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杨宝均  宋士惠 《发光学报》1993,14(3):221-224
用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Zn1-xCdxSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态.  相似文献   
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3.
本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe1-xSx-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出结构较完整以及较平整的超晶格薄层材料.  相似文献   
4.
为了实现石英光纤传感器的无胶金属化封装,需要在光纤表面涂敷金属层。先利用化学镀方法在石英光纤表面镀镍层,再利用电镀工艺电镀锡层,从而获得表面光亮、均匀、附着牢固、可焊性好的金属涂敷层。实验中研究了敏化、活化工艺对镀层的影响并提出一种效果较好的敏化活化方法。给出了石英光纤表面化学镀镍的最佳工艺条件。  相似文献   
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