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1.
石灰膨胀土团聚体微结构的扫描电镜分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
张小平  施斌 《力学学报》2007,15(5):654-660
石灰改良土为团聚体骨架结构,骨架是由团聚体构成,孔隙是由团聚体间的孔隙和团聚体内部微孔隙组成,粒间孔包括胶结物孔隙和压实时团聚体之间形成的孔隙。实验证明团聚体越小越有利于石灰与土的结合,微结构为链状结构;石灰掺量主要影响团聚体的表面微结构。在饱和状态时,钙离子浸入团聚体的内部,团聚体的内层也出现与外层类似结构。相同石灰掺量的样品,饱和状态和非饱和状态时钙的重量相对含量的分布有不同,非饱和状态时表面的钙相对较多,越往内部越少,内外差异很大;而饱和状态时,外层的钙比内层稍多,内外差异较小,团聚体内部形成较大的微集聚体。  相似文献   
2.
张鹏  张小平  王军 《人工晶体学报》2017,46(11):2197-2202
采用水热法制备BaFe12-xCuxO19(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8)钡铁氧体,探讨Cu2掺杂量对纳米BaFe12O19微观结构以及磁性能的影响.穆斯堡尔光谱分析结果显示,Cu2可以定量可控的掺入到BaFe12O19的晶格中.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对不同掺杂量的样品进行表征,结果表明,800 ℃热处理可以明显提高BaFe12O19纳米颗粒的结晶性,并随着Cu2掺入量的增多BaFe12O19的晶粒尺寸逐渐增大.从磁测量分析结果可以得知,适当掺入Cu2可以降低BaFe12O19的矫顽力与饱和磁化强度,使得BaFe12O19纳米颗粒开始从硬磁性能向软磁性能转变.  相似文献   
3.
利用有效液滴模型计算了偶偶超重核的α衰变半衰期,计算过程中采用了保持碎片体积守恒的不对称形状描述以及有效惯性系数计算Gamow势垒穿透因子.首先在质子数Z为88—98的区域检验了有效液滴模型,发现计算结果与实验符合得比较好.随后将此模型推广到Z≥100的情况,虽然只用了两个模型参数,计算结果与实验数据符合,说明有效液滴模型是计算偶偶超重核素α衰变半衰期的一个成功模型.  相似文献   
4.
结合热重试验及XRF测量,采用化学热平衡分析方法对煤中易挥发的有毒痕量元素砷、铬、锑和汞在不同燃烧方式下的化学形态及分布进行了研究。计算表明,在常规燃烧方式下,痕量元素在400-1800 K的温度范围内容易蒸发,生成气相单质或氧化物。富氧燃烧条件下,高浓度的CO2(g)以及碳颗粒温度的降低在一定程度上会抑制痕量元素的蒸发,同时CO2(g)也会抑制痕量元素向气相次氧化物及单质的转化。  相似文献   
5.
利用甲醇-氢(CH3OH-H2)混合气体为气源,30nm厚的无定形硅为过渡层,借助于微波等离子体化学气相沉积(MWCVD)成功地将金刚石薄膜生长在不锈钢上,其最低生长温度可至420℃,并且甲醇-氢混合气体比传统的甲烷-氢(CH4-H2)更具优势,测试表明这种金刚石薄膜有希望作为耐磨层在工业上应用  相似文献   
6.
张斌彬  詹丹  张小平  向沁洁  曾庆乐 《化学学报》2012,70(15):1655-1659
研究了空气下无配体Pd(OAc)2在弱碱碳酸钾存在下催化二苯胺和溴代芳烃的C—N偶联合成三苯胺类化合物.与传统合成方法相比,该反应可以在无配体存在下在空气和温和的条件下进行,即,无需无水无氧操作条件,操作特别方便.催化剂用量、碱、溶剂、反应温度、反应时间等因素对反应的影响均做了考察.优化的反应条件是:在Pd(OAc)2(3 mol%)和K2CO3(1.5 equiv.)存在下,二苯胺和溴代芳烃在DMSO中在空气下在90℃加热24 h.溴代芳烃上的吸电子基团和二苯胺上的给电子基团有利于该偶联反应的进行,其中4-硝基三苯胺的产率高达93%.  相似文献   
7.
室温300K下,由于AlxGa1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42eV到AlN的6.2eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4nm/4nm,5nm/5nm,8nm/8nm的GaN/Al0.3Ga0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5nm/5nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8nm,即十个周期的5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5nm/8nmGaN/Al0.3Ga0.7N超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变.  相似文献   
8.
反转岛附近原子核奇特性质的研究是当前核物理研究的热点。 首先简要回顾和介绍了反转岛附近原子核奇特性质的实验进展, 然后介绍了对这些奇特核性质的理论研究进展。 主要包括相对论平均场模型、 壳模型、 Hartree Fock模型和宏观 微观模型在该区域的发展和研究结果。 重点介绍了宏观 微观模型在反转岛附近原子核奇特性质研究中的进展。 此外, 还分析和比较了各种理论模型在描述反转岛附近原子核性质上取得的成功和模型之间的差异。  相似文献   
9.
含钒杂多酸催化发烟硫酸中甲烷液相部分氧化反应   总被引:8,自引:0,他引:8  
 以H5PV2Mo10O40 为催化剂,在发烟硫酸中进行了甲烷液相部分氧化,考察了催化剂用量、反应温度、反应时间和发烟硫酸浓度等工艺条件对反应收率的影响. 甲烷在反应中首先转化为硫酸甲酯,硫酸甲酯随后水解为甲醇. 对于甲烷液相部分氧化反应,发烟硫酸中游离的SO3是非常重要的影响因素. 在工艺条件为催化剂用量7.0 mmol, 反应温度473 K, 反应压力3.5 MPa, 反应时间3 h和发烟硫酸中SO3含量50%时,甲烷转化率可达48.5%, 目的产物甲醇收率为41.5%.  相似文献   
10.
二氧化氮分子中的化学键   总被引:1,自引:0,他引:1  
二氧化氮分子中的化学键张小平李夏*邹应泉(北京铁路师范学校100031)(首都师范大学化学系100037)(北京师范大学化学系100875)我们曾经利用半经验方法讨论过N2O4的结构问题[1]。最近,具有奇数电子的角形结构的NO2分子又引起了我们极大...  相似文献   
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