离子碰撞过程中电荷转移的理论研究

用经典轨道蒙托卡罗(CTMC)方法计算离子与氢原子碰撞过程电荷转移截面,并计算俘获电子的n(n为主量子数)壳层分布。对于多电荷离子的碰撞过程,利用约化变量得到了截面的q标度规律。计算结果与实验测量符合得很好。     

(Si)n/(Ge)n超晶格几何结构

本文用Keating模型计算了Si_1-xGe_x(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)_n/(Ge)_n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)_n/(Ge)_n超晶格,用适当的Si_1-xGe_x作衬底有利于超晶格的生长。 关键词：     

激光束在漫射表面上的散射(Ⅱ)

首先在前文的基础上,对于用激光根据“光核、光带比”(D₂/D₁)来测定磨削工件表面光洁度的原理加以系统总结,然后按照经验关系R_x=5R_a(对于▽7以上光洁度),确定了表面随机高度的概率密度函数中的衰减系数。对于有限负指数型函数P₁(h)={e^{(-b(|h|/h_m))} 当|h|≤h_m; 0 当|h|>h_m, 定出b=1.23,对于正则型函数P₂(h)=e^{(-a2(h/h_m)2)} 定出a²=2.分别讨论了以上两种函数中h_m的物理意义(皆对应于1/2R_z)将前文中公式加以精确改进后,对P₁(h)和P₂(h)分别计算了D₂/D₁与R_x的关系曲线,即绝对定标曲线。最后还计算了衍射图样半强度宽与R_x的关系曲线。 关键词：     

SU(2)格点规范理论一种新作用量的弦张力的Monte Carlo计算

在10⁴格点上我们对作用量为S_p=sin1-sin(1/2)TrU_p的SU(2)格点规范系统进行了Monte Carlo模拟,计算了弦张力σ和标度常数Δ₀²之比。计算还表明,元格的平均内能和比热峰对于格点体积的变化来说是稳定的。 关键词：     

被动锁模激光器涨落模型的改进

本文对被动锁模激光器的涨落模型作了改进。用计算机对脉冲在激光器中发展的过程作模拟计算,从增益系数达到阈值时开始计算,并按自发辐射计算确定初值光强。计算中考虑了泵浦速率、激光上能级寿命及激光在增益介质处和在可饱和吸收体处的光束截面比。对钕玻璃和Nd:YAG两种情况作了计算。计算结果表明:(1)当泵浦速率超过阈值15—20％时,就得不到置信度超过93％的完善锁模。(2)最佳的光束截面比对于钕玻璃为1/2到1之间,对于Nd:YAG大于2。(3)为获得完善的锁模,染料透过率必须在一定范围之内(与损耗系数及光束截面比有关)。如果用同一种染料,对于钕玻璃的染料透过率应该高于对于Nd:YAG的透过率。最后指出了Glenn的计算中的一些缺点。 关键词：     

超导临界温度理论(Ⅲ)

本文定出超导临界温度T_c级数公式(1)的前几项系数。对于形式为α²F(ω)=(λω)/2[a₁δ(ω-ω₁)+(1-a₁)δ(ω-ω₂)]的双δ型有效声子谱及若干具体材料的谱,将级数公式计算的T_c与Allen-Dynes公式(以下简称A-D公式)及Eliashberg方程的数值解作了比较。计算表明,当级数(1)收敛时,级数公式计算的结果较A-D公式更接近于数值解。此外,本文还给出了一个近似的T_c级数公式,得到了估计该T_c级数收敛半径的方法,并计算了若干材料的收敛半径值。因此,可估计级数公式(1)的适用范围。 关键词：     

氮杂环化合物中1JCH与电荷密度的关系

本文用EHMO程序计算了氮杂环化合物中N-CH₂-R基团上C和H原子的S电子密度S_C^(o)和S_H^(o),对于吡啶盐系列S_C^(o)S_H^(o)等于1.172±0.006,对于咔唑系列S_C^(o)S_H^(o)等于1.162±0.015。实验指出,这两个系列化合物的NMR耦合常数¹J_CH分别为144±2Hz_o和135±2Hz对比计算结果和实验数据可以很好地解释¹J_CH不随取代基的改变而变化。     

