206At的[πh1/2νi-113/2]10-同质异能态研究

利用能量为60-80MeV的12C束流,通过197Au(12C,3n) 206 At反应研究了206At核的高自旋能级结构. 用7台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ射线的平面型HPGe探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ-t符合及γ射线的角分布测量. 基于这些测量,首次建立了包括25条γ跃迁的206At高自旋能级纲图. 确定了一个半寿命为(908±400)ns、自旋和宇称为10-的同质异能态. 基于较重的双奇核 208,210At能级结构的系统性,对206At的10-同质异能态进行了讨论.     

奇—奇核~（114）Pm高自旋同质异能态及其衰变纲图的研究

用高自旋同质异能态次级束流线实验装置，对１４４Ｐｍ的高自旋同质异能态进行了快速分离，并做了γ射线的符合测量．结合γ射线激发函数和各向异性的测量结果，首次建立了奇—奇核１４４Ｐｍ的高自旋同质异能态的衰变纲图，其中１９条高自旋能级和２９条γ射线是由本工作指定的．离子γ射线关联测量确定了１４４Ｐｍ的高自旋同质异能态的半衰期大于２μｓ．通过系统性比较以及变形的独立粒子模型理论计算，指定了高自旋同质异能态的粒子组态可能为，自旋宇称为，并具有形变参数为β＝－０．１８的扁椭球形状．     

~(153)Dy高自旋态的能级结构及缺中子Dy核的形状随中子数与自旋态的变化

通过在束γ谱的实验研究,建立了~(153)Dy的非常高的自旋态的能级图,最高自旋态为81/2.所用核反应为~(122)Sn(~(36)s,5n),束流能量165MeV.在同质异能态(I=47/2)以上,能级结构展示出极端复杂的单粒子跃迁特性.对缺中子Dy核的形状随中子数N及自旋态I变化的系统性进行了讨论.     

奇—奇核114Pm高自旋同质异能态及其衰变纲图的研究

用高自旋同质异能态次级束流线实验装置,对¹⁴⁴Pm的高自旋同质异能态进行了快速分离,并做了γ射线的符合测量.结合γ射线激发函数和各向异性的测量结果,首次建立了奇—奇核¹⁴⁴Pm的高自旋同质异能态的衰变纲图,其中19条高自旋能级和29条γ射线是由本工作指定的.离子γ射线关联测量确定了¹⁴⁴Pm的高自旋同质异能态的半衰期大于2μs.通过系统性比较以及变形的独立粒子模型理论计算,指定了高自旋同质异能态的粒子组态可能为π(1h²_11/2d_5/2)v(1i_13/21h_9/22f_7/2),自旋宇称为J^π=27⁺,并具有形变参数为β=－0.18的扁椭球形状.     

198Bi的高自旋态结构研究

利用能量为85—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁸⁷Re(¹⁶O,5n)反应研究了¹⁹⁸Bi的高自旋态能级结构.用6台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ跃迁的平面探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ—t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括26条γ跃迁的¹⁹⁸Bi的高自旋能级纲图,确定了一个半寿命为(8.0±3.6)ns,自旋和宇称为15+的同质异能态.基于较重的双奇铋核^200—206Bi能级结构的系统性,定性地对¹⁹⁸Bi的能级结构进行了解释.     

首次测定短寿命缺中子同位素~（153）Er和~（157）Yb的EC／β~＋衰变

利用（１６）Ｏ重离子束轰击（１４２）Ｎｄ和（１４７）Ｓｍ同位素靶分别生成（１５３）Ｅｒ和（１５７）Ｙｂ．借助氦喷嘴带传输系统和Ｘ－γ、γ－γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质．首次建立了（１５３）Ｅｒ和（１５７）Ｙｂ的ＥＣ／β＋衰变纲图．从中指认出（１５３）Ｈｏ的一个新三（准）粒子态和两个新单粒子态，指认出（１５７）Ｔｍ的一个新的同质异能态和一条新转动带．低位能级系统分析表明：在Ｈｏ和Ｔｍ这两条奇Ａ核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数８６和８８之间．     

