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首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化。当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。 相似文献
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报道用分子束外延(MBE)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果.基态激子跃迁能级荧光谱实验结果显示高组分超晶格中具有高量子效率和高质量光发射.对激子能级随温度的变化进行了详细研究,给出激子跃迁能量的温度系数.激子能级线型的展宽随温度变化关系可用激子-纵向光学声子耦合模型解释.与光调制反射谱实验结果进行了比较. 相似文献
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一种新的制备ZnO纳米粒子的方法--阴极电沉积法 总被引:8,自引:2,他引:6
用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜。研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质的影响。沉积薄膜的ZnO粒径尺寸分别为9.8,10.4,14.5nm。随着ZnCl2浓度的增加而增大。薄膜的可见光致发光谱以紫外的自由激子发射为主。研究表明:以浓度为0.03mol/L的ZnCl2电解液制备的ZnO薄膜光学性质最好。 相似文献
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在简要讨论谱导数法物理机理的基础上, 给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的成功应用实例. 比较了不同阶谱导数对测定激子跃 迁能量的影响,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别. 指出了谱导数法在光谱研 究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的重要性和易行性.
关键词:
谱导数法
吸收谱
反射谱
多量子阱
激子 相似文献
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用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Zn1-xCdxSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态. 相似文献
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在电磁场和极化场的强耦合区,固体的光学性质可以用极子的概念来很好地加以描述。对于激子性极化声子,在反射谱的情况已经得到了实验和理论之间的定量吻合。对相应发光的光谱尽管极子效应的重要性已经很清楚,但对它的了解还很少。我们对CdS晶体在紫外激发下的A_(N=1)极子的发光进行了综合的实验研究,在2°K到80°K的温度范围里,样品放置在不同的几何位置进行了与角度有关的测量。结果指出也可以用与描写反射谱相似的形式来解释发光光谱。 相似文献
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本文报道用分子束外延技术生长的Cd1-xMnxTe/Cd1-yMnyTe超晶格样品在80K下的光调制反射谱实验结果,观测到11H,22H,33H和11L等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了理论计算。 相似文献
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研究了Stark效应对两模双光子J-C模型腔场谱的影响,推导计算出了腔场处于压缩真空态时腔场谱的计算公式和数值结果,讨论了Stark效应和初始场强对腔场谱的影响.发现初始场较弱时,Stark效应主要影响谱线的频率,对峰的强度影响不大;初始场n1=n2≥2后,Stark效应对主峰有较强的强化作用,对边峰产生抑制作用;在初始场较强时,对谱强度的影响显著.改变Stark移动参数和初始场的强度,可得到各式各样的腔场谱结构. 相似文献
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Ligang MaShuyi Ma Haixia ChenXiaoqian Ai Xinli Huang 《Applied Surface Science》2011,257(23):10036-10041
Pure and Cu-doped ZnO (ZnO:Cu) thin films were deposited on glass substrates using radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. The effect of substrate temperature on the crystallization behavior and optical properties of the ZnO:Cu films have been studied. The crystal structures, surface morphology and optical properties of the films were systematically investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and a fluorescence spectrophotometer, respectively. The results indicated that ZnO films showed a stronger preferred orientation toward the c-axis and a more uniform grain size after Cu-doping. As for ZnO:Cu films, the full width at half maxima (FWHM) of (0 0 2) diffraction peaks decreased first and then increased, reaching a minimum of about 0.42° at 350 °C and the compressive stress of ZnO:Cu decreased