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采用高温固相法合成出La2Mo2O9:Eu3+,W6+系列红色荧光粉,其结构为立方晶系的β- La2Mo2O9。在395 nm光激发下,样品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+发射出很强的红光,最强发射峰位于616 nm处。适量地掺杂W6+离子可以提高样品的激发和发射强度,在395 nm光激发下,La1.40Mo1.84O9:0.60Eu3+,0.16W6+荧光粉的Eu3+5D07F2跃迁发射强度最大,是样品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+的1.23倍。最后,将La1.40Eu0.60Mo1.84O9:0.16W6+荧光粉与~395 nm发射的InGaN芯片一起制作成红光发光二极管(LED),该LED发射出很强的红光。  相似文献   
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