高温高压下氧逸度的就位测量与控制

 通过在样品与氧库间置入一固体氧离子导体以及在样品与氧库间外加一直流电压，氧在该电压驱动下可独立于温度、压力自样品中就位抽出或灌入样品；通过在样品腔内置入一氧传感器，样品中氧逸度及其变化可得到就位监测。高温高压下样品中氧逸度由此可独立于温度、压力进行就位控制。以镍-氧体系作为样品的实验表明，该方法非常成功。无疑，该方法对日后的高压实验研究具有重要的意义。     

暂态热重法分析混合导电材料YBa_2Cu_3O_(7-δ)的透氧性能

用暂态热重法研究了 YBa2 Cu3O7-δ(YBCO)粉末在不同的温度下 N2 → O2 → N2 交变气流中的吸氧、脱氧过程 ,估算了其在不同温度下的氧吸附速率、氧脱附速率。结果表明 ,YBCO对氧有强烈的选择吸附性 ,并且其吸氧、脱氧过程是可逆的 ,氧吸附过程较迅速 ,而氧脱附过程则较缓慢 ;氧吸附或氧脱附过程在开始阶段是表面扩散 ,以后主要是体扩散。     

GdBCO超导体的顺磁性及低温下磁通分布的动态观测

本文研究了100～300K之间Gd1．8Ba2.4Cu3．4O7-δ（简写为GdBCO）超导体的顺磁性，对GdBCO的磁化强度随磁场和温度的变化分别在100K和0．1T进行了测试，GdBCO的顺磁性遵从朗之万顺磁性理论．在磁光显微镜下，低温12K场冷下，我们观察了从0mT～29mT磁通线进入GdBCO的超导体的过程，以及磁通线在GdBCO超导体中的分布。     

铜基氧载体制取O_2-CO_2混合气体的实验研究

采用溶胶-凝胶燃烧法制备了铜基氧载体CuO/CuAl_2O_4,利用热重分析仪研究了铜基氧载体的释氧性能,并在固定床反应器内对铜基氧载体的释氧和吸氧特性进行了实验研究。结果表明,CO_2气氛下,铜基氧载体能够释放出O_2,随反应温度增加,O_2-CO_2混合气体中O_2含世增加,反应时间减少.释氧后的铜基氧载体能够吸收N_2-O_2混合气中的O_2,吸氧速率及转化率同时受到热力学和动力学控制.880℃为铜基氧载体最佳释氧与吸氧温度。     

氧化锌薄膜Zn/O比和发光性能的关系

用直流反应溅射在硅基片上生长具有高取向晶粒的氧化锌薄膜,在氧气、氮气、空气气氛和不同温度下进行热处理,对所得到的样品用俄歇谱(AES)仪进行元素深层分布分析,并测量光致发光光谱。研究结果表明：1．经热处理的薄膜表面全部为缺氧表面,不同深度Zn和O含量分布(Zn／O)有所不同;2．当在氧气氛中1000℃下热处理后,在薄膜的深层可产生比较明显的氧过量;而在空气中950℃下热处理后,则可产生局部氧过量;3．光致发光谱表明,薄膜中全部为锌过量时产生纯紫外发射,而具有局部氧过量的薄膜则在产生紫外发射的同时产生绿色发光,绿光和紫外的强度比则随局部氧过量增多而增大。     

氧燃烧方式下痕量元素形态转化的试验和模拟研究

结合热重试验及XRF测量,采用化学热平衡分析方法对煤中易挥发的有毒痕量元素砷、铬、锑和汞在不同燃烧方式下的化学形态及分布进行了研究。计算表明,在常规燃烧方式下,痕量元素在400-1800 K的温度范围内容易蒸发,生成气相单质或氧化物。富氧燃烧条件下,高浓度的CO2(g)以及碳颗粒温度的降低在一定程度上会抑制痕量元素的蒸发,同时CO2(g)也会抑制痕量元素向气相次氧化物及单质的转化。     

