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等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种廉价高效、非视线的技术.采用等离子体粒子模型,通过假设电子密度服从Boltzmann分布,求解Poisson方程和Newton方程,跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析,研究了不同上升速率和形状的6种波形上升沿对鞘层时空演化、离子注入能量和剂量的影响.结果表明,在PIII过程中,脉冲上升沿影响了等离子体鞘层的扩展,且不同波形诱导的鞘层厚度间存在最大差值.电场强度在鞘层的外边缘区域存在陡降区,离子的运动为非匀加速过程.可以通过调整脉冲
关键词:
等离子体浸没离子注入
鞘层
粒子模型
上升沿 相似文献
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采用三维粒子模拟/蒙特卡洛模型自洽地模拟了增强辉光放电等离子体离子注入过程中离子产生和注入,获得了放电空间的离子总数、电势分布、等离子体密度分布和离子入射剂量等信息.模拟结果表明,5μs时鞘层达到稳定扩展,15μs时离子的产生与注入达到平衡,证实了增强辉光放电等离子体离子注入能在一定条件下实现白持的辉光放电.注入过程中,在点状阳极正下方存在一个高密度的等离子体区域,证实了电子聚焦效应.除靶台边缘外,离子的注入速率稳定且入射剂量均匀.脉冲负偏压提高时注入速率增加但入射剂量的均匀性变差. 相似文献
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聚合物导电性能差, 表面电荷积聚所产生的电容效应致使其表面电位衰减, 采用等离子体浸没离子注入对其表面改性是非常困难的. 建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的粒子模拟(PIC)模型, 实时跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析. 并基于PIC模型, 将聚合物表面的二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联, 研究了聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数等物理量对鞘层演化、离子注入能量和剂量的影响规律. 研究结果表明: 当聚合物厚度小于200 μ m, 相对介电常数大于7, 二次电子发射系数小于0.5时, 离子注入剂量和高能离子所占的份额与导体离子注入情况相当. 通过对聚合物表面离子注入剂量和高能离子所占份额的研究, 为绝缘材料和半导体材料表面等离子体浸没离子注入的实现提供了理论和实验依据. 相似文献
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利用两维particle-in-cell方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律. 详尽考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态,得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律,获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律. 研究结果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象,以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布存在很大不均匀的基本物理规律.
关键词:
等离子体源离子注入
鞘层
两维particle-in-cell方法
离子运动轨迹 相似文献
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等离子体源离子注入过程中,鞘层的演化规律直接影响到离子注入到材料中的深度进而影响材料表面的性质和结构,对材料的不同部位这种影响是不同的.利用无碰撞两维流体动力学模型,研究了有限上升时间的电压脉冲作用下,共轴放置附加零电极的半无限空心圆管端点附近等离子体源离子注入过程中,鞘层的时空演化规律.通过计算得到了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布,计算了端点附近材料表面处的离子流密度分布和注入剂量分布随时间的变化规律.计算机模拟结果显示了空心圆管内部、外部及端点表面处的离子流密度分布和注入剂量分布存在很大差异. 相似文献
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利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入(PIII)过程进行了数值模拟,对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响,对滚珠在靶台上摆放的最小距离进行了数值计算,计算结果表明:在电压为-40kV, 氮等离子体密度为4.8×109 cm-3,脉冲宽度为10μs时,滚珠摆放的最小距离应大于34.18cm。分析了滚珠圆周方向注入剂量的分布情况,针对静止滚珠改性处理后剂量分布很不均匀的问题,通过旋转靶台使滚珠注入均匀性明显得到改善。利用朗谬尔探针测量了滚珠周围鞘层扩展的情况测量,模拟结果和实验测量结果相吻合,最大相对误差小于8.4 %。 相似文献
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基于MATLAB利用Particle-in-cell模型,对梯形管内壁等离子体离子注入过程,进行了二维数值模拟.计算结果表明在中心电极附近出现了"阳极鞘层",该鞘层内部不存在离子,而且在鞘层边缘离子密度最高.在上下管壁上的离子注入剂量呈现"m"形分布.通过对注入过程中等离子体密度分布和不同时间段管壁不同位置离子注入剂量的跟踪,发现"阳极鞘层"扩展行为是导致"m"形分布的原因.由于梯形管形状的不对称性,"阳极鞘层"的边缘向梯形长底方向扩展较快.在注入初始时刻离子注入的能量很低,随着时间延长离子能量逐渐升高,这是由离子初始位置决定的.可见梯形管自身形状决定了鞘层形状和最终的离子注入能量和剂量分布. 相似文献
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本文建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的动力学Particle-in-cell(PIC)模型, 将二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联, 研究了非导电聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数对表面偏压电位的影响规律以及栅网诱导效应. 研究结果表明: 非导电聚合物较厚时, 表面自偏压难以实现全方位离子注入, 栅网诱导可以间接为非导电聚合物提供偏压, 并抑制二次电子发射, 为厚大非导电聚合物表面等离子体浸没离子注入提供了有效途径. 相似文献
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Qin S. Chan C. 《IEEE transactions on plasma science. IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society》1992,20(5):569-571
A collisional model that describes the response of a microwave multipolar bucket plasma to a high-voltage pulse with finite risetime has been developed for plasma immersion ion implantation (PIII). The agreement between this model and the measurements of the sheath position and target current in a 100 mtorr helium plasma is found to be much improved when the risetime of the pulse and the ion energy distribution during the PIII process is considered 相似文献
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Zhaoming Zheng Chu P.K. Xiubo Tian Baoyin Tang Dixon Tat-Kun Kwok 《IEEE transactions on plasma science. IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society》2000,28(2):394-402
Plasma immersion ion implantation (PIII) is an effective technique to improve the surface properties of industrial components possessing an irregular shape, such as ball bearings used in the aerospace industry. The implant uniformity and efficiency along both the inner and outer races of a ball bearing assembly is investigated experimentally and theoretically. We study the sample placement as well as different PIII processing conditions. The use of a three-dimensional (3-D) model to investigate the influence of the sample stage on the implantation efficiency and dose uniformity is described. Based on the experimental results, under typical PIII conditions, the dose variation along the outward-facing groove of the inner ring of the ball bearing assembly is 60%, whereas that along the inward-facing groove of the outer ring is 51%. By using a shorter pulsewidth and higher plasma density, the nonuniformity is improved to about 35%, which is acceptable to the aerospace industry. The experimental observations are in agreement with simulation results, and the improvement can be attributed to the better conformability of the plasma sheath to the race surface. Our results demonstrate the viability of PIII to enhance the surface properties of both the inner and outer rings of industrial ball bearings 相似文献
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Rossi J.O. Ueda M. Barroso J.J. Spassov V.A. 《IEEE transactions on plasma science. IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society》2000,28(5):1392-1396
This paper describes an experiment and modeling in plasma immersion ion implantation using a high-voltage pulsed power system. This consists of a high-voltage pulse generator that uses a hard tube switch. The reason for using this type of circuit category in the Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) facility rather than a previously used pulse-forming network (PFN) circuit configuration is stated. The experimental results of the application of this device to a glow discharge PIII are also discussed. In order to assess these results, a simple electrical model describes the plasma as a resistive load in parallel with a capacitance taking into account the pulse rise-time distortion caused by a long connecting coaxial cable. Plasma parameters for PIII processing, such as ion average implantation current and plasma sheath thickness, are calculated from the experimental settings 相似文献