ZnO薄膜光学常数测量

利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复介电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱。对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复介电常数和复折射率。实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3．5;在430nm附近出现折射率最大值,而在短波长范围所对应的折射率大大降低,其值在0．5—2．5之间起伏波动。     

正碳离子样的过渡态类似物研究进展

综述了应用酶催化过渡态理论设计的几类正碳离子样的过渡态类似物作为酶的抑制剂的研究进展。其中包括类异戊二烯的正离子过渡态类似物,唾液酸转移酶的过渡态类似物,3-脱氧-D-甘露糖-2-辛酮糖酸酯-8-磷酸酯(KDO8P) 合成酶的过渡态类似物,尿苷二磷酸酯葡糖醛酸基转移酶(UGT) 的过渡态类似物。     

非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心

用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜,测量它们的光致发光(PL)光谱,观察到两个发光峰,峰值能量分别为3.18(紫外峰,UV)和2.38eV(绿峰).样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化,同时比较了用FP-LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置.根据实验和能级计算的结果,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷(O_Zn)能级的跃迁,而不是通常认为的氧空 关键词： ZnO薄膜 热处理 光致发光光谱 缺陷能级     

γ-环糊精控制的2-氰基萘的光二聚反应

最新的研究发现2-氰基萘(CN)能够发生光二聚反应生成3种类立方烷结构的二聚体,anti-head-to-head 1、anti-head-to-tail 2和syn-head-to-tail 3.本文研究了水溶液中γ-环糊精对2-氰基萘的光二聚反应区域选择性的影响.结果表明,γ-环糊精(γ-CD)能够显著影响2-氰基萘的光二聚反应,在提高反应速率的同时,得到较好的区域选择性,室温下光照CN@γ-CD包结物水溶液,主要得到头-头产物1.     

ZnS原料及(Zn,Cd)S:Cu ACEL粉的粒度与亮度关系的探讨

用沉降粒度仪测定,并用对数正态分布参数表示法计算了十几种不同ZnS原料及对应的(Zn,Cd)S:Cu ACEL粉的粒度分布,发现ZnS原料对数正态分布的分散程度lnσ及中心粒径d50对(Zn,Cd)S:Cu粉的粒径分布均有影响,其中前者的影响尤为明显.本文还研究了(Zn,Cd)S:Cu的粒度分布对亮度的影响,发现850℃左右在硫气氛中烧得的(Zn,Cd)S:Cu粉,其沉降平均粒径d为10-30μ时,粒径较大的,用交流电致发光盒测得的亮度大体上较高;沉降d为20-30μ(扫描电镜测d约3-6μ)时,其ACEL亮度性能较好.     

O-甲基-α-羟基烃基膦酸酯单金属盐的合成

以KF-Al2O3为催化剂，通过亚膦酸二甲酯与各种酮加成反应，生成一系列α-羟基烃基膦酸酯，它们再与不同的碱金属盐作用合成了12个未见文献报道的O-甲基-α-羟基烃基膦酸酯单金属盐。通过^1H NMR，IR和元素分析确证了它们的结构。     

羧基取代类立方烷结构的萘光二聚体与芳香胺的反应性

本文利用羧基取代类立方烷结构的萘光二聚体2与芳香胺3反应研究这类结构化合物的反应活性。X-单晶衍射分析表明二环已基碳二亚胺（DCC）与2生成了具有类立方烷骨架的稳定化合物4,而且DCC能够作为一种有效的缩合剂催化2与3的反应,得到单独用光化学方法或热化学方法都无法获得的单边缩合或双边缩合的类立方烷酰胺化合物5和6。研究发现芳香胺3的电子效应显著影响反应产物的分布。     

O-甲基-α-羟基烃基膦酸酯单金属盐的合成及植物生长调节活性

O-甲基-α-羟基烃基膦酸酯单金属盐的合成及植物生长调节活性;α-羟基烷基膦酸酯单金属盐;合成;植物生长调节活性     

氧化锌薄膜Zn/O比和发光性能的关系

用直流反应溅射在硅基片上生长具有高取向晶粒的氧化锌薄膜,在氧气、氮气、空气气氛和不同温度下进行热处理,对所得到的样品用俄歇谱(AES)仪进行元素深层分布分析,并测量光致发光光谱。研究结果表明：1．经热处理的薄膜表面全部为缺氧表面,不同深度Zn和O含量分布(Zn／O)有所不同;2．当在氧气氛中1000℃下热处理后,在薄膜的深层可产生比较明显的氧过量;而在空气中950℃下热处理后,则可产生局部氧过量;3．光致发光谱表明,薄膜中全部为锌过量时产生纯紫外发射,而具有局部氧过量的薄膜则在产生紫外发射的同时产生绿色发光,绿光和紫外的强度比则随局部氧过量增多而增大。     

氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响

为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究.用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/P-Si异质结.在1000℃下用不同比例的氧和氨热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强.但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,从而使紫外减弱.在纯氧和无氧条件下热处理的俄歇谱表明纯氧下氧过量,而无氧下锌大大过量.ZnO/p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性表明,无氧热处理表现为典型的n-ZnO/p-Si异质结;而在纯氧气氛中处理后所得Ⅰ-Ⅴ曲线反向,这表明在高氧压下受主缺陷的产生,表明ZnO薄膜有可能由于高氧压热处理由n型转为p型.