激光传输码的矩阵法

本文研究了假定具有高斯强度分布的CO_2激光束传输矩阵,其中包括吸收、湍流和热晕参数.所计算的参数为有效光束半径(1/e~2)和轴上光。对于中等功率电平,计算结果与计算机编码“COMBO”(轨道间错离计算)一致,而对于高功率电平,热晕模型预测的结果比COMBO预测的更糟。     

半导体异质结(111)面的界面偶极子及其对能带偏移的影响

本文采用紧束缚的界面键极性模型(interface-bond-polarity-model),计算了匹配的半导体异质结(111)面的界面偶极子,并将计算结果与(110)和(001)面的结果进行了比较,讨论了界面取向和界面成分对偶极子的影响。结果表明,对于两边同是Ⅲ-V族半导体或同是Ⅱ-Ⅵ族半导体的异质结,界面偶极子几乎不依赖于界面的取向和界面的组成,因此,能带偏移也基本上是各向同性的。对于两边由不同类型半导体组成的异质结,如Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ体系、Ⅲ-Ⅴ/Ⅳ和Ⅱ-Ⅵ/Ⅳ体系,混和的阴离子(111)界面给出的偶极子小于零,而混和的阳离子(111)界面给出的偶极子大于零,二者的平均值等于中性的(110)界面的偶极子。 关键词：     

1f_(7/2)壳层不同种核子组态核能谱与两体自旋轨道耦合作用

本文采用中心力加两体自旋轨道耦合力作剩余相互作用,用纯组态壳模型计算了1f_(7/2)壳层不同种核子组态原子核~(43)Sc,~(44)Ti,~(52)Fe,~(53)Fe,~(53)Co等能谱。计算结果与实验值符合程度令人满意。从而表明两体自旋轨道耦合作用对于1f_(7/2)壳层不同种核子组态原子核能谱的影响也是重要的。     

CdxHg1-xTe混晶声子谱的远红外光谱研究

在温度4.2—300K和波数15—5OOcm^-1的范围内研究了x=0.18到0.45的不同组分的Cd_xHg_1-xTe的远红外吸收光谱。除剩余射线吸收带两侧的双声子吸收结构外,实验首次观察到一个位于波数20—50cm^-1的低频吸收带。用面间力常数的密度函数法等估计了Cd_xHg_1-xTe混晶的声子谱,并将上述低频吸收带归之于混晶导致的无序和“掺杂”诱发TA声子带模吸收效应。 关键词：     

红宝石吸收宽带的强度

红宝石晶体中Cr³⁺与六个近邻O^2-组成一个有严重畸变的正八面体,因而高阶奇晶场与一阶奇晶场有相同的数量级。由于红宝石中Cr³⁺的格位近似保持C_3v对称,T_2u型的高阶场非常小,可以忽略,但T_1u,A_2u型高阶晶场对红宝石吸收谱强度则原则上不能予以忽视,对于Y带和U^⊥带,高阶场有显著贡献,但对U^‖带,所产生的强度非常小。本文考虑了格点奇对称振动对U,Y带强度的贡献,发现U^‖带主要是奇振动与电子耦合产生的吸收谱。由此出发,讨论了红宝石宽带振子强度、带形等问题,得到了与实验相符合的结果。     

BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究

通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试, 实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强.理论分析表明, BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜,价带电子隧穿带间位垒而在带隙 中出现的概率增加,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果.不同能量光子激发 下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和斯塔 克(Stark)效应在金属氧化物半导体材料上的体现. 关键词： 金属氧化物半导体薄膜 光子协助隧道效应 电致吸收 夫兰茨-凯尔迪什效应     

