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火焰原子吸收法测定夏枯草、桑叶、野菊花中十种微量元素 总被引:5,自引:1,他引:4
湿法消化样品 ,火焰原子吸收法测定三种草药中的 Mg、Ca、Zn、Mn、Co、Ni、Pb、Cd、Fe、Cu等 10种微量元素。回收率分别为 97.7%— 10 1.5 % ;96 .0 %— 10 5 .1% ;97.1%— 10 3.6 % ,相对标准偏差为 1.6 %—4 .5 % ;1.7%— 4 .7% ;1.7%— 4 .6 %。结果表明 ,三种草药均含有丰富的微量元素如 Mg、Ca、Zn、Mn、Fe、Cu等 ;为原料的开发和应用提供有效数据。 相似文献
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采用体积切割法分析研究了出口汽油硫含量在馏分中的分布。结果表明:窄馏分段每递增10%体积,馏出体积在10%—40%、50%—90%和90%—100%时的硫含量则平均增加0.91—1.33mg、7.51—12.89mg和68.18—170.47mg;馏出体积从10%增大到90%时各窄馏分硫含量数值渐次增大且数值变化较平缓;馏出体积为90%—100%时硫含量数值有明显突跃变化,该窄馏分段中硫含量占整个馏分油中硫含量的20.76%—27.95%;硫含量最大值在1.2%(V/V)残留量中。 相似文献
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X射线荧光光谱法同时快速测定多金属矿样品中的铜、铅、锌、钼、钨和硫等元素 总被引:1,自引:0,他引:1
粉末压片法制样,选用标准样品,以经验α系数和散射线内标法校正元素谱线重叠干扰和基体效应,使用ZSX Primus X射线荧光光谱仪对多金属矿样品中、低含量的铜、铅、锌、钼、钨和硫等元素同时进行快速测定,方法的测试范围为:Cu:0.0030%—5.00%;Pb:0.0050%—5.00%;Zn:0.010%—5.00%;Mo:0.0030%—1.50%;W:0.005%—2.00%;S:0.010%—10.00%。方法测定值与标准值、ICP-OES/MS、比色分析、红外碳硫分析数据基本吻合,可满足实验室对多种多金属矿石批量检测的要求。 相似文献
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氢化物发生原子荧光光谱法测定螺旋藻中无机硒和有机硒 总被引:2,自引:0,他引:2
螺旋藻试样经硝酸、高氯酸消解,原子荧光光谱法测定总硒含量;用水浸提螺旋藻试样,经环己烷萃取后,水相采用硝酸、高氯酸消解后,原子荧光光谱法测定无机硒含量,间接测定螺旋藻中有机硒含量。总硒测定精密度在1.05%—2.10%之间,加标回收率在96.6%—102.3%之间;无机硒的浸提率在95.1%—100.7%之间,测定精密度在2.37%—3.70%之间,加标回收率在93.6%—98.4%之间,检出限为0.47mg/kg,满足螺旋藻中有机硒含量的测定。 相似文献
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采用同一种前处理方法即硝酸和高氯酸消解处理烟草样品后,氢化物发生-原子荧光光谱法测定烟叶中砷、铅;原子吸收光谱法测定烟叶中镉。样品溶液介质为10%的盐酸,对7个样品平行3次重复实验,其相对标准偏差为砷:0.81%—4.96%、铅:2.82%—5.83%、镉:0.96%—4.60%,砷、铅、镉的检测线性范围分别为:0.0—120.0、0.0—60.Oμg·L-1和0.0—800.0μg·L-1,加标回收率:砷在94.5%—96.9%之间、铅在92.7%—101.6%之间、镉在102.2%—110.9%之间。 相似文献
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研究了氢氟酸酸溶法处理样品,直接用电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定高纯石英砂中硼、磷微量杂质元素。通过优化仪器参数,利用软件扣除背景等方法,成功的消除了基体效应。方法用于高纯石英砂中硼和磷的测定,同时对一个土壤标准物质进行了检测对照,实验结果显示,B和P校准曲线的线性关系好,回收率范围在93.33%—105.00%之间,相对标准偏差均小于1%,对照实验结果与标准参考值无显著性差异。方法具有分析速度快、准确度高、精密度好、检出限低的特点,适用于高纯石英砂等材料中B、P含量的同时测定。 相似文献
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H. Sauvageon 《Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei》1987,326(3):301-308
Cross sections of deep spallation products — from phosphorus to hafnium — formed in uranium by high energy protons (E p ? 10 GeV) have been calculated with a simple semi-empirical formula. The results are in excellent agreement with experimental data. 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xP x 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构 的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射 峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄 膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模
关键词:
1-xPx')" href="#">GaN1-xPx
金属有机物化学气相沉积
x射线衍射
拉曼光谱 相似文献
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研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔHpp为(40—42)×10-4T,ESR密度Nss为1017cm-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH关键词:
纳米硅薄膜
微结构
电子自旋共振 相似文献
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Silicon wafers were implanted in 〈111〉-direction with boron and phosphorus ions of 7 keV at room temperature. Doses between 1012 and 1018 ions/cm2 were applied. After successive annealing steps the electrical properties of the implanted layers have been determined by Hall effect and sheet resistivity measurements. The annealing characteristics of the implants depend on ion dose and species. Three annealing stages can be distinguished: (I) the temperature range below 500°C, (II) 500—700°C, (III) 700—900°C. After annealing at 90°C the apparent electrical yield is proportional to dose for all implants and amounts to approx. 80 per cent for boron and 40 per cent for phosphorus. Sheet resistivity vs. dose curves were derived for the annealing temperature of 400°C and used for the fabrication of position sensitive detectors. The position characteristics were found to be linear within ~1 per cent for resistive layers as long as 20 cm. 相似文献