Bi2Sr2CaCu2O8单晶的穿透深度研究

从Bi2Sr2CaCu2O8(Bi-2212)单晶临界温度下的可逆磁化强度数据中,考虑高温超导混合态涡旋线涨落对磁化强度的影响,得到穿透深度λab(T,H)的温度和磁场依赖关系.发现在温度远低于Tc时λab与温度存在T2关系.λab随磁场的增加而增加,且绝对零度下的穿透深度λab(0,H)随磁场H的变化符合经验式λab(0,H)=λ0[1+(H/H0)β] ,这里λ0、H0和β为常数.     

核磁共振在测量磁场中的应用

一、核磁共振测量磁场的原理 在磁场的精密测量中,核磁共振法是一种精度最高、量程最宽、探头不大的好方法[1].它是以核磁共振理论与实验技术做为基础[2-4].核磁共振条件为 f=(γ/2π)H0(1)对于某种特定的原子核来说,γ是一个常数.因此,核磁共振频率f与静磁场强度H0是成正比的线性关系.只要测出f的数值,即可得出H0的数值,这样可以把对磁场强度的测量转变为对电磁波频率的测量,从而提高了测量精度. 目前核磁共振测磁法中常用的原子核是氢(H1),锂(Li7),氖(H2).根据它们的γ值[5]得出H0与f的关系为 H0(氢)=0.23487(G/kHz)f(kHz), H0(锂)=0…     

稀土邻菲咯啉双核配合物的光谱研究

合成了 Yx Eu1-x(phen) 2 Cl3· n H2 O、Tbx Eu1-x(phen) 2 Cl3· n H2 O(x=0、0 .2 5、0 .5 0、0 .75 )固体配合物 ,并测定了红外光谱、荧光发射光谱 ,讨论了配合物的组成与发光特性     

聚乙二醇800-PVP双水相体系萃取荧光测定阿司匹林肠溶片中水杨酸

研究了聚乙二醇 80 0 - PVP30 0 0 0 - (NH4) 2 SO4- H2 O双水相体系最佳分相条件以及溶液 p H、缓冲体系、分相盐 (NH4) 2 SO4用量等对水杨酸萃取率的影响。结果表明 ,分相盐量为 2 .0 g,在 p H6 .0 B.R.缓冲体系中水杨酸平均萃取率为 95 .0 %。该体系用于萃取荧光测定阿司匹林肠溶片中水杨酸含量 ,加标平均回收率为 94 .7%— 95 .0 %。     

二阶导数荧光分光光度法同时测定色氨酸和酷氨酸

本文描述了用二阶导数荧光光度法同时测定色氨酸和酪氨酸。在 p H 7.4的条件下 ,用 2 2 1nm作为激发波长 ,记录色氨酸和酪氨酸的发射光谱 ,并进行二阶导数处理。色氨酸在 318nm处 ,酪氨酸在 2 83nm处 ,二阶导数峰高与浓度成线性关系。色氨酸工作曲线的线性回归方程为 c =0 .0 0 0 7H - 0 .0 0 4,r =0 .996 4,线性范围为 0 .0 0 4到 0 .2 0 0μg . m L- 1 。酪氨酸工作曲线的线性回归方程为 c =0 .0 0 12 H -0 .0 0 40 ,r=0 .9971。线性范围为 0 .0 0 2到 0 .2 5 0 μg· m L- 1 。实验了 p H、温度和干扰离子对测定的影响 ,测定了苹果中的色氨酸和酪氨酸的含量 ,回收率分别为 (92 .0～ 10 4.0 ) %和 (98.70～ 10 2 .0 ) % ,相对标准偏差分别为 3.5 %和 2 .8%。     

RRKM理论研究N(4S)+CH2X(X=F,Cl)的反应通道

采用RRKM理论和疏松过渡态模型计算了N(4S) +CH2 X(X =F ,Cl)反应的微正则速率常数和通道分支比 .计算结果表明 ,在较低的内能下 (E =2 80 .2 9kJ/mol) ,N(4S) +CH2 F的主要产物为NCHF +H ,占总产物的5 9.2 % ,次要产物为H2 CN +F ,占 37.4 % .而N(4S) +CH2 Cl反应在E =2 6 7.78kJ/mol时 ,主要产物是H2 CN +Cl,占 90 .3% ,NCHCl+H只占 9.0 % .在内能较高的时候 (取E =5 0 0 .0 0kJ/mol) ,N(4S) +CH2 F的主要通道并未变化 ,而N(4S) +CH2 Cl的主要通道变为NCHCl+H ,比例为 5 1.5 % ,H2 CN +Cl的比例降到 4 0 .4 % .     

