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1.
采用高温固相法合成Sr3B2O6:Eu3+,Li+红色荧光粉,考察了激活剂Eu3+和电荷补偿剂Li+浓度对Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发光性能的影响。结果表明:适量掺杂Eu3+、Li+离子并不改变Sr3B2O6的结构。当Eu3+掺杂量为4%、Li+的掺杂量为8%时,在900 ℃下灼烧2 h可以得到发光性能最佳的Sr2.9B2O6:0.04Eu3+,0.08Li+红色荧光粉。以394 nm的近紫外光激发时,Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发射出红光,对应于Eu3+的4f-4f 跃迁,其中以614 nm附近的5D0→7F2跃迁发光最强,是一种有潜力用于白光LED的红色荧光粉。 相似文献
2.
用高温固相反应法合成了Sr2EuxGd1-xAlO5红色荧光粉,研究了荧光粉的晶体结构和发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4) 特征发射组成,其中Eu3+离子的5D0→7F1(λ=590 nm)和5D0→7F2(λ=622 nm)跃迁发射的强度最大。当Eu3+离子的摩尔分数为 0.75时,样品的发光最强。研究结果表明,Sr2EuxGd1-xAlO5荧光粉是一种在近紫外芯片白光LED上有应用前景的红光荧光粉。 相似文献
3.
通过高温固相法制得双峰可调节本征半导体发光BaZn2(BO3)2:Eu3+荧光粉,此类荧光粉在300~400 nm的紫外波段有很强的吸收。在375 nm的紫外光激发下,该荧光粉产生了两个宽带的发射峰,分别位于550 nm和615 nm处。并且,在395 nm的紫光激发下,荧光粉会由于Eu3+离子的5D0→7F2电偶极跃迁产生一个位于615 nm的强宽发射峰,这表明Eu3+离子占据了反演对称中心的位置,取代了BaZn2(BO3)2中部分的Ba2+离子。当Eu3+的摩尔分数达到10%时,发生浓度猝灭。在不同浓度的Eu3+离子的掺杂下,BaZn2(BO3)2:Eu3+荧光粉的发光从黄色延伸到红色,实现了荧光粉的色度可调。 相似文献
4.
采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4:Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁。其中位于492,545nm的发射峰最强,样品发射很好的绿光。主要激发峰位于380~400nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与UVLED芯片的发射相匹配。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响:Tb3+的最佳掺杂浓度为10%,以Li+的补偿效果最好。NaCaPO4:Tb3+是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。 相似文献
5.
本文采用固相法在500℃合成了Er3+/Eu3+共掺BiOCl 荧光粉, 并通过XRD, SEM, 吸收, 激发和发射光谱研究了其结构、形貌和发光特性. XRD 和SEM结果表明在500℃下即可成功合成纯四方相片层结构的Er3+/Eu3+共掺BiOCl荧光粉. 吸收光谱表明掺杂Er3+/Eu3+离子使BiOCl形成杂质能级; 激发光谱显示该荧光粉具有来自于基质BiOCl价带(VB)到导带(CB)跃迁的优异宽带近紫外激发特性. 在380 nm近紫外光激发下, 同时获得了Er3+离子和Eu3+离子的特征发射峰, 其中发光中心位于410 nm (2H9/2→4I15/2), 525 nm (2H11/2→4I15/2), 554 nm (4S3/2→4I15/2), 673 nm (4F9/2→4I15/2)的发射峰来自于Er3+离子的跃迁, 而581 nm(5D0→7F0), 594 nm (5D0→7F1), 622 nm (5D0→7F2), 653 nm (5D0→7F3), 699 nm (5D0→7F4)的发射峰则来自于Eu3+离子的跃迁. 值得注意的是, 与传统Er3+/Eu3+掺杂的材料不同, 该荧光粉还具有独特高效的紫光(Er3+)和长波红光(Eu3+)发射特性, 分析表明这与BiOCl的结构有关; 并且通过改变掺杂浓度, 实现了发光颜色由黄绿光→黄光→橙红光的调节. 研究结果表明Er3+/Eu3+共掺BiOCl荧光粉有望成为一种潜在的近紫外激发白光LED荧光粉. 相似文献
6.
