Kl3介子衰变

本文通过强作用K-π中间态,利用色散关系理论计算了Г(K_μ3⁺)/Г(K_α3⁺),Г(K₂⁰→πμ⁺ν)/Г(K₂⁰→πe⁺ν),{Г(K₂⁰→πe⁺ν)+Г(K₂⁰→πe^-ν)}/Г(K_α3⁺)分支比及K_μ3⁺衰变中的μ谱,当选择定则|ΔI|=1/2及ΔS=+ΔQ被破坏,并且I_z=1/2及I_z=3/2的振幅f^{3/2 1/2}(0)及f^{3/2 3/2}(0)不等时,上述分支比与实验能很好符合。在本文的理论中,形式因子不是常数。     

DsJ(2632)强衰变的研究

SELEX合作组发现的D_sJ(2632)引起了很多的讨论, 同时也带来了激烈的争论. 它的自旋宇称还没有最后确定, 如果它真的存在, 它的夸克结构可能是奇特的. 以前有的文献假定D_sJ(2632)是1^－的径向激发态, 我们假定它可能是夸克结构为qq,J^P为2⁺的基态或者0⁺D_sJ(2317)的第一径向激发态, 用Bethe-Salpeter方程重新计算了它的衰变宽度. 计算结果表明, 理论值和实验数据还是存在尖锐的矛盾.     

a2(1320)→π+π+π－过程的三体振幅分析

对a₂(1320)→π⁺π⁺π^－过程的衰变振幅进行张量分析,展示了如何得到三体衰变振幅.     

OCS+分子经由B2∑+←X2∏跃迁的光解离谱

制备出确定旋轨态的OCS⁺(X²∏)离子,在260～325 nm波长范围内研究了OCS^{+经由B2∑+←X2∏_3/2(000)和B2∑+←X2∏_1/2(000,001)跃迁的分质量光解离谱．由光解离谱得到OCS+(B2∑+)电子态的光谱常数υ1(CS stretch)=828.9(810.4) cm-1,υ2(bend)=491.3 cm-1和υ3(CO stretch)=1887.2 cm-1．在B2∑+←X2∏跃迁谱中只能观察到B2∑+(010)←X2∏_1/2(000)跃迁的谱峰, 而观察不到B2∑+←X2∏_3/2(000)跃迁的谱峰． 用X2∏电子态的(000)2∏_1/2和(010)2∑+_1/2电子振动能级之间的K耦合解释了这种B2∑+的υ2弯曲振动模的激发对X2∏电子态的旋轨分裂分量(Ω=1/2,3/2)的相关性}     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

23Al的β+延发质子测量

利用TOF-ΔE和0°注入探测器的方法,鉴别并测量了²³Al β⁺延发质子衰变能谱,通过精密脉冲发生器和计数器测得²³Al的半衰期T_1/2=(476±45)ms.实验中重现了能量为0.216,0.278,0.438,0.479MeV的低能衰变质子.另外,还观察到了一个新的β⁺延发衰变能级E_x=8.916MeV,并给出了它们的相对强度.     

N2O+离子A2Σ+电子态高振动能级的转动结构分析

利用一束波长为36055nm的激光，通过(3+1)共振多光子电离方法制备纯净的且处于X²Π_1/2，3/2(000)态的N₂O⁺离子，用另一束激光激发所制备的离子到第一电子激发态A²Σ⁺的不同振动能级，然后解离，通过检测解离碎片NO⁺强度随光解光波长的变化，得到了转动分辨的N₂     

AsO+同位素离子X2∑+和A2∏电子态的多参考组态相互作用方法研究

采用包含Davidson修正多参考组态相互作用(MRCI)方法结合价态范围内的最大相关一致基As/aug-cc-pV5Z和O/aug-cc-pV6Z, 计算了AsO⁺ (X²∑⁺)和AsO⁺(A²∏)的势能曲线. 利用AsO⁺离子的势能曲线在同位素质量修正的基础上, 拟合出了同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺和⁷⁵As¹⁸O⁺的两个电子态光谱常数. 对于X²∑⁺态的主要同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺, 其光谱常数R_e, ω_e, ω_ex_e, B_e和α_e分别为 0.15770 nm, 1091.07 cm^-1, 5.02017 cm^-1, 0.514826 cm^-1和0.003123 cm^-1; 对于A²∏态的主要同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺, 其T_e, R_e, ω_e, ω_ex_e, B_e和α_e分别为5.248 eV, 0.16982 nm, 776.848 cm^-1, 6.71941 cm^-1, 0.443385 cm^-1和0.003948 cm^-1. 这些数据与已有的实验结果均符合很好. 通过求解核运动的径向薛定谔方程, 找到了J=0时AsO⁺(X²∑⁺)和AsO⁺(A²∏)的前20个振动态. 对于每一振动态, 还分别计算了它的振动能级、转动惯量及离心畸变常数, 并进行了同位素质量修正, 得到各同位素离子的分子常数. 这些结果与已有的实验值非常一致. 本文对于同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺(X¹∑⁺), ⁷⁵As¹⁸O⁺(X¹∑⁺), ⁷⁵As¹⁶O⁺(A¹∏)和⁷⁵As¹⁶O⁺(A¹∏)的光谱常数和分子常数属首次报导.     

