Bi0.8Pb0.2SrCaCuOy超导体中磁通运动引起的内耗峰

在线性增加磁场的条件下,用变频倒扭摆测量了配比成份为(Bi_0.8Pb_0.2)SrCaCu₂O_y的试样在超导态时磁化过程中的低频内耗。测量温度为95K,试样处于零电阻状态,所用频率为0.5-5Hz.在内耗-场强H曲线上观测到内耗峰,它有如下特点:1)峰高随加场速率H的增大而增大,但随测量频率的增大而降低;2)峰值处的场强为4-6mT;3)当H由非零值突然改变至零时,磁化过程特征内耗消失;4)试样处于正常态时,上述特征内耗消失。认为超导体在磁化过程中的上述特征内耗是量子磁通的运动所引起来的。 关键词：     

关于矩阵迹的贝尔曼问题

本文就 n=2~m(m 为自然数)时,证明贝尔曼迹不等式:tr(AB)~(?)≤tr(A~(?)B~n)成立.     

纯铁中运动畴壁引起的低频内耗

在匀速增加磁场的条件下测量了纯铁试样在退火和预应变时的低频内耗。结果表明,磁化过程中的动态内耗是一种与磁化场增加速率成正变关系,与测量频率成反变关系的粘弹性内耗。而稳态磁场下的内耗则与测量频率有正变关系。这与作者对镍的测量结果类似。结果还表明,预应变使这两种内耗减小,峰值移向高场。 关键词：     

复合外场中磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12缺陷周围磁畴壁的形貌特征

用自组装系记录了外场分别为均速率增加的直流磁场，低频交变磁场和它们同时存在时，磁光薄膜（BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明：三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处；在低频交变场下，该缺陷区域出现无畴条块或区域，在直流场中无此现象。在低频交变场以及复合外场下该缺陷周围磁畴壁形成椭圆形图案。     

磁畴壁在复合外场中的运动方程及其在磁弹性内耗的应用

在以速率α匀速增加的磁化场中,测量铁磁性材料的内耗时,材料中畴壁所受的力除了外加磁化场所提供的主驱动力A₀⁰+A₁⁰αt,以及测量内耗所用交变应力所提供的微扰交变驱动力A₃⁰sinωt之外,经分析表明,还存在一项在数值上与主驱动力及交变驱动力的乘积成正比的交互作用驱动力,可写为A₂⁰sinωt。这里的A₀关键词：     

复合外场中磁光材料(BiTm)3(FeGa)5O12薄膜畴壁运动特性的研究

通过对BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜施工加低频交变磁场,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场(复合外场),用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件(CCD)-计算机作数字化处理获得磁畴壁(DW)的相对百分数。结果表明:(1)复合外场下DW运动规律中存在交互作用项;(2)低频交变磁场幅值(140A/m)远低于等效阻力场(10³A/m)时,DW可以运动,但不同步,频率大于1Hz时明显滞后,(3)利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。     

复合外场中磁光材料(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜畴壁运动特性的研究

通过对 (BiTm) 3 (FeGa) 5O12 膜施工加低频交变磁场 ,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场 (复合外场 ) ,用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件 (CCD) 计算机作数字化处理获得磁畴壁 (DW)的相对百分数。结果表明 :( 1 )复合外场下DW运动规律中存在交互作用项 ;( 2 )低频交变磁场幅值 ( 1 4 0A/m)远低于等效阻力场 ( 1 0 3 A/m)时 ,DW可以运动 ,但不同步 ,频率大于 1Hz时明显滞后 ,( 3 )利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。