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我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77K,0T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc (77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2. 相似文献
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我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8K,Jc(77K,0T)达到2.6MA/cm^2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm^2. 相似文献
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我们研究了T1-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有Ce02/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,T1-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明。T1-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的T1-2212薄膜的Tc达到102.8K,J,(77K,0T)达到2.6MA/cm^2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm^2. 相似文献
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在蓝宝石基片上,以CeO2为缓冲层制备了高质量的双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的CeO2缓冲薄膜,并对CeO2薄膜进行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的Tl-2212超导薄膜。XRD测试显示,薄膜为纯的Tl-2212相,且其晶格c轴垂直于衬底表面。超导薄膜的Tc为106K,Jc(77K,0T)为3.5MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)为390μΩ。 相似文献
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研究了MgO基片在高温退火时表面形貌和表面结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响。原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1100℃温度下退火,MgO的表面首先由未退火时的皱褶形貌,演化为光滑表面,随着退火时间的延长,表面形貌最终演化为具有光滑基底的独立生长峰结构。XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高MgO基片表面结晶的完整性。在1100℃温度下热处理8小时的MgO基片上可以生长出具有高度c轴取向的CeO2(001)缓冲层。然后在此缓冲层上制备了厚度为500nm的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)达到108.6K,液氮温度下临界电流密度(Jc)为2.8mA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为360.9μΩ。 相似文献
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2英寸双面Tl-2212超导薄膜 总被引:3,自引:2,他引:1
我们采用磁控离子溅射和后热处理的方法,在LaAlO3(001)单晶衬底上制作了2英寸直径的双面Tl-2212超导薄膜.薄膜的表面均匀,结构致密.X-光θ-2θ测试表明,薄膜具有很纯的Tl-2212超导相,并具有c-轴垂直于膜面的织构.电磁测试结果表明,薄膜的超导电性均匀,临界温度Tc大于100K,临界电流密度Jc(77K,0T)约1×106A/cm2, 微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约0.5mΩ. 相似文献
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研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ. 相似文献
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本文采用磁控溅射和快速升温烧结方法在(00l)取向的铝酸镧(LAO)基片上制备Tl-2223超导薄膜,研究了Tl含量不同的陪烧靶对Tl-2223薄膜晶体结构的影响。XRD测试表明,陪烧靶中Tl含量是制备高质量Tl系薄膜的关键环节,采用合适配比的陪烧靶可制备出纯c轴取向Tl-2223超导薄膜。SEM测试结果表明,采用该工艺制备的薄膜为层状生长结构,其表面形貌平整、致密。经过在氧环境下热处理后的Tl-2223薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度Tc达到118K,临界电流密度Jc为1.2MA/cm2(77K,0T)。 相似文献
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Deposition and characterization of YBCO/CeO2/YSZ/CeO2 multilayers on biaxially textured Ni substrates 下载免费PDF全文
CeO2/YSZ/CeO2 buffer layers were deposited on biaxially textured Ni substrates by pulsed laser deposition. The influence of the processing parameters on the texture development of the seed layer CeO2 was investigated. Epitaxial films of YBCO were then grown in situ on the CeO2/YSZ (yttria-stabilized ZrO2)/CeO2-buffered Ni substrates. The resulting YBCO conductors exhibited self-fleld critical current density Jc of more than 1 MA/cm^2 at 77K and superconducting transition temperature Tc of about 91K. 相似文献
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A new improved two-step method in fabricating Tl_2Ba_2 CaCu_2O_8(Tl-2212) thin films is presented in this paper. In the first process of dc magnetron sputtering, the thallium content in the precursor film is largely increased by adjusting the ratio of thallium in the sputtering targets. After the second annealing process in the absence of additional thallium pellets or powder source, high-quality Tl-2212 thin films can be obtained. The proper content of thallium in the precursor film provides a relatively stable atmosphere to guarantee the growth of Tl-2212 film. This method avoids the repeated production of the thallium pellets in the post-annealing process, the repeatability and controllability of the experiment are greatly improved. X-ray diffraction(XRD) scans show that all of the sharp peaks of the sample films can be assigned to the(00 l) peaks of Tl-2212 phase. The highest superconducting critical temperature(Tc) of the films is 105 K and the critical current density(Jc) can achieve 1.93 MA/cm2 in zero magnetic field at 77 K for a 600 nm film. 相似文献
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报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)薄膜超导特性的影响.XPS和AFM测试结果表明,采用原位双温工艺法制备缓冲层,具有工艺简单,薄膜表面光滑,衬底材料原子扩散量少等特点.在先驱膜的高温后退火过程中,40 nm厚的CeO2薄膜就能有效地阻挡衬底材料对超导薄膜底层的扩散.随后制备厚度为530 nm的Tl-2212
关键词:
Tl-2212超导薄膜
蓝宝石
氧化铈缓冲层
原位双温工艺法 相似文献
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