钙钛矿型氧载体SrCo_(0.8)Fe_(0.2)O_(3-δ)制氧性能的实验研究

钙钛矿型金属氧化物是优良的制备供富氧燃烧所需的O_2/CO_2的氧载体,本文采用柠檬酸法制备系列SrCo_(1-x)Fe_xO_(3-δ)(x=0.2,0.4,0.6,0.8)钙钛矿型氧化物,并采用X射线衍射分析来表征SrCo_(0.8)Fe_(0.2)O_(3-δ)(SCF182)反应前后的物相变化和晶体结构.同时在固定床上选择不同的运行条件对SCF182的释氧性能进行研究,包括吸附温度、吸附时间、脱附温度和循环特性.结果表明,SCF182的最佳吸附温度和脱附温度均为850℃,最佳吸附时间为1 h,循环性能良好,是可以为富氧燃烧提供稳定的O_2/CO_2循环气体的良好材料。     

液体燃烧热的测定

文章从燃烧热测定的方法原理,实验操作,数据处理和应用的角度,探讨了液体样品燃烧热测定方法.取一定量的标准试样,置于氧弹中,向氧弹中充入过量的氧气,再将氧弹置于一定量的水中,让试样在氧弹中燃烧,释放的热量被水吸收,准确测定水的升温值,在一定温度下,吸收热量的水以及水中各个器件所构成的量热体系的热容量是一个常数,然后将样品与已知热值且不易挥化的液体混合后一并装入封闭的聚乙烯燃烧杯中,利用得到的仪器热容量,按相同的实验操作方法,利用自编的数据处理系统计算出液体样品的燃烧热.此法准确、简便、实用,用于日常检测工作.     

CO氧化反应耦合下SrFe1.125Co0.375Oy的氧渗透行为

报道ＳｒＦｅ１．１２５Ｃｏ０．３７５Ｏｙ致密陶瓷膜在高氧梯度下的氧渗透行为。将膜的一端置于空气中,另一端引入ＣＯ,通过ＣＯ的氧化反应降低氧分压,增大膜两端的氧分压梯度。研究发现：９００℃时氧渗透率高达１６．０＊１０＊－７ｍｏｌ／ｃｍ＾２ｓ。在８５０℃以上,氧渗透率与温度的依赖关系不显著,而氧渗透量与ＣＯ分压成线形关系,并且与膜的厚变化基本无关,这表明在该膜材料的渗透过程是受表面反应控制的。     

钴基载氧剂制取O_2-CO_2混合气体的流化床实验

利用TGA研究了钴基载氧体释氧的动力学特性,得到氧平衡分压随温度的变化关系;在流化床反应器内对钴基载氧体的吸氧和释氧特性进行了实验研究,并考察了反应温度的影响。结果表明:在流化床内,钴基载氧体能吸收空气中的O_2,并能在CO_2气氛下释放出O_2。在吸氧阶段,钴基载氧体对O_2的适宜吸收的温度范围为680～860℃,低于此温度下限,受反应动力学控制;高于此温度上限,反应受热力学限制。在释氧阶段,随反应温度增加,O_2-CO_2混合气体中O_2含量增加。     

氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究

本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有Si-V发光中 心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响. 结果表明, 氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中Si-V中心的发光强度. 当氧离子注入剂量从10¹⁴ cm^-2增加到10¹⁵ cm^-2时, 薄膜中Si-V发光强度增强. Hall效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低. 不同温度退火时, 氧离子注入薄膜的Si-V发光强度较强时, 薄膜的面电阻率增加, 说明Si-V发光中心不利于提高薄膜的导电性能. Raman光谱测试结果表明, 薄膜中缺陷数量的增多会增强Si-V的发光强度, 而降低薄膜的导电性能. 关键词： 金刚石薄膜 氧离子注入 电学性能 Si-V缺陷     

