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1.
光电效应实验测量得到的普朗克常量与公认普朗克常量值之间存在较大误差,本文通过一系列实验和数据分析,证明了光电效应实验中截止电压对应的光波长并不是滤色片标称的波长,而是小于滤色片标称的波长,是与光电管灵敏度相关的某一起始波长,即起始波长标称不准是误差的主要因素,并设计了相应的改进方案.  相似文献   
2.
根据教育部提倡推广的开放实验教学模式,开发并建立了具有排课选课功能、多媒体教学功能、考勤打分功能、信息发布功能和资产管理功能的开放实验管理系统。开放实验教学调动了学生的学习自主性,培养了学生的创新精神和创新能力,提高了物理实验教学质量,并实现从学校到学院到实验室的垂直管理,具有权限的使用者不分距离远近、不分时间段随时对一线正在使用的设备进行跟踪管理。  相似文献   
3.
In the present work,vertically aligned ZnO nanorod arrays with tunable size are successfully synthesized on nonseeded ITO glass substrates by a simple electrodeposition method.The effect of growth conditions on the phase,morphology,and orientation of the products are studied in detail by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),and transmission electron microscopy(TEM).It is observed that the as-prepared nanostructures exhibit a preferred orientation along c axis,and the size and density of the ZnO nanorod can be controlled by changing the concentration of ZnCl2.Field emission properties of the as-synthesized samples with different diameters are also studied,and the results show that the nanorod arrays with a smaller diameter and appropriate rod density exhibit better emission properties.The ZnO nanorod arrays show a potential application in field emitters.  相似文献   
4.
设计了一种基于半导体光放大器(SOA)和非线性光学环镜(NOLM)的光脉冲放大与压缩的模型。数值研究结果表明:在NOLM中,当调节合适的控制脉冲的输入和初始时延时,具有较低峰值功率、宽度为几十皮秒的高斯信号脉冲经此模型放大压缩后,可以得到脉冲峰值增益高、脉冲宽度窄以及基本无基座的高质量超短信号光脉冲。  相似文献   
5.
GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性   总被引:1,自引:1,他引:0  
对采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的GaN1-xPx三元合金进行了低温光致发光(PL)和X射线衍射(XRD)测试分析,与来自GaN层的带边发射相比,P的摩尔分数比为0.03,0.11和0.15的GaN1-xPx的光致发光峰分别呈现出了73meV,78meV和100meV的红移,文中将这种红移归因于GaN1-xPx合金具有大的带隙能量弯曲系数。X射线衍射结果表明GaN1-xPx三元合金仍为六方结构晶体,且随着P组份比的增加,GaN1-xPx合金的(0002)衍射峰逐渐向小角度方向移动,即晶格常量变大,同时,(0002)衍射峰谱线不断宽化,说明由于替位式P原子的不规则分布以及部分间隙P原子的影响造成了GaN1-xPx样品的晶格畸变。在GaN1-xPx的光致发光谱及X射线衍射谱中均未观测到相应的有关GaP的峰,表明所生长的高P含量的GaN1-xPx三元合金没有产生明显的相分离。  相似文献   
6.
用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al0.22Ga0.78N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在Al0.22Ga0.78N势垒层中会产生一个附加的平面拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应变将减小,对100nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,应变只是轻微地减小,但对于50nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,则出现了严重的应变弛豫现象.  相似文献   
7.
用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/ GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质 结,当测试温度高于523K时,Al0.22Ga0.78N势垒层开始出现应变 弛豫;钝化后,在Al0.22Ga0.78N势垒层中会产生一个附加的平面 拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应 变将减小,对100nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,应变只是轻微地减 小,但对于50nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,则出现了严重的应变 弛豫现象. 关键词: 0.22Ga0.78N/GaN异质结')" href="#">Al0.22Ga0.78N/GaN异质结 应变 3 N4钝化')" href="#">Si3 N4钝化 高温XRD  相似文献   
8.
用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xPx 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模式,将它们分别归因于P族团引起的准局部振动模式、Ga-P键振动引起的间隙模,以及来自缺陷引起的无序激活散射.同时,随着P组分比的增加,A1(LO)模式的频率向低频方向移动,这种红移现象起因于合金化和应变的影响.  相似文献   
9.
用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xP x 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构 的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射 峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄 膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模 关键词: 1-xPx')" href="#">GaN1-xPx 金属有机物化学气相沉积 x射线衍射 拉曼光谱  相似文献   
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