低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌ ｆｒｅｅｚｅ 关键词：     

La2/3 Ca1/3 MnO3中绝缘体-金属相变与CMR效应

我们研究了超大磁阻材料La2/3Ca1/3MnO3的磁电特性,发现由电阻测量得到的绝缘体－金属相变与由磁化曲线得到的顺磁－铁磁相变温区完全一致,均随磁场的增强推向高温区。结果证明绝缘体－金属相变起因于磁序的变化,并伴随着越大磁电阻效应的CMR的发生。     

低补偿度n－Hg＿（1－x）Cd＿xTe的磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ），即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成Ｒ＿Ｈ（Ｔ）＝Ｒ＿（Ｈ０）ｅｘｐ［ａ／ｋＴ］，它实际上反映了磁冻结在施主上的电子，随温度的升高，逐步热激发到导带的过程，从磁致ＭＩＴ后的激活能初步推知，导带下存在两个浅施主能级。     

压强的微观表达式-((H)/(V))_(qp)及其涨落

按照系综理论，压强ｐ是偏导数－（　Ｈ／ Ｖ）ｑｐ的统计平均值：ｐ＝〈－Ｈ／Ｖ）ｑｐ〉，人们由它引出结论：－（Ｈ／Ｖ）ｑｐ作为一个相函数乃是压强的瞬时值，但根据这一前提得到的压强涨落公式与准热力学理论矛盾，并引起了长期的争论．本文提出如下见解：偏导数－（Ｈ／Ｖ）ｑｐ与相变量（ｑ，ｐ）的选择有关，只有对于某种特殊的相变量，它才能表示压强的瞬时值．这时公式〈（２Ｈ／ Ｖ２）ｑｐ〉＝（ｐ／Ｖ）ｓ成立．而根据这一公式，可以从系综理论的压强涨落公式过渡到准热力学理论的压强涨落公式．     

铁电体中极化长程涨落的光子关联谱实验研究

从极化团簇的随机涨落出发, 利用维纳过程模型, 推导了铁电体中极化长程涨落的弛豫规律以及光强自相关函数所可能的表现形式. 阐述了微观极化团簇的弛豫过程与宏观测量弛豫规律之间的联系. 通过对原有氦氖激光光子关联谱实验装置进行改进, 观测了BaTiO₃和0.71Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.29PbTiO₃单晶中极化团簇长程涨落在居里点和立方到四方相变点附近的弛豫过程. 在BaTiO₃中发现极化团簇长程涨落在居里点之上4 K存在双弛豫现象, 此现象与其有序无序相变机理相联系. 在Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.29PbTiO₃中发现极化团簇长程涨落在相变点两侧都存在双弛豫现象. 利用推导的理论结果很好地拟合了实验结果并提取了极化团簇长程涨落的弛豫时间. 两种样品中极化团簇长程涨落的弛豫时间都在相变点出现突变, 并呈现临界慢化现象.     

La2/3Ca1/3MnO3的巨磁熵效应

本文对超大磁阻材料Ｌａ２／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３的巨磁熵效应进行了研究,通过测量不同磁场下的磁化－温度曲线,发现伴随铁磁－顺磁相变有一个大的磁熵变化,这个结果表明钙钛矿锰氧化物可以作为磁致冷技术中的工作物质。     

量子相变

量子相变是一种发生在绝对零度,由量子涨落而非热涨落导致的相变现象,满足著名的海森堡不确定关系。通过零温量子临界点的研究,可获知物质系统更广泛范围的行为,包括稀土磁性绝缘体,高温超导体和二维电子气体等。     

晶格量子涨落对spin-Peierls系统低能量激发态的影响

在非绝热近似下，研究了一维spin-Peierls系统中晶格量子涨落 对系统性质的影响，讨论了系统的二聚化相变、单粒子激发和双粒子束缚态. 结果表明，量子晶格涨落会抑制晶格的二聚化，破坏系统的spin-Peierls基态稳定性.在临界点，系统发生从二聚化spin-Peierls态向无能隙态的相变. 自旋声子耦合强度对束缚态能隙的影响比单粒子激发谱能隙显著. 关键词： sin-Peierls系统 非绝热近似 玻色化 相图     

非晶ZrCo合金中的超导涨落和顺电导

测量了三维非晶ZrCo的低温电阻和磁阻。磁阻的测量结果可以通过超导涨落和弱定域化两个效应的贡献来解释。实验上观测到的顺电导与Maki-Thompson(M-T)和Aslamzov-Larkin(A-L)两项贡献之和相符合。 关键词：     

三羟甲基甲胺、季戊四醇及其二元体系固-固相变的变温红外光谱研究

利用傅里叶变温红外光谱仪分别测定了三羟甲基甲胺（TAM）、季戊四醇（PE）及其二元体系变温红外谱。实验表明，多元醇分子中羟基吸收峰随温度升高耐发生位移向高波数移动，此结果既能反映多元醇及其二体系固－固相变的温度区间，又与转变热相对应，从而揭示了多元醇及其二元体系固－固相变贮热的机理。     

