氘离子束轰击石墨引起化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００ 石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上,进一步测试了Ｇ３ 石墨、ＳＭＦ－８００ 高纯石墨和硼化石墨,以及ＳｉＣ涂层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ 氘离子束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２ 氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００ 石墨硼化层,它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４ 产额较ＳＭＦ－８００ 高纯石墨的降低一个数量级以上,ＣＤ４ 产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法,初步观察了氘离子束轰击下石墨释放ＣＤ４ 的角分布特性,为托卡马克先进偏滤器实验中确立ＣＤ４ 辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索     

辐照三烷基氧化膦萃取锶和铯的研究

研究了γ辐照后的３０％％ＲＰＯ－煤油－ＨＮＯ３体系萃取Ｓr和Ｃs的性能。利用ＩＣＰ－ＡＥＳ及ＡＡＳ分别测定两相中Ｓr和Ｃs浓度，分配比。试验了辐照剂量对分配比的影响。结果表明，γ射线辐照对ＴＲＰＯ的萃取笥能无显著影响。     

流动注射氢化物石墨炉法测定鱼,香梨中的痕量汞

将流动注射仪与石墨炉进样装置联用，实现了汞的氢化物石墨炉测定。选择的最佳测定条件为涂金或涂钯普通石墨管，３ｍｏｌ／ＬＨＣｌ－０．３％ＫＢＨ４、载气流速９０ｍＬ／ｍｉｎ、测定时关闭石墨炉内气流，富集温度１５０℃，原子化温度７００℃。其特征质量为３４ｐｇ／０．００４４Ａ     

萃取分离-石墨炉原子吸收光谱法测定盐卤中痕量铯的研究

采用墨炉原子吸收光谱法（ＧＦＡＡＳ）研究盐卤中铯原子化行为和机理,建立了热解石墨管、ＫＮＯ３－ＮＨ４ＮＯ３基体改进剂、１８－冠－６、溴百里香酚蓝、氯仿萃取分离－ＧＦＡＡＳ测定盐卤中铯的方法。用于测定盐卤中痕量铯,特征质量１．４×１０－１０ｇ／０．００４４Ａ;加标回收率８９％～１０５％;相对标准偏差４．１３％。     

316L不锈钢表面Al2O3镀层中氚的扩散渗透行为

在３１６Ｌ不锈钢表面，用磁控溅射方法镀２－３μｍ的Ａｌ２Ｏ３膜。实验表明，这种膜与基体相容性好，且具有抗氧化、抗热冲击、抗辐照、低活性等特点，氚在其中的渗透率低。在６０４－７７３Ｋ温度下，氚在此种材料中的渗透率比在基体材料中低４－６个数量级。此种材料可用作为氚容器材料，用于氚的生产、分离和净化工艺中，还可以用作聚变 堆氚工艺中氚靶包壳材料。     

X射线胶片的脉冲光源响应标定

用ＬＦ－１１激光装置的１．０６μｍ脉冲激光加热Ｃｕ靶产生的Ｌ－壳层线辐射作脉冲Ｘ射线源，在曝光量为（０．０１～１０）－７Ｊ·ｃｍ－２范围内，标定了ＫＯＤＡＫＡＡ－５，ＫＯＤＡＫＳＷＲ和ＵＦＳＨ－Ｏ软Ｘ射线胶片的响应曲线，并与用连续光源标定的进行了对比．结果表明，这三种ｘ射线胶片，在强脉冲光源曝光条件下，都存在着胶片响应互易律失效问题，过去用连续光源标定的响应曲线，在激光等离子体诊断实验中，已经不能采用．     

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低     

Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。     

与Al发生扩散反应的非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13晶化

高压下与Ａｌ发生扩散反应的非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３（ＦＭＳＢ）的不同。与Ａｌ反应的ＦＭＳＢ非晶在３．０￣５．０ＧＰａ,７８０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ａｌ）和次亚稳非晶合金;在这一压力范围以外,７２０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ｓｉ）,Ｆｅ３Ｂ或Ｆｅ２Ｂ。与Ａｌ发生反应的ＦＭＳＢ非晶可能通过与Ａｌ的扩散反应在Ａｌ／ＦＭＳＢ界面开始晶化。压力和温度对晶化过程     

HZSM—5分子筛增强酸位的研究

本文首先报道我们在缩醛反应中发现ＨＺＳＭ－５分子筛催化活性得到增强的现象以及相应的水热处理条件。其次报道用回旋质谱方法对ＨＺＳＭ－５分子筛增强酸位所进行的ＮＨ３－ＴＰＤ表征。最后报道对增强酸性的ＨＺＳＭ－５分子筛进行了核磁共振研究；通过＾２＾９Ｓｉ，＾２＾７ＡｌＭＡＳＮＭＲ，＾１Ｈ－＾２＾７ＡｌＣｐ／ＭＡＳ ＮＭＲ观测提供酸增强效应与脱铝程度，铝配位状态变化的关联。这些基本事实将有助于酸增加机制的