复合外场中磁光材料(BiTm)3(FeGa)5O12薄膜畴壁运动特性的研究

通过对BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜施工加低频交变磁场,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场(复合外场),用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件(CCD)-计算机作数字化处理获得磁畴壁(DW)的相对百分数。结果表明:(1)复合外场下DW运动规律中存在交互作用项;(2)低频交变磁场幅值(140A/m)远低于等效阻力场(10³A/m)时,DW可以运动,但不同步,频率大于1Hz时明显滞后,(3)利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。     

复合外场中磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12缺陷周围磁畴壁的形貌特征

用自组装系记录了外场分别为均速率增加的直流磁场，低频交变磁场和它们同时存在时，磁光薄膜（BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明：三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处；在低频交变场下，该缺陷区域出现无畴条块或区域，在直流场中无此现象。在低频交变场以及复合外场下该缺陷周围磁畴壁形成椭圆形图案。     

交变极性聚焦磁场抑制Corkscrew运动的机理

 分析了对强流相对论电子束采用交变极性聚焦磁场聚焦存在稳定解的条件,提出了采用交变极性聚焦磁场抑制Corkscrew运动的机理.数值计算结果表明,在采用交变周期为1m、峰值磁场设为0.2T的情况下,对于能量为12MeV的电子束,当聚焦布局长度为2.8m时,束质心位移可从5mm（始端）被抑制至近似0 (终端);对于能量为20MeV的电子束,当聚焦布局长度为4.5m时,束质心位移可从5mm（始端）被抑制至近似0(终端)。     

(La0.2Nd0.8)0.67Pb0.33MnO3的Preisach分析

测量了居里点为TC=220K的钙钛矿(La0.2Nd0.8)0.67Pb0.33MnO3 (LNPMO)在外场为ha=3978.87A/m ，2K相似文献   

EuBa_2Cu_3O(7-δ)陶瓷超导体临界态磁通蠕动

本文用振动样品磁强计分别以增加外磁场和退外磁场两种情况在77K 研究了 EuBa_2-Cu_3O_(7-δ)单相多晶超导样品磁化强度弛豫行为.发现两者有显著区别.我们又用实验结果求导了样品钉扎势 U_0 和磁通束尺度参量随外场变化规律,其数值表明样品钉扎势 U_0 随外场B 变化关系仍可用 U_0-1/B~α函数关系表示.     

利用交变极性聚焦磁场抑制束质心的Corbcrew运动

提出可以利用交变极性磁场聚焦抑制Corkscrew运动，一方面可以抑制束脉冲顶部Corkscrew振荡的幅度，并提高电子束打靶位置的稳定性；另一方面通过聚焦布局的精心设计，可剔除束脉冲前后沿能散度较大的束流。数值计算结果表明，在采用交变周期为0．81m、峰值磁场设为0．2T，对能量为11．2MeV的电子束，当聚焦布局长为2．5m时，束质心位移从5mlTl(始端)被抑制至趋近于0(终端)。实验时，采用了数值计算相近的聚焦布局。     

利用双霍尔探头测螺线管中低频交变磁场

在霍尔效应实验中利用双霍尔探头测磁场,通过对磁场定标,研究了螺线管中低频交变磁场,并分析了螺线管中低频交变磁场的分布特征,为学生测量低频弱电磁辐射提供了新的思路.     

La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0～0.335)的反常负磁化行为研究

采用溶胶-凝胶法制备了La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0~0.335)多晶样品,并研究其磁性.La_(1-x)Ca_xCrO_3的奈尔温度随掺钙量的增加而降低,在零场冷却模式下外加磁场为10Oe时,La_(1-x)Ca_xCrO_3样品的磁化率-温度曲线均出现负磁化现象,这是该体系中负磁化现象的首次报道.La_(0.665)Ca_(0.335)CrO_3在50K下的磁化率数值远高于其他样品,且其负磁化行为随着外场强度增大而被抑制,说明体系可能同时存在铁磁性相与抗磁性相,外加磁场较低时,铁磁信号被抑制,呈现出温度依赖的负磁化行为;外加磁场较高时,铁磁性信号与负磁性信号叠加,呈现出反铁磁转变特性.     

非晶态(Fe_(1-x)Nb_x)_(84.5)B_(15.5)合金低温下的磁性和自旋波激发

非晶态(Fe_(1-x)Nb_x)_(34.5)B_(15.5)(0≤x≤0.1)合金是用单辊急冷技术制备的。用提拉法和磁天平测量了磁化强度与温度以及磁场的关系。推出OK时的自发磁化强度σ(0)随Nb含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个Nb原子的平均磁矩分别为2.05μB和-2.57μB。在室温以下,磁化强度的温度关系较好地与自旋波激发公式σ(T)/σ(0)=1—BT~(3/2)-CT~(5/2)-…相符,得到自旋波劲度系数D从x=0时的71.3 mev·A~2下降到x=0.1时的59.8 mev·A~2,而D与居里温度的比值D/Tc随成分变化很小。当x从0增加到0.1时,交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉在11.8A~2—13.6A~2之间。     

DH4512型霍尔效应实验仪的参数标定

针对实验教学中存在的问题,在给定霍尔灵敏度的情况下,标定了霍尔电流(Ιs)和励磁电流(IM),并测量了不同情况下的磁场误差。研究表明:磁场稳定位置x=0 mm左右且KH=169 m V/m A时,其Is和IM选取1 m A和100 m A时,误差最小,较为准确,该结论可用于大学物理实验教学。     

钴（Ⅱ）的抗坏血酸螯合物的红外光谱表征

合成了钴(Ⅱ)的抗坏血酸螯合物。用红外光谱、元素分析等对整合物进行了表征,并据此提出了该螯合物的构型。     

两种钌配合物皮秒发光动力学过程研究

采用稳态发光光谱、瞬态发光动力学测量等手段,对两种钉配合物[Ru(bpy)3](ClO4)2和[Ru(bpy)2 HPIP](ClO4)2的发光性质进行了研究.稳态发光光谱表明[Ru(bpy)2 HPIP](ClO4)2发光明显偏弱;皮秒瞬态发光动力学测量显示[Ru(bpy)2 HPIP](ClO4)2的激发态弛豫过程...     