~(85)Rb(n,2n)~(84)Rb反应中同质异能态截面比

在14.7 MeV中子能量下,测量了~(85)Rb(n,2n)反应同质异能态截面及其比值。实验比值与Vandenbosh-Huizenga方法算出的理论值做了比较,定出了自旋切割因子σ值。     

134Ba核的高激发态能级结构研究

在中国原子能科学研究院H-13串列加速器上, 通过重离子核反应¹³⁰Te(⁹Be,5n)与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的¹³⁴Ba核的高自旋态进行了研究, 建立了¹³⁴Ba核的新的能级纲图, 最高自旋态扩展到20h. 除验证了以前报道的大部分能级与跃迁外, 将基带的能级扩展到10⁺, 同时发现了基于10⁺同质异能态以上的众多的能级与跃迁. 对实验结果的系统学分析表明, 10⁺同质异能态为yrast陷阱, 起源于两中子组态, 可能具有γ≈－120°的长椭形状, 在其以上的能级表现出很强的单粒子性，具有复杂的结构. 基带中观测到明显的集体回弯现象, 推转壳模型的计算表明, 此集体回弯是由一对中子的顺排所致, TRS计算表明, 随着转动频率的增加, 核的形状发生明显的变化, 基带中在中子顺排后核具有γ≈－60°的扁椭形状.     

143Nd中高自旋同质异能态的识别与研究

利用能量为80MeV的18O束流,通过¹³⁰Te(¹⁸O,5n)反应研究了¹⁴³Nd的高自旋态能级结构.基于γγ延迟符合、γ射线的角分布及线性极化测量,首次发现了¹⁴³Nd的一个半寿命为(35±8)ns,自旋和宇称为49/2⁺的同质异能态.用形变独立粒子模型探讨了此同质异能态的形成机制.     

~(183)W5.2秒同质异能态的一条新跃迁分支

在用14.8MeV中子轰击天然钨样品时,观察到了一条γ射线,其能量为291.7keV,以5.17±0.03秒的半衰期衰变。根据实验事实,我们假设~(183)W的5.2秒同质异能态衰变中除了已知的两条跃迁分支外,还存在11/2~ 11/2[615]→5/2~-3/2[512]态的另一条同质异能(E3)跃迁。计算了这条新跃迁分支的受阻因子,它与K~-禁戒同质异能跃迁的一般经验规则很好相符。     

146Sm核高自旋态的实验观测

用能量为95MeV的¹³C束流,轰击天然厚Ba靶,对¹⁴⁶Sm的高自旋态进行了实验研究,观测到17条γ射线和11条新能级,能级纲图延伸到了激发能为103MeV处,在此高激发能区,能级结构仍呈现粒子组态的特性,没有发现长寿命的同质异能态.     

153Dy高自旋态的能级结构及缺中子Dy核的形状随中子数与自旋态的变化

通过在束γ谱的实验研究,建立了¹⁵³Dy的非常高的自旋态的能级图,最高自旋态为81/2.所用核反应为¹²²Sn(³⁶s,5n),束流能量165MeV.在同质异能态(I=47/2)以上,能级结构展示出极端复杂的单粒子跃迁特性.对缺中子Dy核的形状随中子数N及自旋态I变化的系统性进行了讨论     

EuBa2Cu3O7的化学键性质和穆斯堡尔谱研究

利用电介质的平均能带模型计算了ＥｕＢａ２Ｃｕ３Ｏ７的化学键参数,得到Ｃｕ（１）－Ｏ键的平均共价性为０．４１４,Ｃｕ（２）－Ｏ键的平均共价性为０．２８１,应用由共价性和极化率定义的化学环境因子计算了＾５７Ｆｅ、＾１１９Ｓｎ在ＥｕＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的穆斯堡尔同质异能位移,确定了＾５７Ｆｅ、＾１１９Ｓｎ的价态和占位情况。     

