分子筛修饰电极的研究（Ⅰ）：氢醌／醌电对在分子筛修饰电极…

考察了中性分子电对Ｈ２Ｑ／Ｑ在１３Ｘ型分子筛修饰电极上的电化学行为。发现Ｈ２Ｑ／Ｑ电对在修饰电极上电响应迅速，为双电子可逆反应，不受溶液温度及是电极与溶液相对运动的影响，而与溶液的ｐＨ值有关。当ｐＨ≤２．０时，修饰电极对Ｈ２Ｑ／Ｑ电对的氧化／还原有明显的催化作用。     

分子筛修饰电极上离子交换过程的电化学考察

用循环伏安法研究了以１３Ｘ型分子筛修饰的玻碳电极在含Ｆｅ＾２＋溶液中的电化学行为，考察了电极浸入溶液时间，电位扫描速度、溶液的温度对Ｆｅ＾２＋／Ｆｅ＾３＋电对的电响应的影响。     

微过氧化物酶-11修饰电极对O2和H2O2的电催化还原

运用电化学循环伏安法和旋转圆盘电极技术研究了Ｏ２和Ｈ２Ｏ２在Ｎａｆｉｏｎ膜固定的微过氧化物酶－１１修饰的玻磷（ＭＰ－１１＋Ｍａｆｉｏｎ／Ｇｃ）电极上的电化学还原,结果表明,饰电极 对Ｏ２和Ｈ２Ｏ２的还原均具电催化作用。测定和比较了Ｏ２和Ｈ２Ｏ２在ＭＰ－１１＋Ｎａｆｉｏｎ／ＧＣ的电极上电催化还原反应的一些动力学参数。发现Ｏ２在修饰电极上经历了四电子还原,且还原过程与溶液的ＰＨ值有关。     

四氰基醌二甲烷修饰碳糊电极电催化氧化测定抗坏血酸

本用四氰基醌二甲烷作价体，制成ＴＣＮＱ－碳糊电极，研究了该电极的性能。电极对水溶液中的抗坏血酸在较宽的ｐＨ和浓度范围内均有良好的电催化氧化作用，电极的稳定性良好，在ＡＨ２浓度５．０×１０＾－５－５．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内，催化峰电流与ＡＨ２浓度呈线性关系，响应时间小于３０ｓ．     

聚2-吡啶甲酸修饰电极伏安法测定多巴胺

用循环伏安法制备了聚２－吡啶甲酸修饰玻碳电极，研究了神经递质多巴胺（ＤＡ）在该聚合物薄膜修饰电极上的电化学行为。实验结果表明，在ｐＨ７．０的磷酸盐缓冲溶液中，ＤＡ在该电极上的线性范围为１．０×１０－７～１．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ。该修饰电极对抗坏血酸（ＡＡ）无响应，从而可有效消除其对ＤＡ测定的干扰。     

聚碱性品红修饰电极的制备及应用

研究了碱性品红在玻碳电极上聚合的最佳实验条件及其聚合机理，发现该修饰电极的多巴胺具有良好的催化作用，能大大提高多巴胺在的玻碳电极上的响应，在ｐＨ＝７．０的磷酸盐缓冲溶液中，用修饰电极测定巴胺的线性范围为２×１０＾－７～１×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，检测限为１×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ，并且具有稳定性好，响应快，选择性等特点。     

蒙脱石修饰碳糊电极测定氨基酸的研究：Ⅱ.酪氨酸的测定

本文报道蒙脱石修饰碳糊电极测定酪氨酸，在０．００１ｍｏｌ／Ｌ ＫＣｌ－ＨＣｌ（ｐＨ＝２．０）溶液中开路富集，介质交换后微分脉冲阳极溶出伏安法测定，在０．５－２．５μｇ／ｍｌ范围内有线性，检测限为６３ｎｇ／ｍｌ。可避免其他氨基酸，微量元素和常量金属元素的干扰，直接用于氨基酸药物样品的分析，获得了满意的结果，还对酪氨酸在电极上的反应机理进行了探讨。     

辅酶Ⅰ在β－萘醌磺酸根修饰金带电极上的电化学还原

研制了聚毗咯／ＮＱＳ修饰金带电极，讨论了ＮＱＳ／ＰＰｙ的电聚合过程及实验条件对金电极上吡咯聚合物膜性质的影响；用成核及生长理论解释了阴离子ＮＱＳ对电聚合过程计时电流曲线的影响，优化了ＮＱＳ／ＰＰｙ／Ａｕ电极的制备条件．该修饰电极稳定性好，对辅酶Ⅰ在金电极上的还原有催化作用．在ｐＨ＝７．０时催化电流在４．０×１０￣（－５）～１．５×１０￣（－３）ｍｏｌ／Ｌ范围内与ＮＡＤ￣＋　浓度有线性关系，探讨了电催化作用的机制．     

