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BSO晶体生长固/液边界层结构的实时观测研究 总被引:3,自引:0,他引:3
实时测量BSO晶体水平区熔法生长过程中,研究固/液边界层以及边界层两侧的晶体和熔体的显微拉曼光谱,晶体生长固/液边界层以及边界层两侧的熔体和晶体的结构特征, 生长基元结构从熔体结构经边界层过渡到晶体结构的变化过程。结果显示, BSO熔体中存在Bi3O4和[SiO4]的键合结构; Bi3O4分子基团在固/液边界层聚合形成[BiO7]八面体单体、多聚体,与[SiO4]结构基团联结,在通过固/液边界层时进入格位。 相似文献
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本文报道了室温下,固液同成分点熔体中生长的LiNbO_3紫外光学吸收边的测量结果;并通过对晶体a~(1/2)~hv曲线的研究,肯定了4.0eV以下吸收边的间接跃迁性质;讨论了三段直线的意义;确定了禁带宽度E_9值为3.38eV. 相似文献
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在非同成分配比条件下.从熔态中生长单晶体的问题是十分重要的.这是由于目前正在广泛应用和探索的新型单晶材料,大都是多组元体系,往往不存在固液同成分点,或者即使存在固液同成分点,但由于配料误差,作同成分的挥发损失,容易造成体系组分偏离同成分点,单晶生长过程也将是在固-液两相区进行. 为了讨论在两相区生长单晶发生的分凝现象,Pfann[1]推导了组分分布公式;Hurle[2]推导了不产生组分过冷的条件.他们的推导是在分凝系数k为常数的假定下进行的,也就是对二元系,固相线与液相线为直线相交于某一组元熔点的情况. 本文的目的是对分凝系数不… 相似文献
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利用气相平衡扩散法研制出掺镁不同组分的LiNbO3晶体,并对其极化特性进行了研究.研究表明晶体的开关电场和自发极化不仅与晶体组分[Li]/[Nb]比有关而且与掺镁量有关,[Li]/[Nb]比为0.973掺入2mol% MgO的近化学比LiNbO3晶体的开关电场仅为1.8kV/mm,是同成分晶体的1/12,且其极化结构的质量要远好于同成分LiNbO3晶体和近化学比LiNbO3晶体.
关键词:
气相平衡扩散
3晶体')" href="#">掺镁LiNbO3晶体
周期极化 相似文献
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对固液同成分SBN:Cr(Sr0.61Ba0.39Nb2O.6:Cr)晶体在外加直流电场作用下的光折变二波耦合特性及其应用进行了实验研究,分析了晶体的二波耦合强度增益 系数随外电场变化的趋势,并给出了实验测量结果.发现在适当的外电场作用下,晶体的光折变二波耦合增益和响 应速度可以得到一定程度的提高.进一步的研究表明,这种电场响应特性有助于改善SBN:Cr晶体的某些应用性能.利用该晶体通过光折变二波耦合非线性放大原理实现光学图像边沿增强时,通过给晶体沿轴向施加适当的外电场,可进一步提高图像边沿增强效果;在基于光 折变边沿增强预处理的联合变换相关器中,适当的外加电场可进一步改善联合变换相关器的相关识别性能.