60kV离子源引出与加速系统的数值模拟

对 6 0kV、70A、2s离子源的四电极引出 加速系统进行了数值模拟。利用数值计算结果对系统进行了优化。在离子流密度为 0 2 4A·cm- 2 (束中H+ 1∶H+ 2 ∶H+ 3=0 .7∶0 .2∶0 .1)和离子源等离子体离子温度为 1eV时 ,由系统栅缝出射的束最大散角小于 1o。     

氢分子振动态与铯分子基态碰撞中转动-振动能量转移

利用受激拉曼泵浦将H2激发到v=1,J=3态,研究了H2(1, 3)态与Cs2分子碰撞(1, 3)态的弛豫及Cs2(X1+g)振动态的激发过程。利用相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)检测H2的振转态分布,由CARS峰值得到密度比[H2(1, 3)]/[H2(0, 3)]和[H2(1, 1)]/[H2(1, 3)],由H2(v=0)振转态的Boltzmann分布确定H2(0, 3)的密度,由此得到[H2(1, 3)]和[H2(1, 1)]态的密度。激光诱导荧光光谱(LIF)确定被碰撞激发的Cs2(X1+g, v=11-15)各态。利用单模半导体激光作瞬时光吸收,对于v= 11, 12, 13, 14和15,积分吸收系数(单位：106cm-1s-1)分别是6.5,7.9,7.0,6.1和4.7,结合H2(1, 3)的密度,得到H2(1, 3)Cs2(X1+g, v)的转移速率系数,对于v=11-15,分别是(单位：10-13cm-1s-1)1. 40. 6,1.70. 7,1.50. 6,1.30.5和1.00. 4。利用吸收线Doppler增宽测量分别得到了Cs2(X1+g, v=11-15)的平动能。     

激发态H2(X1∑+g,v=1,J=1)之间的碰撞能量合并

受激拉曼激发H2(0,1)基态的Q支得到H2(1,1)能级.在室温条件下,利用反斯托克斯拉曼散射(CARS)探测技术测量了碰撞能量合并(EP)过程H2(1,1)+H2(1,1)→H2(2,J)+H2(0,J″)及H2(1,1)与H2(1,J)转动能级间的碰撞转移速率系数.扫描CARS谱表明在H2(1,1)能级的碰撞能量...     

氢分子振动态与铯分子基态碰撞中转动-振动能量转移

利用受激拉曼泵浦将H2激发到v=1，J=3态，研究了H2(1, 3)态与Cs2分子碰撞(1, 3)态的弛豫及Cs2(X1+g)振动态的激发过程。利用相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)检测H2的振转态分布，由CARS峰值得到密度比[H2(1, 3)]/[H2(0, 3)]和[H2(1, 1)]/[H2(1, 3)]，由H2(v=0)振转态的Boltzmann分布确定H2(0, 3)的密度，由此得到[H2(1, 3)]和[H2(1, 1)]态的密度。激光诱导荧光光谱(LIF)确定被碰撞激发的Cs2(X1+g, v=11-15)各态。利用单模半导体激光作瞬时光吸收，对于v= 11, 12, 13, 14和15，积分吸收系数(单位：106cm-1s-1)分别是6.5，7.9，7.0，6.1和4.7，结合H2(1, 3)的密度，得到H2(1, 3)Cs2(X1+g, v)的转移速率系数，对于v=11-15，分别是(单位：10-13cm-1s-1)1. 40. 6，1.70. 7，1.50. 6，1.30.5和1.00. 4。利用吸收线Doppler增宽测量分别得到了Cs2(X1+g, v=11-15)的平动能。     

H2 的外场效应

本文计算H2从基态到激发态的跃迁矩阵元(μ)0n,振子强度f0n,自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1-6),还计算了在电场AE→U2=-72.0,-36.0,0.0,36.0和72.0 V/M下H2的行为.对进一步研究高分子材料的外场效应有参考价值.     

2H-Nb_(0.9)Ta_(0.1)Se_2中磁通涡旋输运的标度行为

测量了 2H Nb0 .9Ta0 .1 Se2 单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H) ,并从V(H)曲线得到V(I)数据 .使用标度关系V =α(I-Ic)β进行了拟合 ,得到了临界电流随磁场Ic(H)和微分电阻随磁场Rd 的变化关系 .在微分电阻随磁场变化的曲线中 ,电流较大时 ,靠近上临界磁场Hc2 附近出现一个强峰 ,而在低电流下 ,该峰消失 .同时在临界电流峰效应区的起始处出现一小峰 .实验结果表明掺Ta后 ,涡旋体系的动力学特性发生了显著的变化 .     