GdHO_（0．15）合金电阻率研究

本文利用纯Ｇｄ掺ＨＯ构成ＧｄＨＯ０１５合金，研究居里温度变化．居里温度由纯Ｇｄ的Ｔｃ＝２９３Ｋ，变化到ＧｄＨＯ．１５合金的Ｔｃ＝２７８Ｋ．并在１．５Ｔ外磁场下，液氮温区，研究磁阻变化规律．结果纯Ｇｄ的磁阻在此范围内为负的，而掺ＨＯ后，ＧｄＨＯ０．１５合金的磁阻力正，证明了掺杂ＨＯ原子影响了Ｇｄ的自旋涨落．     

KT—5C托卡马克离子温度及其涨落的实验研究

在ＫＴ－５Ｃ托卡马克上成功建立了一套静电离子探针诊断系统，测量了ＫＴ－５Ｃ托卡马克从芯部到边缘的离了温度及其涨落，实验结果表明，在边缘等离子体离子温度高于电子温度，在芯部二者趋于一致。在我们的实验条件下，离子温度和电子温度的相对涨落量基本一致，而且都是电子密度相对涨落量大小的５０％。     

多晶样品SmxC60的电子输运性质研究

通过电阻和磁阻的测量，研究了多晶样品Sm_xC₆₀的电子输运性质．实验发现：Sm_xC₆₀的输运机制随ｘ的不同而发生变化．SmC₆₀的电阻率 温度关系可用涨落导致的隧道穿透模型解释，而Sm_2.75C₆₀的输运性质则可由弱局域化和电子-电子相互作用解释．Sm_2.75C₆₀的磁阻数据能用弱局域化和电子-电子相互作用模型很好地拟合，而SmC₆₀的磁阻数据则不能． 关键词：     

二元高斯核模型的相不稳定性研究

从考虑巨势Ω在平衡点附近随密度的微小涨落δρ_α(r)的变化出发，由系统的关联函数可以研究描述高分子链二元系统的相不稳定性.在超网链(HNC)近似下研究了二元高斯核模型的相不稳定性，得到了它的相不稳定线，同时确定此相变是由浓度涨落为主的相不稳定性引起的退混合相变.将HNC近似下的结果与随机相近似下的结果进行了比较. 关键词： 高斯核模型 关联函数 相不稳定性 高分子链     

Sr2RuO4超导转变温度附近c方向磁阻行为研究

测量了Sr2RuO4正常态和超导转变温度附近(T=1.5K,4.0K,6K)c方向的磁阻,通过对正常态磁阻分析获得了Sr2RuO4在温度4K和6K下的平均自由程.通过超导涨落分析获得了Sr2RuO4的超导特性参数ξab(0)和ξc(0).     

非平衡态相变的两例——光学参量振荡和激光

本文就光学参量振荡和激光两个物理问题,讨论了非平衡态相变过程的动力特点。相变点是由稳定结点状态突变到鞍点时的转变点。说明了涨落和耗散在相变中所起的作用,得到第二类相变的临界指数(β=1/2,γ=1)。 关键词：     

Siδ掺杂Al＿xGa＿（1─x）As／GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的ＡｌｘＧａ＿１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ＿０／ｍ＿０＝０．０７３，ｍ＿１／ｍ＿０＝０．０６８）．随温度降低，子带上占据的电子增多，实验中发现：当样品温度为０．３Ｋ，横向磁场从０到７Ｔ扫描时，磁阻振荡出现间歇性的反常峰，磁阻振幅陡然增大５－６倍。     

铁电-铁电相变与热电性

研究铁电－铁电相变附近的热电性，可以获得关于相变前后自发极化的大小和取向，相变的温度分布和时间过程以及新相对称性的信息．因此，热电性测量是研究铁电－铁电相变的一个重要手段．     

低温下铁磁性金属中由电子-磁子散射导致的各向异性磁阻效应北大核心CSCD

本文采用Kubo公式计算了低温下铁磁性的含局域磁矩的金属中由于电子-磁子散射而导致的电阻,并分析了其磁阻随温度和外加磁场的变化情况.在各向同性近似下,小动量转移的电子-磁子散射导致了低温下的电阻正比于温度的平方:ρ~T^2.当考虑了实际材料磁有序的各向异性后,其磁阻效应显示出显著的各向异性特征:沿着材料的磁化方向施加磁场时,磁阻为负;而垂直于磁化方向施加磁场时,由于自旋涨落的增强,磁阻为正.本文的计算结果与实验观察到的铁磁金属材料HoAl_2和La_(1-x)Ca_xMnO_δ的磁阻行为相符.     

低温下铁磁性金属中由电子-磁子散射导致的各向异性磁阻效应

本文采用Kubo公式计算了低温下铁磁性的含局域磁矩的金属中由于电子-磁子散射而导致的电阻,并分析了其磁阻随温度和外加磁场的变化情况.在各向同性近似下,小动量转移的电子-磁子散射导致了低温下的电阻正比于温度的平方:ρ~T~2.当考虑了实际材料磁有序的各向异性后,其磁阻效应显示出显著的各向异性特征:沿着材料的磁化方向施加磁场时,磁阻为负;而垂直于磁化方向施加磁场时,由于自旋涨落的增强,磁阻为正.本文的计算结果与实验观察到的铁磁金属材料HoAl_2和La_(1-x)Ca_xMnO_δ的磁阻行为相符.