温度对CaO-MgO-Al_2O_3-SiO_2系纳米晶玻璃陶瓷结构影响的拉曼光谱研究

采用熔融法制备了CaO-MgO-Al2O3-SiO2系纳米晶玻璃陶瓷材料。在-190~310℃温度范围,利用显微共聚焦拉曼光谱测量分析了该体系纳米晶玻璃陶瓷硅氧四面体结构的变化规律。结果表明,随着温度的降低具有不同非桥氧键的硅氧四面体结构单元变化并不一致,位于三维硅氧四面体结构边缘的具有二个非桥氧键的硅氧四面体(Q2)和具有三个非桥氧键的硅氧四面体(Q1),以及完全独立于三维硅氧网络结构外的具有四个非桥氧键的硅氧四面体(Q0)受温度影响明显,其拉曼光谱均向高波数移动,键的力常数变强,硅氧键长变短。为丰富外环境对纳米晶玻璃陶瓷材料结构与性能影响的研究提供了实验依据,也为控制该体系纳米晶玻璃陶瓷材料的膨胀系数提供了一定的实验依据。     

GdBa2Cu3O7—x超导体失氧与超导电性的关系：GdBa2Cu3o7—x淬火样品的EXAF …

本文采用ＥＸＡＦＳ方法了ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高Ｔｘ超导陶瓷在不同温度下淬火后各金属原子周围氧配位数及键长的变化,得出该１２３相超导体随淬火温度升高失氧的具体位置为Ｏ１及Ｏ４,Ｃｕ－Ｏ平面未被破坏。指出Ｃｕ－Ｏ链及Ｏ４在１２３相超导体中应具有重要作用。     

氧碘化学激光器运行模式对其脉冲化影响的模拟研究

根据氧碘化学激光器的反应机理建立了一维预混脉冲出光理论模型,从理论上研究了气体总压力在660-2660 Pa, 温度在150-400 K区间内对单脉冲能量、脉宽和峰值功率的影响.分析了气体总压和温度对出光特性影响的内在原因. 计算结果表明:增益介质温度对单脉冲能量的影响要远大于对激光脉宽的影响;增益介质温度在150 K, 气体总压在1330 Pa可以获得比温度在400 K,气体总压为2660 Pa时更高的峰值功率. 因此在不干扰超音速流动状态条件下瞬间大量产生碘原子,可以实现高效的脉冲氧碘化学激光器.     

钙钛矿结构La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜中氧的扩散

利用脉冲激光淀积方法，我们制备了外延La0．7Ca0．3MnO3-δ薄膜．实验发现，在30Pa氧分压下制备的薄膜晶格中仅有少量氧空位．可以通过高真空条件下的热处理(热处理温度为780℃)减少样品晶格中的氧含量．室温x射线衍射分析表明，在780℃通过高真空热处理的La0．7Ca0．3MnO3-δ外延薄膜结构不发生改变．通过延长高真空热处理时间可以逐渐减少外延薄膜样品晶格中的氧含量，这反映在样品晶格常数有系统变化及样品绝缘体-金属(I-M)转变温度降低．对样品电阻率．温度曲线的拟合表明，样品晶格中的氧含量是均匀的，这与X射线衍射分析的结果是一致的．通过长时间高真空条件下的热处理可以使样品的I-M转变温度低于10K，而短时间氧气氛中的充氧热处理可以使转变温度回复．这说明样品晶格中的氧扩散出和充入是有区别的．在同一外延薄膜样品可以反复通过高真空条件下的高温脱氧热处理和充氧热处理来改变样品中氧含量，这将方便于将薄膜性能与氧含量的关系进行比较、分析和讨论．     

