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专业分类

物理学

2篇

出版年

2005年

2篇

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Ni基带上的氧化物过渡层制备

陶伯万吴键陈寅熊杰李言荣《低温物理学报》2005,27(Z1):732-737

本文采用溅射沉积方法在双轴织构的Ni-W5%基带上制备了CeO2和Y2O3薄膜.研究表明CeO2薄膜在Ni基带上的外延方式受生长速率、生长温度的控制.在快速沉积情况下,CeO2薄膜为(111)取向,在沉积速率较低时,以(00l)取向为主.CeO2薄膜沉积过程中,可以有效避免Ni的氧化.在Y2O3的沉积过程中,Ni基带的氧化不可避免,但其氧化物也有良好的取向. 相似文献

Ni基带上的氧化物过渡层制备

陶伯万吴键陈寅熊杰李言荣《低温物理学报》2005,27(1):732-737

本文采用溅射沉积方法在双轴织构的Ni—W5％基带上制备了CeO2和Y2O3薄膜．研究表明CeO2薄膜在Ni基带上的外延方式受生长速率、生长温度的控制．在快速沉积情况下，CeO2薄膜为（111）取向，在沉积速率较低时，以（001）取向为主．CeO2薄膜沉积过程中，可以有效避免Ni的氧化．在Y2O3的沉积过程中，Ni基带的氧化不可避免，但其氧化物也有良好的取向．相似文献