采用高温固相法制备了颜色可调的NaTaOGeO4∶Tb3+,Mn2+荧光粉,并研究了其发光特性以及能量传递机理。在244 nm激发下,NaTaOGeO4∶Tb3+的发射光谱的发射峰分别位于380,413,436,492,544 nm,分别属于Tb3+的5D3→7FJ和5D4→7FJ(J=6,5,4)能级跃迁,为蓝光和绿光发射。在280 nm波长激发下,在492 nm和544 nm处有较强的发射峰,分别属于Tb3+的5D4→7F6、5D4→7F5能级跃迁,为绿光发射。在248 nm波长激发下,NaTaOGeO4∶Mn2+的发射光谱由位于576 nm处的宽带组成,属于Mn2+的4T1→6A1能级跃迁。当在NaTaOGeO4∶Tb3+荧光粉中共掺杂Mn2+时,可以同时观察到Mn2+和Tb3+的发射峰,通过改变浓度掺杂比,可以得到颜色可调控的荧光粉。 相似文献
7.
采用高温固相法合成出La2Mo2O9:Eu3+,W6+系列红色荧光粉,其结构为立方晶系的β- La2Mo2O9。在395 nm光激发下,样品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+发射出很强的红光,最强发射峰位于616 nm处。适量地掺杂W6+离子可以提高样品的激发和发射强度,在395 nm光激发下,La1.40Mo1.84O9:0.60Eu3+,0.16W6+荧光粉的Eu3+的5D0→7F2跃迁发射强度最大,是样品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+的1.23倍。最后,将La1.40Eu0.60Mo1.84O9:0.16W6+荧光粉与~395 nm发射的InGaN芯片一起制作成红光发光二极管(LED),该LED发射出很强的红光。 相似文献
8.
以高温固相法成功合成了一系列Eu3+离子激活Ba3WO6红色荧光粉。分别采用X射线衍射(XRD)和荧光光谱(FL)对样品的晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明,样品均具有立方晶系的双钙钛矿结构;Eu3+离子的激发谱由一个宽带(包括Eu3+-O2-和W6+-O2-电荷转移带)和若干个窄峰(4f-4f电子跃迁)组成,而跃迁5D0→7F1和5D0→7F2则构成了发射谱的主要部分。调整原材料中BaCO3和WO3的量的比,XRD的主衍射峰位发生红移至与标准谱完全吻合,发光强度有所提升并分析了原因。Eu3+离子的临界摩尔分数为0.05,临界距离(Rc)为1.263 4 nm。在314 nm或394 nm激发光下,样品发出红光(λmax=596 nm),色坐标为(0.618,0.342),在LED照明、显示等领域具备一定潜力。 相似文献
9.
通过共沉淀法制备了红色荧光粉Gd2-xEux(MoO4)3,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对所制备的样品进行结构表征分析,讨论了不同掺杂量下合成的荧光材料的发光性质。研究结果表明:所制备的Gd2-xEux(MoO4)3红色荧光粉的三处激发峰分别位于394,465,534 nm。发射光谱中在589 nm和613 nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于613 nm左右,与Eu3+的5D0→7F2跃迁对应。随着Eu3+掺杂量的增加,所合成的荧光粉的发光强度逐渐增强。在三组实验结果中,Gd1.4Eu0.6(MoO4)3(x=0.6)的发光强度最强。 相似文献
10.
用高温固相法合成了用于白光LED的Ca1-x-yWO4∶xPr3+,yLi+ 红色荧光粉。用XRD、SEM和荧光分光光度计,对试样的晶体结构、表面形貌和发光性能进行表征。所合成的样品为四方晶系。经预先球磨的样品颗粒比较均匀,粒径较小。荧光粉的激发峰位于440~500 nm的宽带内,主要发射峰位于602,620,651 nm,对应于Pr3+的1D2→3H4、3P0→3H6和3P0→3F2特征跃迁发射, 651 nm处的强度最大。同时还研究了Pr3+、Li+的掺杂浓度以及助熔剂的加入对样品性能的影响。实验结果表明,所合成的Ca1-x-yWO4∶xPr3+,yLi+是可用于蓝光芯片激发的白光LED用红色荧光粉。 相似文献
11.