用动量为70亿电子伏/c和80亿电子伏/c的π-介子产生Ξ-超子

本文研究了用动量为68亿电子伏/c和80亿电子伏/c的刀π^-介子产生Ξ^-超子,得到了π^-介子的动量为68和80亿电子伏/c的Ξ^-产生的截面(当68亿电子伏/c时σ=3.6_-2.1^+2.5μδ/N,当80亿电子伏/c时σ=10.6_-3.2^+4.4μδ/N),Ξ^-的质量(M_Ξ^-=1317.0±2.2兆电子伏)和Ξ的寿命τ₀=3.5_-1.2^+3.4×10^-10秒。     

层子模型中的(1/2)+重子的电磁性质和△(1236)的光生电生现象

本文利用层子模型的计算方法和文献[2]中的重子波函数,对1/2⁺重子的电磁性质和△(1236)的光生电生现象进行了讨论。文中利用重子的Bethe-Salpeter(以下简写B-S)方程取标量耦合和梯形近似,得到重子波函数中的两个不变函数成正比的结果,在此基础上把G_M^p(q²),μ_p和μ_A作为输入,可以较好地解释μ_p G_E^p     

层子模型中重子的半轻子衰变和高能中微子反应

本文从层子模型的结构观点出发,应用文献[1]中的层子与轻子的弱相互作用等效哈密顿量和文献[2]中给出的(1/2)⁺重子波函数及文献[3]中定出的参数,对(1/2)⁺重子的半轻子衰变和高能中微子的弹性和准弹性反应进行了讨论。文中得到的(1/2)⁺重子的半轻子衰变的理论结果与实验符合较好;得到的ΔS=0过程的轴矢形状因子和ν_μ+n→p+μ^-过程的截面在误差范围内均与实验相符合;得到的ΔS=1过程的轴矢形状因子和ν_μ+p→Λ+μ⁺过程的截面与目前实验给出的粗略结果也是符合的。特别需要指出的是,本文在讨论反应问题时,理论中所包含的参数全部从电磁过程定出,在给出的轴矢形状因子和截面公式中没有引进新的参数。     

K+介子的三体轻子衰变

本文利用色散关系方法,假设普适V-A弱相互作用和奇异矢量流不守恒,从而对形状因子f₀,f₁的色散关系进行一次减去,计算了K_μ3⁺、K_e3⁺衰变中的π⁰能谱,K_μ3⁺衰变中的μ⁺能谱和μ⁺的纵向极化。计算中只考虑了K₁^*(m_*=888MeV)中间态对色散积分的贡献。参数σ取为+2.1的结果和实验在误差范围内相符合。放弃奇异矢量流部分守恒假设与实验符合的程度比保持这一假设要好一些。     

强子衰变过程J/ψ→ωπ+π－中的多道耦合

讨论了强子衰变过程J/ψ→ωπ⁺π^－包含的三个不同中间过程J/ψ→ωf₂(1270),f₂→π⁺π^－和J/ψ→b₁^±(1235)π⁺,b₁^±→ωπ^±的耦合问题.这种耦合效应的考虑对于精确测定共振态f₂和b₁^±的参数以及这些反应道的螺旋度振幅比是十分重要的.     

在193 nm关于Si2分子的离子解离动力学的成像研究

在193 nm的单色激光实验中,本文利用时间切片离子速度成像技术,研究了经193 nm双光子电离得到的Si₂⁺的解离反应动力学过程. 根据实验得到的Si⁺离子的速度成像,观测到了两种离子直接解离通道：Si(³P_g)+Si⁺(²P_u)和Si(¹D₂)+Si⁺(²P_u). 电子基态的Si₂分子处于v=0∽5的振动态上,其经过双光子电离后激发到Si₂⁺离子的多个电子激发态势能面,生成主要通道Si(³P_g)+Si⁺(²P_u),其中v=1的解离信号最强. 此外,由于势能曲线2²Π_g与3²Π_g相同对称性引起的避免性势能面交叉,生成次要反应通道Si(¹D₂)+Si⁺(²P_u). 通道Si(¹D₂)+Si⁺(²P_u)的产物亦可以由生成的基态Si₂⁺(X⁴Σ_g^-)吸收一个193 nm光子后解离得到,其对应产物则具有更大的动能.     

