1 mol/L H2SO4水溶液中的电化学行为。结果表明,该化合物具有良好的荧光性能和可逆光致变色性能;用该化合物修饰的碳糊电极与[Mo6O19][N(C4H9)2]2修饰的电极相比,在-0.2~0.2 V范围内多了1对氧化还原峰;当扫描速率低于100 mV/s时,该电极过程为表面控制过程,而当扫描速率高于100 mV/s时,电极过程变为扩散控制过程;且该电极在室温下具有很好的稳定性。  相似文献   

10.
异咯嗪蒙脱石修饰电极的电化学行为   总被引:1,自引:0,他引:1  
吴志斌  董绍俊 《电化学》1997,3(1):40-44
应用十六烷基三甲基溴化铵对蒙脱石进行改性,成功地制备稳定性良好的异咯嗪蒙脱石修饰电采,用循环伏安法对此修饰电极的电化学行为进行了研究。测定了异咯嗪在蒙脱石膜内的化学扩散系数,对异咯嗪在改性蒙脱石中电极反应机制进行了探讨。  相似文献   

11.
含咪唑功能基螯合树脂的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
咪唑环是一种含有两个配位原子的功能基,能与重金属离子形成稳定配合物。将其接枝到有机或无机高分子上,制得的含咪唑功能基的螯合树脂,不仅对重金属离子表现出良好的吸附选择性能,且回收操作简单、回收利用率高。本文对该类螯合树脂的研究进展进行了综述。  相似文献   

12.
13.
本文根据5-取代丙二酸亚异丙酯的核磁共振谱,利用“分子集团结构适应理论”观点,阐述了5-取代丙二酸亚异丙酯的构象,表明此化合物一般具有椅式构象;当取代基中含有芳基及羰基时,显示了这些基团对2-位甲基的远程屏蔽及远程去屏蔽效应,从而认为此时以船式构象存在。  相似文献   

14.
考察不同内径的毛细管电色谱柱中分离电压对电渗流的影响,在不同内径的毛细管电色谱柱中,电渗流与电压都呈较好的线性关系,与毛细管电色谱柱的内径无关,由于焦耳热的影响,在电压变化幅度较大的情况下,电渗流与电压的关系曲线呈线性弯曲,在大内径毛细管电色谱柱上更加明显。  相似文献   

15.
甲基丙烯酸甲酯(MMA)的阴离子聚合,由于其聚合反应的特殊性和复杂性,早就引起人们的关注。长期以来,在各种引发剂、溶剂和温度等条件下都做了大量的研究。其中有关窄分布聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)合成方面的研究甚少。Anderson等用  相似文献   

16.
人工神经网络及其在色谱中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文对人工神经网络(ANN)在色谱保留机理的研究和保留值的预测,溶质分子构型与色谱保留的定量关系(QSRR),谱图解析等方面的应用做了综述。着重介绍了BP网络的发展及其在色谱领域中的应用,并对ANN在色谱中的应用前景做了预测。  相似文献   

17.
本文介绍阳离子淀粉用作造纸湿部添加剂的工艺及其使用效率。用全废纸浆造瓦楞纸,使纸的质量提高一个等级,达到部颁特级标准。  相似文献   

18.
19.
《高分子学报》1978,(2):96-102
对碱性催化的己内酰胺快速聚合应用于纺丝进行了研究,采用了合适的分子量稳定剂,控制了聚合进程,得到粘度稳定的聚合体,并且进行了连续聚合直接纺丝的扩大试验,取得了持续稳定运转的结果,纺出产品复丝,其抗张强度为5—6克/(代糸),延伸为19—25%,与水解聚合方法同类产品丝相仿。所需的聚合时间为2—2.5小时,而通常水解聚合过程则需要20—30小时以上。  相似文献   

20.
本文报道了溶液pH值对聚邻甲本胺电化学性质的影响。研究结果表明,电化学合成的聚邻甲苯胺的循环伏安曲线、氧化电位、膜的颜色、充放电容量、紫外可见光谱以及氧化还原活性都受到溶液pH的影响。在低pH值的溶液中,随着扫描电位的变化,聚邻甲苯胺膜的颜色可逆地变化,而在pH4.13的溶液中进行扫描时,膜的颜色不变化,电化学活性也消失。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号