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用CH4,H2和NH3为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积在沉积有碳膜的Si衬底上制备了a-C:N:H纳米尖端,并用扫描电子显微镜和微区Raman光谱仪对碳膜和纳米尖端进行了表征。结果表明:Raman谱中含有与碳和氮相关的峰,且纳米尖端的Raman谱比碳膜的Raman谱有很强的荧光背景。Raman谱中的峰说明沉积的碳膜和纳米尖端是a-C:N:H薄膜和a-C:N:H尖端。a-C:N:H纳米尖端的Raman谱中强荧光背景的产生表明其在激发光源照射的过程中发射了强荧光,对a-C:N:H纳米尖端产生强荧光的机理进行了探讨。 相似文献
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本文研究了用还原气氛法在箱式炉内制得的BaCl2:Eu2+微晶及进一步处理后得到的BaCl2·2H2O:Eu2+微晶的发光特性,包括发射光谱、激发光谱、热释光、光激励发光(存贮效应)及其温度依赖,就这些特性对BaCl2:Eu与BaCl2·2H2O:Eu进行了比较.根据发光光谱与激发光谱分析了它们具有良好光致发光特性的原因,讨论了这两种材料在热释光性能及光激励发光(存贮效应)上的明显不同,并对BaCl2·2H2O:Eu2+中Eu2+发光的增强提出了可能的解释. 相似文献
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本文报道了a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜光致发光某些性质的研究。实验发现,这种超晶格薄膜光致发光的强度和峰值能量随交替层a-Si:H厚度,测量温度及光照时间等而变化。同时还发现,在阴、阳两极上,利用GD法沉积的样品,发光强度和峰值能量也有所不同。文中对这些实验结果作了初步解释。 相似文献
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利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变. 相似文献
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运用AMPS- ID程序研究了a-SiC:H/a-Si1-rGer:H/a-Si:H薄膜太阳能电池的光电特性.分析了a-SiC:H/a-Si1-xGes:H/a-Si:H薄膜太阳能电池短路电流、断路电压、填充因子和光电转化效率随Ge成分(或含量)x和a-Si1-sGes:H层厚度的变化.计算结果表明x=0.1和a-Si1-xGex:H厚度h=340 nm时,转化效率达到最大值 9.19%.另外,讨论了各种因素对太阳能电池性能的影响. 相似文献
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通过异质结界面分析与 AMPS 模拟计算研究了 a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池在低温工作、a-Si:H 层低掺杂、高价带补偿以及高界面态时光态 J-V 曲线出现 S-Shape 现象的物理过程,总结了 S-Shape 现象的物理原因.分析结果表明,当空穴输运受到界面势垒的限制时,空穴在 c-Si 界面附近聚集,能带重新分配,c-Si 耗尽区的电场减小,更多的电子从 c-Si 准中性区反转至 c-Si 界面及耗尽区与空穴复合,复合速率显著增大,光电流的损失显著增大,光态 J-V<
关键词:
模拟
异质结太阳电池
a-Si:H/c-Si 异质结 相似文献