聚硫堇修饰微带金电极的性质及对NADH的催化氧化

报道了硫堇在微带金电极上的电化学聚合过程，用红外光谱对聚硫堇进行了表征；研究了聚硫堇的电化学性质，发现聚硫堇在＋０．５～－０．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）电位范围内有两对氧化还原峰，峰电位分别为：Ｅ＝－０．０３Ｖ、Ｅ＝０．０５Ｖ，Ｅ＝－０．２４Ｖ、Ｅ＝－０．１７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。它们的式量电位Ｅ~（ｏ＇）随ｐＨ而变化，在弱酸性溶液中，Ｅ~（ｏ＇）／ｐＨ为－２９ｍＶ／ｐＨ（２５℃）；而在弱碱性溶液中则为－５６ｍＶ／ｐＨ。聚硫堇修饰微带金电极对ＮＡＤＨ的氧化具有催化作用，文中对电催化过程进行了探讨。     

2-氨基吡啶修饰电极的电化学性质及对抗坏血酸的测定

研究了２－氨基吡啶聚合膜修饰玻碳电极的制备及其电化学性质,并用于抗坏血酸（ＡＡ）的测定。在ｐＨ５．７ＢＲ缓冲溶液中,ＡＡ在 ２－氨基吡啶修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与ＡＡ浓度在４ × １０－６～１０－３ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系,检测下限为 １．３ × １０－６ｍｏｌ／Ｌ。该电极对 ＡＡ有增敏作用,对多巴胺（ＤＡ）有排斥作用,重现性良好,可用于ＡＡ的测定。     

2:18磷钼杂多酸的过氧化氢传感器

１引言 有关Ｄａｗｓｏｎ型磷钼杂多酸修饰电极的研究报道甚少,本文按文献方法合成Ｄａｗｓｏｎ型磷用杂多酸Ｈ６Ｐ２Ｍｏ１８Ｏ６２（简写为Ｐ２Ｍｏ１８）。采用电化学方法制得 Ｐ２Ｍｏ１８／ＧＣ膜修饰电极,研究其在 ０．５ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４溶液中的电化学行为,发现Ｐ２　Ｍｏ１８／ＧＣ膜修饰电极对酸性水溶液中的Ｈ２Ｑ２有较灵敏的催化活性,因而在ＧＣ上研制了Ｐ２Ｍｏ１８／ＧＣ的 Ｈ２Ｏ２传感器,初步探讨了电催化还原机理。２实验部分２．１仪器与试剂ＸＪＰ－８２１（Ｂ）型新极谱仪（中国科学院长春应用化学研究所,…     

分子筛修饰电极中内电子传输机理的研究

用电化学方法聚合方法筛孔道内的苯胺,以聚苯胺分子筛修饰电极为模型研究了分子筛修饰电极的内电子传输机理,ＮａＹ分子筛的离子交换点位被苯胺修饰后,通过电聚合制得聚苯胺分子筛修饰电极（Ｐａｎ＾＋Ｙ－ＺＭＥ）,该电极通过聚苯胺链自身的电子跳跃来实现电子传输,且只有通过阴极富集后对溶液中Ｃｄ＾２＋才有响应,并能用于测定抗坏血酸。     

用氧化还原聚合物修饰多孔电极

对３种类型Ｎａｆｉｏｎ／Ｏｓ（ｂｐｙ）３Ｃｌ２修饰电极的研究结果表明，单位表观电极面积上中继体载量比为：乙炔黑粉末微电极（Ａ）：Ｔｅｆｌｏｎ粘结的乙炔黑膜电极（Ｂ）：平面玻碳电极（Ｃ）＝１０＾３：１０＾２：１．Ａ比Ｂ及Ｃ更容易在真实表面上形成花天酒地而均匀的修饰层而有利于层内的电荷传递。在Ａ类电极基础上制行的葡萄糖酶电极在１０ｍｍｏｌ／Ｌ葡萄糖溶液中的响应电流密度高达４．６×１０＾－＾４Ａ／ｃｍ＾     

Nafion修饰玻碳电极测定痕量地尔硫Zhou的研究

本以玻碳电极为基体，制备了Ｎａｆｉｏｎ修饰电极，研究了非电活性阳离子药物地尔硫Ｚｈｏｕ在该电极上的测定原理及方法，将地尔硫Ｚｈｏｕ加入到含电活性阳离子药物多巴胺的电解质溶液中，使多巴峰电流下降，峰电流的降低与地尔硫Ｚｈｏｕ的浓度对数在１．２×１０＾－７－８．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好线性关系。本方法检测下限为６．２×１０＾８ｍｏｌ／Ｌ；回收率范围为９５．８％－１０４．９％；相对标准偏差     