Ti+(CO2)2Ar和Ti+(CO2)n(n=3-7)络合物离子的红外光解离光谱 (cited: 1)

利用脉冲激光溅射-超声分子束载带方法制备了气相Ti⁺(CO₂)₂Ar和Ti⁺(CO₂)_n(n=3-7)络合物离子．采用红外光解离光谱研究了这些选定的质量离子的振动光谱． 对于每一种络合物离子, 在CO伸缩振动频率范围都观察到了振动峰,表明这些离子具有插入的OTi⁺CO(CO₂)_n-1结构． 对于n≦5的OTi⁺CO(CO₂)_n-1离子,其CO振动和CO₂的反对称伸缩振动频率都比自由的CO和CO₂的频率要高,表明CO和CO₂配体与中心金属离子之间主要是静电相互作用．实验结果还表明TiO⁺可以直接络合五个配体(1个CO和4个CO₂分子)．对于n=2络合物体系,除了插入的OTi⁺CO(CO₂)结构以外,还观察到了具有弯曲结构的OCO-Ti⁺-OCO异构体的存在     

BeCl分子电子激发态的多参考组态相互作用计算

运用含Davidson修正的多参考组态相互作用方法,在aug-cc-pVTZ基组水平上,对BeCl分子基态和相同多重度的几个低电子激发态进行了势能扫描计算.通过群论原理确定各电子态对称性及离解极限.将其中基态(X²Σ⁺)和第一激发态(A²Π})对应的势能曲线拟合到Murrell-Sorbie解析势能函数形式,得到基态(X²Σ⁺)的离解能及主要光谱常数(括号中为文献[6]提供的实验值)为D_e=3.74eV,R_e=0.18173nm(0.17970),w_e=857.4cm¹(847.2),w_ex_e=5.03cm^-1(5.14),B_e=0.7103cm^-1(0.7285),α_e=0.0059cm^-1(0.0069),第一激发态(A²Π)的D_e=3.02eV,R_e=0.18369nm(0.18211),w_e=832.7cm^-1(822.1),w_ex_e=5.93cm^-1(5.24),B_e=0.6953cm^-1(0.7094),α_e=0.0065cm^-1(0.0068),计算结果与实验值符合得较好.另外,通过Level程序求解双原子径向核运动的Schrödinger方程得到J=0时BeCl分子这两个电子态的全部振动能级.     

e+e－湮没过程的重子产生

本文指出(3/2)⁺与(1/2)⁺重子相对权重的改变对末态长寿命重子产额没有影响,而对(3/2)⁺重子产额改变显著.分析e⁺e^－实验资料发现对(3/2)⁺重子很强的抑制参数为0.3,由此得到的末态重子产额及产额比才能与实验符合.     

关于ι/η(1440)的结构分析

通过对J/ψ辐射衰变到K⁺K^－π⁰和K⁰_SK^±π⁺终态中iota能区的振幅分析,发现iota峰下有一个0^－+共振态(M=1467±3MeV,Γ=89±6MeV)和两个1⁺⁺共振态(M=1435±3MeV,Γ=59±5MeV; M=1497±2MeV,Γ=44±7MeV),分别对应于η(1440),f₁(1420)和f₁(1510).     

J/ψ强衰变中f2(1270)性质的实验研究

本文基于北京正负电子对撞机(BEPC)上北京谱仪(BES)所收集到的2.5×10⁶J/ψ重建刻度后的事例,研究了强子衰变道J/ψ→ωf₂(1270),f₂(1270)→π⁺π^－所揭示出的共振态f₂(1270)的性质,测量了它的质量、宽度和分支比,利用最大似然法对角分布进行了拟合,给出自旋宇称为2⁺⁺,首次得到螺旋度振幅比为x=0.99±0.29; y=－0.24±0.17; z₁=0.90±0.57;z₂=0.56±0.22.     

J/ψ辐射衰变中θ(1720)宽共振峰的矩分析

本文用矩分析法对J/ψ辐射衰变产生的θ(1720)宽共振峰的结构进行了研究.由于f'₂(1525)和θ(1720)二共振峰有重迭,为此我们讨论了2⁺⁺(f'₂(1525))+0⁺⁺+0⁺⁺和2⁺⁺(f'₂(1525))+0⁺⁺+2⁺⁺二种三态耦合结构模式,这对于弄清θ(1720)这个宽共振峰的结构,确定可能包含在其中的二个共振态,例如G(1590)和f₂(1720)的质量、宽度、自旋以及其它重要性质,进一步认识这二个令人关注的共振态是有帮助的.