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GaN1-xPx三元合金的光学与结构特性 总被引:1,自引:1,他引:0
对采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的GaN1-xPx三元合金进行了低温光致发光(PL)和X射线衍射(XRD)测试分析,与来自GaN层的带边发射相比,P的摩尔分数比为0.03,0.11和0.15的GaN1-xPx的光致发光峰分别呈现出了73meV,78meV和100meV的红移,文中将这种红移归因于GaN1-xPx合金具有大的带隙能量弯曲系数。X射线衍射结果表明GaN1-xPx三元合金仍为六方结构晶体,且随着P组份比的增加,GaN1-xPx合金的(0002)衍射峰逐渐向小角度方向移动,即晶格常量变大,同时,(0002)衍射峰谱线不断宽化,说明由于替位式P原子的不规则分布以及部分间隙P原子的影响造成了GaN1-xPx样品的晶格畸变。在GaN1-xPx的光致发光谱及X射线衍射谱中均未观测到相应的有关GaP的峰,表明所生长的高P含量的GaN1-xPx三元合金没有产生明显的相分离。 相似文献
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利用Al_AlN_Si(111) MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的 Si 基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态. 揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及A lN层中的分立陷阱中心. 结果指出:AlN层中存在E_t-E_v=2.55eV的分立陷阱中心;AlN_Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布,带中央态密度最低,N_ss为8×10^11eV^-1cm^-2,对应的时间常数τ为8×10^-4s ,俘获截面σn为1.58×10^-14cm^2;在AlN界面层存在三种陷阱 态,导致Al_AlN_Si异质结构积累区电容的频散.
关键词:
界面陷阱态
AlN-Si
电容-频率谱 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xPx 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模式,将它们分别归因于P族团引起的准局部振动模式、Ga-P键振动引起的间隙模,以及来自缺陷引起的无序激活散射.同时,随着P组分比的增加,A1(LO)模式的频率向低频方向移动,这种红移现象起因于合金化和应变的影响. 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xP x 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构 的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射 峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄 膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模
关键词:
1-xPx')" href="#">GaN1-xPx
金属有机物化学气相沉积
x射线衍射
拉曼光谱 相似文献
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