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以化学学科能力模型为依据,确定化学学科能力评价指标,并以此为基础,对2008-2020年江苏高考化学试题学科能力要求进行分析,得出江苏卷对于化学学科能力的考查特点及变化趋势,并提出了相关教学建议。 相似文献
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10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.
关键词:
光致发光
退火处理
能级
4H-SiC 相似文献
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通过在导电银电子浆料中添加适量的金属锡铟粉末,得到一种新的抗氧化银浆,并采用丝网印刷技术制备银厚膜.探讨了厚膜在自然时效氧化和硫化氢气氛中硫化氧化的过程及机理,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对银厚膜表面的微观形貌和元素成分进行分析.结果表明,含金属锡铟的银厚膜比纯银厚膜具有更好的抗氧化性.热力学分析表明,添加的金属锡铟与氧气、硫化氢反应的Gibbs自由能比纯银的小,更易在厚膜的晶界/孔洞缺陷处发生氧化反应,延缓银的氧化,从而提高银厚膜抗氧化能力. 相似文献
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利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
关键词:
低压化学气相沉积
高纯半绝缘4H-SiC
电子自旋共振
本征缺陷 相似文献
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荧光内滤效应以及样品池中荧光物质对激发光的吸收分布会直接影响荧光谱的强度和谱形,共同制约荧光分析法的应用。使用吸收谱及荧光谱存在交迭的双组分混合溶液,研究一种新的基于物理吸收模型的校正方法,以校正荧光内滤效应及吸收分布对荧光强度的影响。对三聚噻吩和五聚噻吩混合液的光谱研究表明,使用所述校正方法可以达到较为理想的校正效果, 误差小于5%。 相似文献