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ZnO nanorod arrays with tunable size and field emission properties on an ITO substrate achieved by an electrodeposition method 下载免费PDF全文
In the present work,vertically aligned ZnO nanorod arrays with tunable size are successfully synthesized on nonseeded ITO glass substrates by a simple electrodeposition method.The effect of growth conditions on the phase,morphology,and orientation of the products are studied in detail by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),and transmission electron microscopy(TEM).It is observed that the as-prepared nanostructures exhibit a preferred orientation along c axis,and the size and density of the ZnO nanorod can be controlled by changing the concentration of ZnCl2.Field emission properties of the as-synthesized samples with different diameters are also studied,and the results show that the nanorod arrays with a smaller diameter and appropriate rod density exhibit better emission properties.The ZnO nanorod arrays show a potential application in field emitters. 相似文献
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GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性 总被引:1,自引:1,他引:0
对采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的GaN1-xPx三元合金进行了低温光致发光(PL)和X射线衍射(XRD)测试分析,与来自GaN层的带边发射相比,P的摩尔分数比为0.03,0.11和0.15的GaN1-xPx的光致发光峰分别呈现出了73meV,78meV和100meV的红移,文中将这种红移归因于GaN1-xPx合金具有大的带隙能量弯曲系数。X射线衍射结果表明GaN1-xPx三元合金仍为六方结构晶体,且随着P组份比的增加,GaN1-xPx合金的(0002)衍射峰逐渐向小角度方向移动,即晶格常量变大,同时,(0002)衍射峰谱线不断宽化,说明由于替位式P原子的不规则分布以及部分间隙P原子的影响造成了GaN1-xPx样品的晶格畸变。在GaN1-xPx的光致发光谱及X射线衍射谱中均未观测到相应的有关GaP的峰,表明所生长的高P含量的GaN1-xPx三元合金没有产生明显的相分离。 相似文献
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用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al0.22Ga0.78N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在Al0.22Ga0.78N势垒层中会产生一个附加的平面拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应变将减小,对100nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,应变只是轻微地减小,但对于50nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,则出现了严重的应变弛豫现象. 相似文献
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用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/ GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质 结,当测试温度高于523K时,Al0.22Ga0.78N势垒层开始出现应变 弛豫;钝化后,在Al0.22Ga0.78N势垒层中会产生一个附加的平面 拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应 变将减小,对100nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,应变只是轻微地减 小,但对于50nm厚的Al0.22Ga0.78N势垒层,则出现了严重的应变 弛豫现象.
关键词:
0.22Ga0.78N/GaN异质结')" href="#">Al0.22Ga0.78N/GaN异质结
应变
3 N4钝化')" href="#">Si3 N4钝化
高温XRD 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xPx 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模式,将它们分别归因于P族团引起的准局部振动模式、Ga-P键振动引起的间隙模,以及来自缺陷引起的无序激活散射.同时,随着P组分比的增加,A1(LO)模式的频率向低频方向移动,这种红移现象起因于合金化和应变的影响. 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xP x 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构 的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射 峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄 膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模
关键词:
1-xPx')" href="#">GaN1-xPx
金属有机物化学气相沉积
x射线衍射
拉曼光谱 相似文献
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