H^＋13团簇的正二十面体中心结构与能量的理论计算

本文利用单电子在两氢原子核间的电子瞬时共振形成单电子键的物理模型来划分通道，将改进的排列通道量子力学方法推广应用于Ｈ＾＋１３的正二十面体中心结构与能量的理论计算。结果发现，当中心与周围顶角间距Ｒ０＝２．００ａ０时，总能量有一极小值－６．７０４ｈ．ａ．ｕ．表明Ｈ＾＋１３的正二十面体中心结构是稳定存在的，与实验一致。此外，Ｈ１３团簇电离时体积要发生膨胀，大约膨胀到原来的１．５倍。     

用单中心球对称波函数计算H9^—团簇体心立方结构的能量曲线

选用类Ｎｅ原子解析波函数，在单中心球模型近似下，计算了Ｈ－９团簇体心立方结构的能量曲线。结果表明当中心Ｈ原子核到顶角Ｈ原子核之间的距离Ｒ＝１．６３ａ０时，体系能量有一极小值－５．３７８４ｈ．ａ．ｕ．。这表明Ｈ－９的体心立方结构是可能稳定存在的。计算结果与过去用ＭＡＣＱＭ法算得的结果基本相符，表明提出的物理模型与计算方法是合理的。     

面心立方的金属氢结构与能量的全量子力学计算

本文利用电子瞬时配对形成未饱和共价键的物理模型来划分通道，将改进的排列通道量子力学方法推广应用于面心立方的金属氢结构与能量的理论计算。结果发现，当中心原子与周围顶角间距Ｒ０＝１．７０ａ０时，总能量有一级小值－７．７５４（ｈ．ａ．ｕ．），表明金属氢的面心立方结构是稳定存在的，从而通过定量理论计算验证了金属氢高压合成机理的合理性。     

H5^＋团簇的正方形中心和正四面体中心结构与能量的理论计算

利用单电子在两氢原子核间瞬时共振形成单电子键的物理模型和改进的排列通道量子力学方法分别对Ｈ５＾＋团簇的正方形中心和正四面体中心结构与能量进行了研究和计算，结果表明，对正方形中心结构，当中心到顶角的距离为Ｒｏ－２．１０ａｏ时，总能量有一极小值Ｅｏ＝－２．１８２４ｈ．ａ．ｕ；对正四面体中心结构，当中心到顶角的距离为Ｒｏ＝２．００ａｏ时，，总能量有一极小值Ｅｏ＝－２．２１０６（ｈ．ａ．ｕ），说明这两种结     

H_n~ 团簇形成的氏理论与结构计算

对于Ｈ＋ｎ的形成，艹勾清泉教授指出，可先以Ｈ＋离子为中心，瞬时地分别与周围（ｎ－１）个Ｈ原子相互作用，形成中心氢核同周围氢核间的（ｎ－１）个瞬时单电子键，这些单电子键围绕中心转动共振，从而使Ｈ＋吸引周围（ｎ－１）个Ｈ原子形成Ｈ＋ｎ团簇。对采用此模型计算的Ｈ＋ｎ（ｎ＝５，７，９，１３）的正多面体中心结构结果，作了规律性的总结，获得了对Ｈ＋ｎ团簇结构的进一步认识     

H4^＋团簇离子两种结构的能量曲线计算

此文认为在一定的条件下,Ｈ４＾＋团簇可能由一个氢核与三个氢原子相互作用而形成对称性较高的平面正三角形中心结构或正四面体结构。用ＭＡＣＱＭ方法,本文计算了这两种构型的能量曲线。结果表明：平面正三角形中心结构在中心原子核与顶角原子核间距离为２．１９ａ０时,体系出现能量极小值－１．６４８４ａ．ｕ．;正四面体结构在核间距为１．９２ａ０时,体系有一能量极小值－１．７７７７ａ．ｕ．。这说明Ｈ４＾＋的这两种结构     

用类氧原子波函数计算H7^—团簇正八体中心结构的能量曲线

选用类氧原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了Ｈ７＾－团簇正八面体中心结构的能量曲线。结果表明,当中心Ｈ原子核能顶角Ｈ原子核之间的距离Ｒ＝１．５８ａ０时,体系能量有一极小值－４．０８９９４５３ｈ．ａ．ｕ．。这表明Ｈ７的正八面体中心结构是可能稳定存在的。计算结果与用ＭＡＣＱＭ法计算的结果基本相符,表明提出的物理模型及其计算方法是合理的。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs／InGaAs／GaAs结构中的费密…

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光致发光光谱研究的实验结果，除了观察到ｎ＝１电子子带到ｍ＝１重空穴子带，ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带间的强发光峰，还观察到了ｎ＝１电子子带到ｎ＝１轻空穴子带的弱发光峰，通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置，在这种δ掺杂的ＨＥＭＴｓ的系统中观察了费密边奇异性，并把它归结为费密海与费密边附近未     

H7正八面体中心结构的能量计算

根据电子瞬时配对的平均效果形成未饱和共价健的物理模型来划分通道，采用改进和推广了的排列通道量子力学方法，本文计算了Ｈ７正八面体中心结构的能量曲线。当中心原子到正八面体顶角原子之间的距离Ｒ等于１．５２ａ０时，体系有一能量极小值－３．９１６ａ．ｕ．。     