不同沉积参量下ZrO2薄膜的微结构和激光损伤阈值

ZrO2采用X射线衍射(XRD)技术分析了不同充氧条件和沉积温度对ZrO2溥膜组成结构的影响,并对不同工艺下制备的薄膜的表面粗糙度和激光损伤阈值进行了测量。结果发现随着氧压的升高,ZrO2溥膜将由单斜相多晶态逐渐转变为非晶态结构,而随着基片温度的增加,溥膜将由非晶态逐渐转变为单斜相多晶态。同时发现随着氧压升高晶粒尺寸减小,而随着沉积温度增加,晶粒尺寸增大。氧压增加时工艺对表面粗糙度有一定程度的改善,而沉积温度升高,工艺对表面粗糙度的改善不明显。晶粒尺寸大小变化与表面粗糙度变化存在对应关系。激光损伤测量表明,氧压条件和沉积温度对ZrO2薄膜的抗激光损伤能力有着较大影响。     

低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用,且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中,低温(450—650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强,促进了氧沉淀核心的形成,且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明,低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺,能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力,减少热预 关键词： 直拉硅 氧沉淀 退火     

磁性物质的热力学系统和对气候的影响

本文首先对单组分或组成不变的多组分系统给出磁场下的热力学系统的基本方程, 导出熵为温度和磁场强度的函数 的微分方程 并进一步证明顺磁性物质等温可逆放热,即 ,会导致系统磁场增高.根据宏观热力学理论这一结论,则磁铁矿的存在会导致地区气候温和宜人.     

固态氧在低压磁性和高压超导态两者间的中间相

氧是宇宙中最丰富的元素之一（仅次于氢和氦），它支撑着我们的生命世界．化学作为一门古老的学科，其现代化进程与人们对氧的认识紧紧相伴．在单质双原子分子中，O2是唯一具有磁矩的，其磁矩来源于分子中未配对的电子自旋．对氧降温或施压将使其成为固体，在较低压力下（〈8GPa），固态氧是磁性绝缘体．随着压力的增加，O2分子趋向于分裂成O原子，最终转变进入金属态，甚至在很低温度下成为超导（压力〉96GPa）．对固态氧结构的研究始于20世纪加年代，至今已区分出6种结晶相．其中1979年发现的ε相特别引起人们兴趣：这种暗红色的晶体，在8GPa到96GPa广泛的压力范围内存在，具有很强的红外吸收，并且原先在常压下的磁性不复存在,ε相可用单斜空间群C2／m描述，但红外吸收实验表明：ε相中的O2似乎已经缔合成较大的团簇，它的精确结构仍然未知．     

Eu~(2+)/Dy~(3+)共掺高硅氧发光玻璃发光性质的影响因素分析

高硅氧发光玻璃因具有较好的热稳定性、化学稳定性等优点,成为极具潜力的荧光材料。针对其仍存在发光强度较弱的问题,从与发光性质紧密相关的制备工艺出发,分析各关键工艺参数对高硅氧玻璃发光性质的影响具有重要的意义。本文制备了关键工艺参数不同的Eu2+/Dy3+共掺高硅氧发光玻璃,通过测试微孔表面结构参数、发射光谱和红外吸收光谱等,研究了分相温度、溶液离子浓度和烧结温度等制备关键工艺参数对高硅氧发光玻璃光致发光性质的影响。当分相温度不同时,多孔玻璃微孔表面结构参数和高硅氧玻璃的发射光谱表明,分相温度通过影响多孔玻璃的比表面积间接的影响高硅氧玻璃的发光性质,多孔玻璃比表面积数值越大,高硅氧玻璃发光强度越大。当溶液离子浓度不同时,高硅氧玻璃的发射光谱表明,当溶液中Dy3+浓度增加,高硅氧玻璃中Dy3+和Eu2+发光增强;当Dy3+浓度大于0.1mol·L-1时,由于Dy3+的发光出现浓度猝灭效应,高硅氧玻璃整体发光强度减弱。当烧结温度不同时,高硅氧玻璃的发射光谱和红外吸收光谱表明,随着烧结温度升高,高硅氧玻璃中—OH残留量减少,发光强度增强;当烧结温度大于1 000℃时,高硅氧玻璃出现析晶,发光强度减弱。