gradually with the increase of substrate temperature. The photoluminescence (PL) spectra measured at room temperature revealed two blue and two green emissions. Intense blue-green luminescence was obtained from the sample deposited at higher substrate temperature. Finally, we discussed the influence of annealing temperature on the structural and optical properties of ZnO:Cu films. The quality of ZnO:Cu film was markedly improved and the intensity of blue peak (∼485 nm) and green peak (∼527 nm) increased noticeably after annealing. The origin of these emissions was discussed. 相似文献
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在PVA溶液中制备ZnO∶Cu纳米粉体的前驱体,经过煅烧获得ZnO∶Cu纳米粉体,考察煅烧温度对制备过程及发光性能的影响。利用XRD、TEM分析了产物的结构和形貌,XRD分析结果表明,当煅烧温度高于500℃时,可以使PVA完全分解,制备出具有六角纤锌矿结构的ZnO∶Cu粉体。TEM结果表明,粉体呈球形,大小均匀,分散性好,平均粒径为20~25 nm。在342 nm波长光的激发下,在ZnO∶Cu的室温PL光谱中可以观察到两个中心波长位于458 nm和486 nm的较强的蓝光发射峰,经400℃煅烧处理的ZnO∶Cu纳米粉体的蓝光发射最强。煅烧后的ZnO∶Cu只有微弱的绿光发射(510~530 nm),Cu的掺杂使ZnO的绿光发射变为蓝光发射。蓝紫光的发射波长随煅烧温度的升高产生明显的红移,由300℃时的404 nm红移至600℃时的422nm,发射强度随温度升高先增大后减小。 相似文献
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采用MEVVA源(metal vapor vacuum arc ion source)引出的强束流脉冲Ag,Cu离子先后注入到SiO2玻璃,x射线光电子能谱仪(XPS)分析显示Ag,Cu大多仍为金属态,有部分氧化态Cu存在.透射电镜观察分析和光学吸收谱都表明在衬底中形成了纳米合金颗粒.结合有效媒质理论,得到模拟的光学吸收谱,与实验结果基本符合,较好地验证了以上结论.样品退火后颗粒发生分解,分解的颗粒在氧化气氛下被氧化,且有部分向样品表面蒸发;在还原气氛下氧化态元素被还原并成核生长.故
关键词:
离子注入
纳米颗粒
退火
光学吸收率 相似文献
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本文测定了Cs3Cu2 I5 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔE(1)ex = (0.53±0.07)eV,激子半径aex = 0.326 nm ,禁带宽度Eg = (5.00±0.07)eV。在谱分析的基础上,论证了Cs3Cu2I5 的电子和激子激发定域在该晶体的CuI亚晶格之中,同时,揭示了在低温下Csx Cu1- x I系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。 相似文献
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采用高温固相法合成Sr4-xCaxSi3O8Cl4:Eu^2+荧光材料,利用Van Uitert公式讨论Sr4-xCaxSi3O8Cl4:Eu^2+中yEu^2+的晶格环境和发光特性,确定晶体中有蓝色和黄绿色两种发光中心,并讨论了它们与光谱结构的对应关系。当0〈x〈0.5,Ca^2+固溶入Sr4Si3O8Cl4基质晶格,Eu^2+占据八配位Si^2+格位,晶体主要产生蓝色中心的蓝绿色发射;当0.5〈x〈2,较大的Ca^2+掺杂使晶胞参数变小,品格中的杂质束缚激子态的束缚增强,Eu^2+处于杂质束缚激子中心所形成的激发态能量进一步降低,发射位于长波段方向并具有较大的Stokes位移,Sr4-xCaxSi3O8Cl4:yEu^2+主要产生黄绿色中心的黄绿色发射光。 相似文献
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利用简单的高温固相法合成稀土离子掺杂的NaLn4-x(SiO4)3F:xRE3+(Ln=La, Gd; RE=Tb, Dy, Sm, Tm)系列荧光粉,利用X射线粉末衍射仪和荧光分光光度计分别测试其物相结构和荧光性能。结果表明,所合成样品均为纯的六方晶系结构,在紫外光激发下所合成样品均表现出所掺杂稀土离子的f-f特征能级跃迁,Tb3+、Dy3+、Sm3+和Tm3+等激活离子分别发出蓝绿色、白色、橙色以及蓝色等荧光发射。 相似文献
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Ti:Al2O3晶体紫外及可见光谱的浓度效应研究 总被引:5,自引:0,他引:5
通过对不同浓度的Ti:Al2O3晶体紫外吸收光谱,可见偏振荧光光谱及其激发光谱的研究,发现峰值420nm的宽带可见荧光,室温下较强的σ偏振光在低温(77K)下变得比π偏振光弱。在液氮温度下π偏振光谱分裂成330nm,420nm,460nm,560nm等离荧光带。研究认为,这些发光带分别与色心(F^+,F心)及Ti^4^+离子的电荷转移跃适有关。并且室温下可见荧光具有的较强的浓度猝灭及现象来源于Ti 相似文献
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在超高真空条件下,用对样品进行闪烁加热的方法测定了蓝色氧化钨WO2.90吸附丙烯和氧的热脱附谱。发现在室温下,丙烯在蓝色氧化钨表面只有一个吸附态,对应于热脱附谱中在100℃附近出现一个脱附峰。实验测定的热脱附参数为n=1(一级脱附),脱附活化能ED=10.1kcal/mol。温度升高,丙烯在蓝色氧化钨表面形成稳定吸附态的几率减小。在125℃以上,不能形成稳定的吸附态,蓝色氧化钨在室温下对氧的吸附并不明显,温度升高到300℃以上,WO2.90
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