Field-dependent resistive transitions in YBa_2Cu_3O_(7-δ) thin films:Influence of the pseudogap on vortex dynamics

The nature of resistive transition of high-quality crystalline thin films of YBa2Cu3O7-δhas been studied under magnetic fields(H)applied along the c direction over a wide range of doped holes,p,in the Cu O2planes.The field-and temperature-dependent in-plane resistivity,ρab(T,H),has been analyzed within the thermally assisted flux-flow(TAFF)formalism.The flux activation energy,U(T,H),has been extracted from this analysis.The low-T part of theρab(T,H)data can be described by an activation energy having the functional form of U(T,H)=(1-t)m(H-0/H)β,where t=T/Tc(reduced temperature),and H0is a field scale that primarily determines the magnitude of U(T,H).The temperature exponent,m,shows a systematic variation with p,whereas the field exponent,β,is insensitive to the p values and is close to unity.The H0,on the other hand,changes rapidly as p is varied.U(T,H)is linked to the pinning potential and consequently on the superconducting condensation energy.Since the normal state pseudogap directly affects superconducting condensation energy,a clear correspondence between H0and the PG energy scale,εg,is found.Possible implications of these results are discussed.     

物理过程微机演示的基本方法(二)

(接上期)六、扫描-迭代法 在扫描-循迹法中,y是靠逐点试算,然后加以比较得出的.现在我们不采取逐点试算的操作,而是以y0为初值,用迭代操作求方程的近似根来定出y.这构成了一个新的生成系列点的方法──扫描-迭代法. 扫描操作为上节所述.在x轴方向直接有y轴方向如何用迭代操作定出y呢?从数学上讲,先将F(x,y)=0化为y=H(x,y)的形式,如果在待定的y附近总有H/y<1(注意,此处x为常参量)的话,那么用初值y=y0代入H求出y,再将此y值重新代入H再求出y,重复上述操作,如此迭代,最后y将收敛于F(x0+1,y)=0的根.迭代本身用赋值语句便可进行,收敛判据y—H(x…     

C2H4在Ru(10(1-)0)表面吸附与分解的研究

用X射线电子能谱(XPS)、热脱附谱(TDS)和紫外光电子能谱(UPS)方法研究了乙烯(C2H4)在Ru(10(1-)0)表面的吸附,在低温下(200K以下)乙稀(C2H4)可以在Ru(10(1-)0)表面上以分子状态稳定吸附,在200K以上乙烯(C2H4)则发生了脱氢分解反应.TDS结果表明乙烯(C2H4)分解后的主要产物为乙炔(C2H2).乙烯(C2H4)分解后C的1s能级向低结合能方向移动了0.3eV,而价态σCC和σCH轨道能级向高结合能方向分别移动了0.5和1.1eV.     

H+H2反应截面的全量子力学研究

利用全量子力学耦合通道扭曲波近似(CCDWA)方法和三种势能面计算了H+H2(vα=0,jα=0)→H2(vβ,jβ)+H碰撞的反应截面,并与准经典弹道计算结果及公认较好的计算结果作了比较.研究表明:在相同的势能面下利用CCDWA方法得到的截面和公认较好的计算结果符合很好,而准经典弹道计算的反应截面误差较大. 关键词： 反应散射 势能面 反应截面     

真空哈密顿约束对扩展knot态的作用计算

利用将代数约束展开的方法,计算了真空哈密顿约束(H0约束)对微分同胚不变的扩展knot态(φG)2,(φG)3,φGJ2的作用.结果表明,它们在H0约束下均具有非齐次性质.给出了态(φG)2非齐次性的消除方法 关键词：     

Ni/4H-SiC 肖特基势垒磁场下输运性质的分析

采用高真空电子束蒸发的方法将镍 (Ni)淀积在 4H SiC(0 0 0 1)面上 ,制备出良好的Ni/4H SiC肖特基接触 .研究了Ni/4H SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I -V特性 ,并以热电子发射理论为基础 ,结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni/4H SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算 ,发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系 ,和温度成反比关系 ,与实验结果基本符合     

垂直磁场中YBCO薄膜的磁通密度和电流密度分布

通过使用扩展后的Mikheenko等人提出的临界态模型,我们用数值计算方法找出了圆盘状超导薄膜在垂直外磁场中的磁通密度分布和电流密度分布.其中考虑到临界电流密度Jc会随外磁场Ha改变而变化,所以我们采用了Kim型表达式Jc(H)=J0/(1+(|H|/H0)n).计算出的初始磁化曲线和磁滞回线与YBCO薄膜的实验曲线（T=51～77K）符合得很好,说明这个方法在这段温区内比较成功.另外我们也得出并讨论了特征参数J0,H0随温度的变化关系.     

二正丁基锡三齿酰腙Schiff碱配合物的合成和红外光谱研究

合成了 4种三齿酰腙Schiff碱配体H2 L [H2 L1 :C6 H5C(O)NHN =CHC6 H4OH 2 ,H2 L2 :C6 H5C(O)NHN =CHC6 H3(OH) 2 2 ,4,H2 L3:NC5H4C(O)NHN =CHC6 H4OH 2 ,H2 L4:NC5H4C(O)NHN =CHC6 H3(OH) 2 2 ,4]和它们的二正丁基锡新型配合物 (n Bu) 2 SnL ,通过元素分析确定了这些配合物的组成 ,并对配合物在 4 0 0 0～ 40 0cm- 1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属和讨论 ,推测出配合物可能的分子结构。