为了得到最长有效余辉时间的Sr_2MgSi_2O_7:Eu~(2+),Dy~(3+)荧光粉,应用二次通用旋转组合设计对实验进行全程优化,建立了稀土离子掺杂浓度Eu~(2+),Dy~(3+)和有效余辉时间的二元二次回归方程模型,应用遗传算法计算得到有效余辉时间的理论最大值.采用高温固相法合成了最优掺杂浓度Sr_2MgSi_2O_7:0.5mol%Eu~(2+),1.0mol%Dy~(3+)的荧光粉,在370nm激发下观察到了465nm的特征发射,这归因于Eu~(2+)的4f65d1—4f7跃迁.测量了最优荧光粉的热释发光特性,计算得到了陷阱深度为0.688eV,讨论了长余辉发光的特性. 相似文献
12.
13.
采用溶胶-凝胶法合成了Sr_3MgSi_2O_8∶Eu~(3+)红色荧光粉,并通过X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)以及荧光光谱(PL)、X射线光电子能谱(XPS)等分析方法,对不同烧结温度(950,1 050,1 150,1 250℃)热处理4 h后得到的粉体的物相、形貌及发光性能进行了表征分析。由XRD表征结果可知,制备出的样品为正交晶系的Sr_3MgSi_2O_8;由扫描电镜及比表面积的测试结果可知,经过1 150℃热处理得到的荧光粉具有最大比表面积,可达到90.213 1 m~2/g,且粒径大小均一;由红外光谱图可知:样品中含有Si—O—Si、Mg—O和Sr—O化学键;在394 nm的激发波长下,所有样品在614 nm和702 nm处出现了强发射峰,分别对应于Eu~(3+)的~5D_0→~7F_2和~5D_0→~7F_4跃迁,属红光发射。随着热处理温度的升高,样品所对应的发射峰强度呈现出先增大后减小的变化趋势,即出现温度猝灭效应;经1 150℃热处理合成的Sr_3MgSi_2O_8∶Eu~(3+)红色荧光粉的发光性能最好,即最佳的热处理温度为1 150℃。 相似文献
14.
采用高温固相法合成Sr_(1.98)(Al_(1–x) Mg_x)(Al_(1–x) Si_(1+x))O_7: 2%Eu~(2+)荧光粉完全固溶体,利用X射线衍射、光致发光光谱和光学显微镜进行晶体结构和发光性能的研究. Sr_2Al_2SiO_7和Sr_2MgSi_2O_7同构化合物中包含[MgO_4]、[SiO_4]和[AlO_4]四面体,较大体积的[MgO_4]和较小体积的[SiO_4],共同替代体积相似的[AlO_4],导致[(Si/Al)O_4]收缩和[(Mg/Al)O_4]膨胀,晶胞参数c减少, a和V增大,使Eu~(2+)周围的环境发生改变,晶体场劈裂程度减小,发射峰位从503 nm蓝移至467 nm,实现发光光谱从绿色(0.2384, 0.3919)到蓝色(0.1342,0.1673)的转变.当x为0时,发射峰的半高宽为120 nm, x从0.25增加到1时,半高宽由89 nm逐渐减小至50 nm,多面体的替代会改变荧光粉的发光性能. 相似文献
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16.
采用高温固相法制备了LiSrBO3:xEu3+ 荧光粉, 并通过XRD, 红外(FITR) 和荧光光谱(PL) 等对其表征. 结果表明, LiSrBO3: Eu3+ 荧光粉可被波长为395 nm 的紫外线和466 nm 的蓝光有效激发, 且发射主波长为612 nm (Eu3+的电偶极跃迁5D0 →7F2) 的红光. 研究了Eu3+ 掺杂浓度对LiSrBO3: Eu3+ 材料发光强度的影响, Eu3+ 掺杂浓度为6% 时样品的发射强度最大, 并且证实Eu3+ 之间的能量传递机制为电偶极子- 电偶极子相互作用. Li+, Na+, K+ 作为电荷补偿剂的引入全部导致LiSrBO3: Eu3+ 材料发射强度增强, 其中, Li+ 的引入要优于Na+ 和K+. 少量Al3+的掺杂降低了Eu3+ 所处格位的对称性, 增强了Eu3+ 的612 nm 的电偶极发射, 改善了LiSrBO3: Eu3+ 红色材料的色纯度.
关键词:
白光发光二级管
光致发光
浓度猝灭
电荷补偿剂 相似文献