应变(Ge)5/(Si)5超晶格的光学增益

本文采用具有驰豫展宽的半导体激光器密度矩阵理论计算了(Ge)5/(Si)5超晶格的线性光增益和异质结激光器的国值电流密度,从理论上定量地比较了(Ge)5/(Si)5超晶格和GaAs体材料的线性光增益和阈值电流密度。     

3,4-二甲氧基苯甲酸稀土配合物的合成及表征

合成了[Sm（3,4-DMOBA）3]2（3,4-DMOBA为3,4二甲基苯甲酸根）和[Dy（3,4-DMOBA）3]2两种稀土配合物,并用元素分析、红外光谱、热重分析等手段对标题配合物进行了表征研究。     

(FeCp_2)_(0.65)[Ni(C_3S_7)_2]的合成及表征

合成了一种新型的导电配位型化合物(FeCp2)0.65[Ni(C3S7)2]。通过元素分析(EA),电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES),核磁共振(1HNMR),紫外光谱(UV)对该化合物进行了表征。     

配合物型分子导体（PyH）［Ni（dmit）2］2的能带结构及其导电性

采用EHMO紧束缚方法计算了配合物型分子导体 (PyH) [Ni(dmit) 2 ] 2 二维阴离子导电层中相邻两 [Ni(dmit) 2 ] - 0 .5 的HOMO轨道的重叠积分 ,并进行了二维能带计算 .计算结果与其单晶变温电导率测试结果一致 ,表明该配合物型分子导体为窄能隙半导体 .在能带计算基础上讨论了该类分子导体导电性与结构的关系 .分子导体的晶体结构对其能带结构和导电性能影响极大 ,分子柱的均匀化 (包括沿分子轴方向的错动尽可能小和面间距均一 )以及小的导电组元分子面间距是有利于增加分子导体的导电性的结构因素     

(Au)_核(Ag)_壳纳米微粒-火焰原子吸收光谱法测定过氧化氢

在90 ℃水浴条件下,以粒径为10 nm的纳米金做晶种,用柠檬酸三钠还原硝酸银,制备了平均粒径为30 nm的（Au）核（Ag）壳纳米微粒,用高速离心纯化除去过量的柠檬酸三钠获得了较纯的（Au）核（Ag）壳纳米微粒。在pH 3.8的HAc-NaAc缓冲溶液中,Fe2＋催化H2O2反应产生的羟基自由基可氧化（Au）核（Ag）壳纳米微粒生成银离子。离心后,离心液中的银离子可用火焰原子吸收光谱法在328.1 nm波长处测量。随着H2O2浓度增大,离心液中银离子浓度增加,其吸光度值增加。H2O2浓度在2.64～42.24 μmol·L-1范围内与上清液中银离子的原子吸收值ΔA呈良好的线性关系,回归方程为ΔA=0.014c-0.013 1, 相关系数为0.998 4,检出限为0.81 μmol·L-1 H2O2。当用于水样中H2O2的测定,获得了满意的结果。     

(Fe0.03Ni0.97)8(Si0.79P0.21)3的等温状态方程研究

 采用固态高温烧结反应方法,成功合成出了陨硅镍铁石样品(Fe_0.03Ni_0.97)₈(Si_0.79P_0.21)₃。X射线衍射结果表明,合成样品的结构为R3'c,对应的晶胞参数为a=b=0.663 8(1) nm,c=3.789 2(2) nm,V=1.446 15(6) nm³。在室温下,对样品进行原位高压X射线衍射研究,实验最高压力达到21.3 GPa,随着压力的升高,晶胞体积逐渐减小,但并没有观察到结构相变。利用Birch-Murnaghan状态方程对体积与压力的关系进行拟合,获得常温常压下的体积V₀=1.441 4(24) nm³,体积模量K₀=220(7) GPa。晶轴与压力的关系利用Murnaghan状态方程拟合,获得a轴和c轴的模量分别为K_a=257(9)和K_c=165(4),c轴较a轴容易压缩。     

有机材料(EDT-DSDTFVO)_2FeCl_4和(EDT-DSDTFVO)_2GaCl_4的磁电阻分析

有机材料(EDT-DSDTFVO)2FeCl4和(EDT-DSDTFVO)2GaCl4的输送实验结果,显示出这两类盐的电阻率对温度的依赖性以及压力效果十分相似,但是两种盐的磁电阻率却表现出很大的不同,FeCl4盐为负磁电阻,而GaCl4盐为正磁电阻。我们认为这种输送现象的差异性起源于π-d相互作用。我们用EDT-DSDTFVO表示ethylenedithiodiselenadithiafulvalenothioquinone-1,3-dithiole methide。