颗粒超导体临界电流密度的尺寸效应

假设颗粒超导体内某点临界电流密度是该处磁场强度平均值的某种函数,计算了其实测临界电流密度与样品尺寸的关系.发现对目前实验中所用的烧结样品,实验测得的 YBaCuo超导体的临界电流密度有显著的尺寸效应.     

Bi-2223银夹板厚膜的载流特性与应变的关系

测量了Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca₂Cu₃O_y银夹板厚膜的应力与应变、应变和临界电流密度关系,及其在不同应变下的J_c(H)特性.结果表明,在应力-应变曲线上存在两个应变转变,分别对应于Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca₂Cu₃O_{y关键词：}     

利用交流磁测量测定高温超导体临界电流密度的问题

本对交流磁测量测定高温超导体的临界电流密度中的问题进行了较详细的讨论，结出了由接收信号实部与励磁电流开始发生非线线性变化的临界点来计算样品的临界电流密度的方法。并讨论了发生这一非线性变化的物理原因，同时对大面积高温超导膜均匀性测量装置中临界电流密度测量的可靠性给出了实验证据。     

Bi系银衬底厚膜的制备及其传输电流性质

采用物理沉积法制了名义组分为Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的银夹板厚膜成相的影响表现为热处理过程中银夹板阻止了厚膜中的物质尤其是Ｐｂ的挥发，使厚膜处于低氧压状态，加速了８０Ｋ相向１１０Ｋ相的转化，测量了银衬底厚膜在外加磁场平行和垂直于厚膜表面的传输临界电流密度Ｊｃ与磁场Ｈ的关系。典型数据为Ｊｃ＝２．３１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ），３．６×１０＾２Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，１Ｔ）     

晶粒细化对MgB_2超导临界电流密度的作用

在多晶系统的MgB2超导体中存在晶粒间较小的整体电流和晶粒内大的局域电流.用改变升温速率的方法制备了不同晶粒大小和晶粒连接性的MgB2样品,并对它们的晶粒大小进行了统计.采用一种测量超导临界电流密度的Campbell法,分别测量和计算得到了它们的整体电流和局域电流密度.研究表明:长时间的烧结造成晶粒变大,材料有较大的整体临界电流密度,而短时间烧结的样品则相反;同时发现晶粒细化只提高了样品的局域临界电流密度,而且样品内部缺陷、杂质及晶界等因素是影响MgB2超导体整体电流传输的主要因素.     

层状高温超导体的临界电流理论

本文提出了一个关于层状高温超导体临界电流密度Ｊｃ的理论，对于强各向异性高温超导体，讨论了临界电流密度随温度的磁场的变化，得到了临界电流密度在低温区和强钉扎区随温度线性减小；而在高温区和弱钉扎区则随温度指数衰减的结果。     

高温超导体零场临界电流的尺寸效应

以临界态概念为基础,采用等效钉扎力方法对烧结的氧化物超导体样品在液氮温度下零磁场临界电流平均密度进行了理论分析。所得结果和实验相符合。在以上同样的假设下,计算了块样的剩余磁化强度。证明了磁化强度测量决定临界电流的实验方法在决定零场临界电流密度时也适用。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导带材短样的制备和特性研究

用不同的方法制备YBa_2CuO_(7-δ)银包套超导带材短样。分别测量其超导临界参数。发现用稀硝酸腐蚀掉样品外面的银套,再经过一定时间、温度的热处理,使样品的临界电流密度J_c和超导转变温度T_c都有一定的提高。利用x射线衍射和扫描电镜对制备测试样品的过程进行了分析研究,讨论了超导临界性能提高的原因。     

Bean模型与不同几何形状样品中的临界电流密度

我们依据 Bean 临界态模型通过计算给出了不同几何形状超导样品的临界电流密度在各向同性情形下与样品尺寸,剩余磁化强度的诸关系式,给出了利用测量样品磁滞回线求临界电流密度诸公式一个简单统一的方法,为测量磁临界电流密度提供了较全面的参考依据.     

低氧压对Bi—2223／Ag复合带组织与性能的影响

本研究了０．１２ｍｍ×４．５ｍｍ的Ｂｉ－２２２３／Ａｇ试样在Ｐｏ２＝０．２１，０．１３，０．０８，０．０４ａｔｍ气氛中于Ｔ＝７８５￣８４０℃中处理５０小时后，带材显微组织与超导性能的变化。实验发现低氧压下带材熔化温区大幅度降低，低氧压与Ａｇ共同作用促进了２２２３相的形成与取向，在低氧压下烧结氧化芯中心的第二相生长受到抑制，改善了带材截面的均匀性，低氧压烧结＋空气中退火，提高了临界电流密度，且改善     

含有多种钉扎中心的层状高温超导体在其单个钉扎区域的钉扎机制

本文中，我们提出了一个关于含有多种钉扎中心的层状高温超导体在其单个钉扎中心的钉扎机制的理论，并讨论了具有两种钉扎中心的层状高温超导体的钉扎机制和临界电流密度．我们发现在强、弱钉扎中心之间存在着相互竞争，并解释了临界电流密度在低场区域随磁场增加而迅速降低的现象．     

粉末套管BPSCCO／Ag复合带载流各向异性特征的研究

本工作采用直流传输电流和直流磁化行为的测量研究了经恰当热－机制处理后的ＢＰＳＣＣＯ／Ａｇ复合带的临界电流特性，表明：由于ＢＰＳＣＣＯ晶粒的强ｃ轴择优取向，传输和磁化临界电流密度呈现大的各向异性，磁场在ｃ轴的分量起有主要作用，因传输和磁人监蚧电流密度相应于各向异性临界电流密度的不同主分量，故它们随角度变化的行为不同，传输电流的Ｉ－Ｖ曲线入磁驰豫Ｍ－ｔ曲线都呈现幂指数关系，即分别为Ｖ∝ＡＩ和Ｍ∝Ｂｔ，     