硅中热施主的电子结构

利用20—300K的Hall系数测量和6-300K的红外光吸收,研究了含氧P型CZ硅单晶经450℃不同时间热处理后所产生的热施主问题。Hall系数测量表明:经100hr热处理的样品存在两个施主能级:E₁=58meV,E₂=110meV。对不同热处理时间的样品,从低温红外光吸收则可看见由于热施主所引起的复杂吸收光谱。这些吸收峰的数目随着热处理时间的加长而增加和加强。利用类氢模型和有效质量理论拟会和计算,可以证明与氧有关的热施主很可能是双重电荷施主。这些双重施主有多种组态,它与450℃热处理的时间有关。 关键词：     

利用三阶微商吸收光谱确定C60分子能隙

利用三阶微商吸收光谱观测到可见区C₆₀分子电子光谱中丰富的振动光谱结构.通过对此类电子-振动跃迁的指认分析，给出了C₆₀分子部分振动模频率，确定了C₆₀分子能隙. 关键词：     

AgI(Cr2O3)复合离子导体的光谱研究

本文研究了AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的红外吸收光谱,近紫外、可见反射光谱。发现复合离子导体的两种谱图均与纯AgI,Cr₂O₃的不同。红外吸收光谱在882—889cm^-1处有一新吸收峰。电子谱中,AgI从430nm开始向长波方向表现的光离解特性消失。本来Cr₂O₃由配位场效应而引起的d—d吸收跃迁以410nm,530nm为中心的反射谱带,现在410nm处的谱带消失。530nm处的谱带稍有红移,且随加入Cr₂O₃量的增多而强度减弱。代之以整个紫外、可见区的较强吸收。对此,结合透射电子显微镜的分析,用双声子耦合和介质的变形极化以及配位场理论对AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的声子谱和电子谱进行了解析。 关键词：     

LaNi5-NdNi5,LaNi5-CeNi5赝二元系相图和吸氢性能的研究

本文用X射线衍射和差热分析的方法测定了LaNi₅-NdNi₅,LaNi₅-CeNi₅两个赝二元系相图。用X射线衍射线宽化法测定了活化后LaNi₅-NdNi₅体系的样品晶粒尺寸的各向异性。考查了吸氢性能和第二相存在对LaNi₅吸氢性能的影响。测定和计算了两个体系中样品的点阵常数、单胞体积、原了间距吸氢前后的变化。从结构的观点,解释了LaNi₅-NdNi₅体系中活化后样品晶粒尺寸各向异性的原因。用本实验的结果,解释了RmNi₅(Rm代表混合稀土金属)的吸氢量和平台压力的差异。 关键词：     

固液同成分点组分的LiNbO3晶体吸收边的异常紫移

本文报道了固液同成分点组分的LiNbO₃晶体的本征吸收边的异常紫移的实验结果。这一结果有助于说明,在固溶体中,固液同成分点的存在对应于晶体中最强的Nb—O键合状态。 关键词：     

铯饱和吸收光谱随抽运光强度的变化

研究了铯饱和吸收光谱随抽运光强度变化的情况，特别是６^２Ｓ_１／２Ｆ＝４→６^２Ｐ_３／２Ｆ′＝５的谱线的变化行为．在线偏振光抽运、线偏振光检测的情况下，计入所有相关的Ｚｅｅｍａｎ子能级之间的跃迁，考虑光抽运与饱和效应的共同作用，运用Ｒｕｎｇｅ-Ｋｕｔａ法则求解粒子数方程，计算得出的饱和吸收谱与实验结果符合得较好．还给出了较直观的物理解释 关键词：     

AgI(Cr2O3)混合离子导体改性的机理研究

本文研究了Agl(Cr₂O₃)混合离子导体的红外吸收光谱、近紫外、可见反射光谱,透射电子显微镜的显微形貌及成份分析,发现混合离子导体的微观结构与纯Agl,Cr₂O₃不同。由透射电子显微镜的显微形貌得出不同于他人的介质模型。提出电介质引起的变形极化,导致了微观精细结构改变的观点。并对其物性改变的机理给予了讨论。 关键词：