复合外场中磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12缺陷周围磁畴壁的形貌特征

用自组装系记录了外场分别为均速率增加的直流磁场，低频交变磁场和它们同时存在时，磁光薄膜（BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明：三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处；在低频交变场下，该缺陷区域出现无畴条块或区域，在直流场中无此现象。在低频交变场以及复合外场下该缺陷周围磁畴壁形成椭圆形图案。     

复合外场中磁光材料(BiTm)3(FeGa)5O12薄膜畴壁运动特性的研究

通过对BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜施工加低频交变磁场,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场(复合外场),用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件(CCD)-计算机作数字化处理获得磁畴壁(DW)的相对百分数。结果表明:(1)复合外场下DW运动规律中存在交互作用项;(2)低频交变磁场幅值(140A/m)远低于等效阻力场(10³A/m)时,DW可以运动,但不同步,频率大于1Hz时明显滞后,(3)利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。     

复合外场中磁光材料(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜畴壁运动特性的研究

通过对 (BiTm) 3 (FeGa) 5O12 膜施工加低频交变磁场 ,匀速率增加的直流磁场和同时对该膜施加这两种磁场 (复合外场 ) ,用照相划线读数方法和通过电荷耦合器件 (CCD) 计算机作数字化处理获得磁畴壁 (DW)的相对百分数。结果表明 :( 1 )复合外场下DW运动规律中存在交互作用项 ;( 2 )低频交变磁场幅值 ( 1 4 0A/m)远低于等效阻力场 ( 1 0 3 A/m)时 ,DW可以运动 ,但不同步 ,频率大于 1Hz时明显滞后 ,( 3 )利用图像转换有利于提高实验结果的分辨率。