用类O原子波函数对H+9团簇的体心立方结构与能量的研究

在单中心球模型近似下,选用类O原子解析函数,用变分法计算了H+9团簇体心立方结构与能量。结果表明当中心氢原子核到顶角氢原子核之间的距离R=1.97a0时,体系能量有一极小值E=-4.376h0(a0=0.529177×10-10m,h0=27.2eV)。这表明H+9团簇的体心立方结构是稳定的结构,H+9团簇是存在的。     

H_5~-团簇正四面体中心结构与能量的变分计算

选用类Ｃ原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了Ｈ－５团簇正四面体中心结构与能量。结果表明当中心Ｈ原子核到顶角Ｈ原子核之间的距离Ｒ＝１．５８ａ０时,体系能量有一极小值－２．８０３６ｈ．ａ．ｕ．。这表明Ｈ－５的正四面体中心结构是可能稳定存在的。计算结果与用ＭＡＣＱＭ法计算的结果基本相符,表明采用的物理模型及其计算方法是合理可靠的。     

H5^—团族正四面体中心结构与能量的变分计算

选用类Ｃ原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了Ｈ５＾－团簇正四面体中心结构与能量。结果表明当中心Ｈ原子核到顶角Ｈ原子核之间的距离Ｒ＝１．５８ａ０时,体系能量有一极小值－２．８０３６ｈ．ａ．ｕ．。这表明Ｈ５＾－的正四面体中心结构是可能稳定存在的。计算结果与用ＭＡＣＱＭ法计算的结果基本相符,表明采用的物理模型及其计算方法是合理可靠的。     

H^—5的正四面体中心和正方形中心构型能量的理论计算

文中用ＭＡＣＱＭ（ｍｏｄｉｆｉｅｄａｒａｎｇｅｍｅｎｔｃｈａｎｎｅｌｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎｉｃｓ）方法计算了负离子团簇Ｈ－５的正四面体中心和正方形中心构型的能量随中心原子核到顶角原子核间距离Ｒ变化的曲线。计算得知，两种构型均在Ｒ＝１．５５ａ０时有能量极小值Ｅ正四面体中心＝－２．７８９９ａ．ｕ．，Ｅ正方形中心＝－２．７５３９ａ．ｕ．。说明Ｈ－５的这两种结构都可能存在，但正四面体中心结构较为稳定。     

H7^—正八面体中心结构能量曲线的MACQM计算

采用改进了的排列通道量子力学（ｍｏｄｉｆｉｅｄａｒａｎｇｅｍｅｎｔｃｈａｎｎｅｌｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎ－ｉｃｓ，简称ＭＡＣＱＭ）方法，计算了Ｈ－７正八面体中心结构的能量曲线。当中心原子核到顶角原子核的间距Ｒ为１．５０ａ０时，体系能量有一极小值－４．０３５２ａ．ｕ．。这表明Ｈ－７的正八面体中心结构是可能稳定存在的。     

四氯合铜酸苯铵盐的结构及其红外与拉曼光谱研究

制备了四氯四铜酸苯铵盐（Ｃ６Ｈ５ＮＨ３）２ＣｕＣｌ４单晶，Ｍｒ＝１８７．２６，由四园衍射数据确定了晶体结构，晶体属单斜晶系，空间群Ｐ２１／ａ，ａ＝０．７１８４（１），ｂ＝０．７４４８（２），ｃ＝１．５０７０（４）ｎｍ，β＝１００．６７（２）°，Ｖ＝０．７９２４ｎｍ＾３，Ｚ＝２，Ｄｘ＝１．６５０ｇｃｍ＾－３，（Ｍｏ，Ｋａ）＝０．０７１０６９ｎｍ，μ＝４．０５６ｍｍ＾－１，Ｆ（０００）＝３８９，Ｒ＝０     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

H^＋n团族形成的Guo氏理论与结构计算

对于Ｈ＾＋ｎ的形成，Ｇｕｏ清泉教授指出，可先以Ｈ＾＝离了为中心瞬时地分别与周转个Ｈ原子相互作用，形成中心氢核同周围氢核间的（ｎ－１）个瞬时单电子键，这些单民子键围绕中心转动共振，从而使Ｈ＾＋吸引周围（ｎ－１）个Ｈ原子形成Ｈ＾＋ｎ团簇。     

Co1-xMnx合金电子结构和磁性的理论研究

Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎｘ 合金的磁性强烈地依赖于其结构以及Ｍｎ 的相对含量．从第一性原理出发,用线性缀加平面波（ＬＡＰＷ） 方法,分别计算了ｘ ＝ ０００ ,０２５ ,０５０ ,０７５ ,１００ 的情况下,面心立方（ｆｃｃ） 和体心立方（ｂｃｃ） 结构的Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎ ｘ 合金的电子结构和基态磁性．随ｘ 的增大,ｆｃｃ 结构的Ｃｏ１－ ｘＭｎ ｘ 合金的磁性从铁磁性和亚铁磁性变为反铁磁性;ｂｃｃ 结构Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎｘ 合金从铁磁性减弱到亚铁磁性．较好地解释了有关Ｃｏ１ － ｘ Ｍｎ ｘ 合金的结构和磁性关联的实验结果     

用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表…

用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６°     

W^71＋离子态—态双电子复合速度系数的计算

基于Ｃｏｗａｎ相对论多组态ＨＦＲ程序，计算了高离化类锂钨离子在０．１－９ｋｅＶ能量范围内，对应于Δｎ＝０．１的态－态双电子复合速率系数。讨论了速率系数随电子温度，复合类型及中间双激发态中俘获电子的主量子数的变化。