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| 用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表… | |
| 引用本文： | 王颖峤,蓝田.用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表…[J].原子与分子物理学报,1995,12(2):207-212. |
| 作者姓名： | 王颖峤 蓝田 |
| 摘 要： | 用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６° |
| 关 键 词： | ⅢA－VA化合物 {110}表面 吸附 锑 铋 LEED谱 |
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