聚合黄素修饰电极的制备和性质

１引言黄素是生物体内氧化还原过程中的重要辅基。黄素修饰电极的制备方法有吸附法和化学键合法。用本文研究的电化学聚合法制得的黄素修饰电极，活性中心浓度大，稳定性好，可催化还原型辅酶Ｉ（ＮＡＤＨ）的氧化，使其氧化过电位降低～２００ｍＶ。可用于ＮＡＤＨ的选择性测定。２实验部分２．１仪器与试剂ＢＡＳ１００Ａ电分析仪（美国ＢＡＳ公司）。黄素由复旦大学化学系有机化学教研室提供。Ｈ２ＳＯ４、ＮａＣＩＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４及ＮａＨ２ＰＯ４均为分析纯，乙腈、Ｎ，Ｎ－二甲基甲酸胺（ＤＭＦ）为化学纯。水为去离子水。２．２实…     

脯氨酸Ni(Ⅱ)修饰电极的制备及对甲醇氧化的催化(英文)

研究了聚色氨酸修饰玻碳电极（Ｐｏｌｙ－Ｔｒｙ／ＧＣ）的制备,用循环伏安法探讨了膜的电化学性质。在ｐＨ＝６．６的ＰＢＳ中,膜的循环伏安图上有两对氧化还原峰。掺杂金属离子Ｎｉ（Ⅱ）后的该聚合物膜修饰电极（Ｐｏｌｙ－Ｎｉ（Ⅱ） Ｔｒｙ／ＧＣ）对甲醇的催化活性大大提高,在０．０１ ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ中甲醇的氧化峰电位在０．６５ Ｖ,而同样条件下在空白玻璃电极（ＧＣ）和Ｐｏｌｙ－Ｔｒｙ／ＧＣ上甲醇的氧化峰电位要正得多。在０．１５ ｍｏｌ／Ｌ甲醇溶液中循环伏安扫描１５０ ｍｉｎ后,峰电流密度由１０６０ μＡ／ｃｍ～２降低至８８５μＡ／ｃｍ～２,然后峰电流密度不再降低,说明在电催化氧化甲醇过程中电极稳定性良好。     

硼掺杂多晶金刚石薄膜电极的电化学特性

用循环伏安法和恒电位法研究了硼掺杂多晶金刚石薄膜电极（ＤＦＥ）的若干电化学特性。电极面积４×４ｍｍ＾２。在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＫＣｌ，ＮａＮＯ３，ＮａＯＨ和ＫＨ２ＰＯ４＋Ｎａ２ＨＰＯ４（ｐＨ＝６．８６）电解质溶液中电势窗口均为－５００￣＋８００ｍＶ；而在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ和Ｈ２ＳＯ４溶液中电势窗口为－２００￣＋１１００ｍＶ．Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６的氧化峰电位为＋５００ｍＶ，与Ｐｔ电极测量相同；校正     

CO_2在TiO_2薄膜修饰p／p~＋－Si电极上的光电化学还原

ＣＯ_２在ＴｉＯ_２薄膜修饰ｐ／ｐ~＋－Ｓｉ电极上的光电化学还原魏培海，祁学永淳于宝珠（山东教育学院化学系济南２５００１３）（山东大学化学系济南）关键词二氧化碳，ＴｉＯ_２薄膜，光电化学，ｐ／Ｐ~＋－Ｓｉ电极在半导体电极表面实现ＣＯ２的光电化学还原，可获?..     

土豆汁修饰碳糊电极测定色氨酸的研究

本提出了用于测定色氨酸的土豆汁修饰碳糊电极，该电极选择性好，能有效地消除酪氨酸的干扰，在ｐＨ＝７．４的ＮａＨ２ＰＯ４－ＮａＯＨ生理缓冲液中，电极响应与色氨酸在９．８×１０＾－６～９．８×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ的浓度范围内呈线性关系，最低检出限是１．５×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ．并详细讨论了电极抗干扰能力与测定条件的关系。用该电极测定了实际样品氨基酸注射液中色氨酸的含量，结果与标准值吻合。     

神经递质多巴胺在AQ修饰组合微电极上的伏安行为及其伏安溶出法测定

本研究了神经递质多巴胺（ＤＡ）在ＡＱ聚合物薄膜修饰组合微盘电极上的电化学行为。结果表明，在ｐＨ７．０的磷酸缓冲溶液中，修饰组合微盘电极经电化学处理后，ＤＡ的氧化还原峰电位差较小（约为８０ｍＶ），氧化峰、还原峰的峰形比较对称。在选定条件下，ＤＡ的伏安溶出峰电流与浓度在１．０×１０＾－６～８．０×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系。厚的ＡＱ膜修饰组合微电极可基本上消除抗坏血酸的干扰。利用ＡＱ膜修饰