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用一维能带理论计算了清洁Ａｇ（１１１），Ａｇ（１１０）和Ａｇ（００１）表面的弛豫。计算结果显示出，当ｄ１＝２．６４０（膨胀４．２％）和ｄ２＝２．９２０（膨胀２３．８％）〔对ｎｇ（１１１）〕；ｄ１＝１．３７５±０．００８（收缩４．８％±０．００８）［对Ａｇ（１１０）」；ｄ１＝２．０４８±０．００５（膨胀０．２４％±０．００５）［对Ａｇ（００１）〕时，理论计算的ＬＥＥＤ谱与实验非常一致。 相似文献
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用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６° 相似文献
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