~(84)Rb的高自族态研究

利用75MeV的18O束流，通过70Zn（18O，p3n）反应布居了84Rb核的高自旋态，测量了激发函数，γ－γ符合及DCO比值，新观察到了40个能级，50多条γ跃迁，建立了到目前为止最完整的能级纲图，其正负宇称分别推高到了17+和17-．通过与Rb各奇-奇同位素核和N＝47的各奇-奇核比较，发现它们的结构非常相似．     

浅杂质注入LEC半绝缘GaAs γ射线辐照缺陷

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ₂，并且大大增强了原有的Ｅ₀₁（０．２９８）和Ｅ₀₂（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ₀₃。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇₀₁（０．２１６），Ｅ＇₀₂（０．３４１），Ｅ＇₂，Ｅ＇₄和Ｅ＇₅（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ₀₁和Ｅ＇₀₁是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。 关键词：     

用重离子反应研究~(124)Cs的激发态

用~(109)Ag(~(19)F,p3n)熔合蒸发反应和在束γ测量技术研究了~(124)Cs核的激发态。观测到了~(124)Cs核的高自旋态能带结构及其向基态的跃迁,在此基础上建立了~(124)Cs核的能级纲图。     

关于~(93)Mo中21/2~+晕阱的来源（英文）

本研究通过壳模型计算研究了N=51的同中子素~(91)Zr、~(93)Mo和~(95)Ru中高自旋晕态21/2~+的同核异能态现象。计算发现,低角动量的p_(1/2)轨道上的质子是仅在~(93)Mo中存在21/2~+晕阱的主要原因。同时,本工作还研究了N=52的同中子素~(92)Zr、~(94)Mo和~(96)Ru中10_1~+-12_1~+能级结构的系统性,发现~(94)Mo中的10_1~+-12_1~+能级间隙相对最小,考虑到与~(93)Mo的17/2_1~+-21/2_1~+能级相似的组态,这一结果为~(93)Mo中出现21/2~+晕阱提供了补充性的论证。     

^209Fr的能级结构研究

利用能量为 90— 1 0 5MeV的16 O束流 ,通过197Au( 16 O ,4n)反应研究了2 0 9　Fr的高自旋态能级结构 .进行了γ射线的激发函数、γ γ延迟符合及γ射线的角分布测量 .首次建立了由 2 1条γ射线构成的2 0 9Fr的能级纲图 ,其中包括一个半寿命为 ( 52± 2 0 )ns的同质异能态 .基于2 0 9Fr与2 0 8Rn低位能级结构的相似性 ,用一个h9/ 2 价质子与2 0 8Rn激发态的弱耦合解释了2 0 9Fr的低位能级结构 .     

BaZn2(GeMn)0-2Fe15-6O27六角铁氧体的磁晶各向异性

用标准陶瓷工艺制备了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７六角铁氧体．假设Ｇｅ４＋取代了４ｅ和４ｆⅣ中的Ｆｅ３＋,能够很好地解释实验结果．利用分子场理论和Ｈ．Ｂ．Ｃａｌｌｅｎ单离子各向异性模型计算了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７次点阵之间的交换参数和各次点阵对磁晶各向异性的贡献,并对实验结果进行了拟合．结果表明,１２ｋ和２ｄ次点阵对磁晶各向异性有较大的贡献 关键词：     

^143Pm高自旋态研究

通过熔合蒸发反应^129Te(^19F,4nγ）布居了^143Pm的高自旋态,利用在束γ谱学方法,对^143Pm的高自旋态核结构进行了研究,测量了γ射线单谱和γ－γ符合谱,并进行了γ射线各向异性以及DCO比率分析,建立了激发高能达10535．4keV的能级纲图,其中包括新发现的32条γ射线和17个新能级,用弱耦合模型对^143Pm的晕态能级结构进行了解释。