YBa2Cu3O7-δ超导厚膜在35GHz频率的毫米波表面电阻

银为隔离层、工作频率为35GHz和模式为TE_(011)的铜谐振腔研究YBa_2Cu_3O_(7_δ)超导厚膜的毫米波表面电阻。应用电泳技术在银衬底上沉积YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜,经机械加工和精细的表面抛光后作为圆柱型腔的两端面。测量两瑞面为YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜的腔和铜腔的Q值,计算得到35GHz,77K温度下YBa_2Cu_3O_(7_δ)导厚膜的表面电阻R_5为21.88mΩ,低于同样条件下纯铜的值。YBa_2Cu_3O_(7_δ)从正常态经过T_c进入超导态,穿透深度的变 关键词：     

利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

利用电泳技术在高熔点金属基底Ta,Mo和W上制备MgB2 超导厚膜 .厚膜中的MgB2 晶粒结合紧密 ,粒度小于1μm ,呈随机取向生长 .电阻测量表明沉积在Ta ,Mo,W上的MgB2 厚膜的超导起始转变温度分别为 3 6.5K ,3 4.8K ,3 3 .4K ,对应的转变宽度为 0 .3K ,1.5K和 2 .0K .三种基底上制备的MgB2 厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况基本相同 ,MgB2 Mo厚膜的临界电流密度在 5K ,1T时可达 1.2× 10 5A cm2 .本工艺可以随意控制膜的厚度、形状、大小 ,也可进行双面沉积 ,且制备出的MgB2 厚膜的超导性能优良 ,为MgB2 超导体的实用化提供了可能     

化学溶液法制备Bi-2212超导厚膜及表征

在柔性衬底上制备的Bi-2212(Bi2Sr2CaCu2O8+x)超导厚膜在高场低温下有高的临界电流密度、可塑性好、易加工成材等特点,因而有广阔的应用前景.所以制备低成本、高性能的Bi-2212厚膜技术已经成为此类高温超导材料实用化的关键.本文系统的研究了采用Bi系超导粉前驱化学溶液的方法进行Bi-2212超导厚膜的制备和表征.对制备超导厚膜过程中的关键步骤做了系统的研究,主要包括局部熔融烧结温度、固相烧结温度、匀胶机最高转速、涂层的厚度等对超导转变温度和转变宽度的影响.我们得出最佳的烧结温度和固相温度分别是888℃、845℃,并发现随着匀胶机转速和涂层厚度的增加,超导膜的转变温度逐步提高,当最高转速为4000r/min,涂层厚度设定为七层,制备出的超导膜R～T曲线的第二个相转变点消失了.制备出的超导膜的转变温度在90K左右.与此同时还进行了XRD、SEM测试表征.最终可以得到均匀平整无裂纹的高质量Bi-2212超导厚膜.     

利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

利用电泳技术在高熔点金属基底Ta，Mo和W上制备MgB₂超导厚膜.厚膜中的MgB2晶粒结合紧密，粒度小于1μm，呈随机取向生长.电阻测量表明沉积在Ta，Mo，W上的MgB₂厚膜的超导起始转变温度分别为36.5K，34.8K，33.4K，对应的转变宽度为0.3K，1.5K和2.0K.三种基底上制备的MgB₂厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况 基本相同，MgB₂/Mo厚膜的临界电流密 关键词： 2超导厚膜')" href="#">MgB₂超导厚膜 电泳 金属基底     

氧化物高温超导电性的应用

新的高温超导体开辟了诸多应用的可能性，如磁体、电力输送、计算机内连接、约瑟夫森器件等．这些应用的实现尚依赖于许多因素如临界电流密度、临界磁场、允许的工作温度、力学性能和化学稳定性等．对一些因素的分析可看出哪些应用会最早实现，哪些会具有最大的潜力．     

Bi系银基带材的临界电流密度

采用三步反应法制备 Bi 系超导体,研究其银包套复合带的超导性能.实验结果表明,这种粉末的复合带的临界电流密度优于“大混合”粉末的复合带.在适合的热处理和加工条件下,其最优 J_c 值可达1.3×10~4A/cm~2(77K,0T).     

熔融织构YBa2Cu3O7-y各向异性临界电流密度的磁测量

用测磁滞迴线的方法测量熔融织构YBa₂Cu₃O_7-y超导样品的临界电流密度,计算临界电流密度时考虑了退磁场的影响并采用适合于各向异性有限样品的模型,改进了Gyorgy等人最近提出的方法,在不同取向的磁场中测同一样品的磁化曲线,得到三种不同的临界电流密度。 关键词：     

原位法MgB_2-B_4C复相超导体合成及相含量调控研究

以B4C和Mg为原料合成的MgB2-B4C复相超导体具有高的临界电流密度(Jc)和高的超导转变温度(Tc),是一种有潜力的实用MgB2超导材料,其成相机理对复相MgB2超导体的相含量调控和磁通钉扎研究具有重要意义。结合经典烧结理论,研究了B4C-Mg真空固相烧结制备MgB2-B4C复相超导体的超导相形成和晶粒生长过程,给出了B4C-Mg的金斯特林格扩散模型和MgB2晶粒生长过程。通过选择B4C原料粒径,MgB2-B4C复相超导体超导相体积相含量在18%-88%范围可控。相含量88%的MgB2-B4C复相超导体临界转变温度达33.5K,转变宽度1.5K。10 K环境6T外场下电流密度可以达到1×104A/cm2,表明MgB2-B4C复相超导体具有良好的磁通钉扎行为。