PECVD a-SiNx∶H薄膜中的氢分布

用红外光谱、质子核磁共振谱对以ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅（ａＳｉＮｘ∶Ｈ）薄膜进行了分析，结果表明膜中Ｈ以ＳｉＨ和ＮＨ形式存在，均呈集聚和疏散两种分布状态，衬底温度影响氢的总量和分布均匀性，射频功率显著影响［ＮＨ］／［ＳｉＨ］，退火后氢仍呈集聚和疏散两种分布．     

硼掺杂多晶金刚石薄膜电极的电化学特性

用循环伏安法和恒电位法研究了硼掺杂多晶金刚石薄膜电极（ＤＦＥ）的若干电化学特性。电极面积４×４ｍｍ＾２。在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＫＣｌ，ＮａＮＯ３，ＮａＯＨ和ＫＨ２ＰＯ４＋Ｎａ２ＨＰＯ４（ｐＨ＝６．８６）电解质溶液中电势窗口均为－５００￣＋８００ｍＶ；而在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ和Ｈ２ＳＯ４溶液中电势窗口为－２００￣＋１１００ｍＶ．Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６的氧化峰电位为＋５００ｍＶ，与Ｐｔ电极测量相同；校正