关键词:
SBN:Cr晶体
光折变二波耦合
边沿增强
联合变换相关器 相似文献
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利用电化学分析仪对掺铁同成分铌酸锂晶体进行瞬态光电导研究. 以不同掺铁浓度铌酸锂晶体为样品, 在不同强度的纳秒级脉冲光照射下对光电导的研究发现: 铌酸锂晶体的瞬态光电导是由较为复杂的电子迁移过程形成, 其衰减可以用一个指数函数叠加一个扩展指数来拟合. 拟合参数与光强、掺铁浓度存在以下依赖关系: 入射光强增强时, 幅值σ1max、σ2max、时间常数τ2和扩展因子β 值增大, 在光强增大到一定时, τ2和β出现饱和; 晶体的掺铁浓度升高时, σ1max、σ2max、τ2 值增大, 而β值减小. 根据实验结果, 从理论上提出了光电子导带迁移伴随光电子在小极化子上跳跃迁移的复合电荷传输模型. 该模型较好地解释了掺铁同成分铌酸锂晶体的光电导的衰减特点. 相似文献
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我们通过测定MgO在同成分LiNbO3中的有效分凝系数、相位匹配温度与MgO浓度之间的关系,找到了使Mg:LiNbO3晶体的相位匹配温度达到最高的掺MgO配方,并克服了Mg:LiNbO3晶体在高掺杂生长时易出现生长条纹和脱溶等问题,从而生长出了抗光折变能力强,光学均匀性良好的Mg:LiNbO3晶体。用于连续泵浦Nd:YAG声-光调Q腔内倍频时,获得了平均功率最高达2瓦的二次谐波输出。
关键词: 相似文献
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本文利用耦合的技巧,建立了Ising模型与接触过程的联系。由此给出了Ising模型临界温度的上界,即n维Ising模型的临界点βc(n)应满足 exp{2βc(n)(2n-1)}·(exp{2βc(n)}-1)≥2/2n-1。特别是三维Ising模型的临界点βc(3)>1/2ln1.17。
关键词: 相似文献
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红宝石晶体中Cr3+与六个近邻O2-组成一个有严重畸变的正八面体,因而高阶奇晶场与一阶奇晶场有相同的数量级。由于红宝石中Cr3+的格位近似保持C3v对称,T2u型的高阶场非常小,可以忽略,但T1u,A2u型高阶晶场对红宝石吸收谱强度则原则上不能予以忽视,对于Y带和U⊥带,高阶场有显著贡献,但对U‖带,所产生的强度非常小。本文考虑了格点奇对称振动对U,Y带强度的贡献,发现U‖带主要是奇振动与电子耦合产生的吸收谱。由此出发,讨论了红宝石宽带振子强度、带形等问题,得到了与实验相符合的结果。 相似文献
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本文指出,对于实际的归一化有效声子谱函数g(ω),一般来说,zph≡F(-ωph-2是函数z=F(y)≡∫0(ωph)(ω2y)/(ω2y+1)g(ω)dω的反函数的分支点。因此,在估算超导Tc级数的收敛半径时,应当予以考虑。
关键词: 相似文献
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本文中用一个简单的两能带模型讨论了费米面复连通性对超导体性质的影响。计算表明,它的效应与各向异性类似。利用Абрикосов和Горъков所发展的格林函数方法讨论了杂质散射的影响。有杂质时只有一个能隙,且大于纯超导体两个能隙中较小的一个。加杂后转变温度,临界磁场及其在T=0°K附近的温度系数下降,但转变点比热跳跃的相对值增加。低掺杂时在实验中同时测量这些量的变化可以定量地检验理论计算。高掺杂两能带超导体的性质与单能带情形完全相同。此外,利用本文的结果讨论了Pb膜的隧道效应实验和In-Sn,In-Pb系统中的转变温度反常。 相似文献
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本文主要从X射线的研究,并配合差热分析,测定了1000℃以下的Fe-Ga二元系平衡图。这一系统在室温存在着三个居间相ε,χ和Ψ。ε相是有序面心立方结构,相当于理想化合式Fe3Ga,相区范围很窄。在550℃上下,这个相转变为另一相ξ,这是在高温从Ga在Fe中的固溶体直接分出来的,这个高温相的结构尚未测定。χ相的均匀范围较大,在室温从55at.%Ga延伸到60at.%Ga,结构似乎非常复杂,可能的化合式是Fe4Ga5,Fe3Ga4或Fe2Ga3,这是在960℃上下由包晶反应形成的。Ψ相由另一包晶反应形成,反应温度为820℃,Ψ相属四方晶系,在20℃,α=6.2628?,c=6.5559?,空间群为D4h14-P42/mnm,晶包内含四个化合式量FeGa3。没有观察到Fe在Ga中有任何固溶度。从FeGa3到Ga,存在着一条共晶等温线,共晶点非常接近纯Ga,在约590℃,存在着一条共析等温线,共析点在50at.%Ga左右,在这里Ga在Fe中的固溶体同时分解成ξ和χ。这个系统中最值得注意的是Ga在Fe中的原生固溶体。在室温的固溶度是15.2at.%,它随温度而逐渐递增,在700℃以上,则突增到约50at.%,在625℃以下的结构是体心立方体,在相图中用α代表。但在625℃以上,这个相又转变为两个不同的结构,并且各占据着一定的相域,在相图中各用α1和α2代表。α1和α2的结构尚未经测定,最可能是从α结构导生的、由基本单胞依照一定规律堆垜起来而产生的原子的重新排列或空位缺陷。 相似文献
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本文对在给定水的三相点的绝对温度以一定的数值(例如T3=273.1700),同时以绝对温标代替摄氏温标以后所引起的一些实际问题作了讨论。这些问题包括气体温度计的改正及电阻温度计和温差电偶温度计的规定。本文指出,在以绝对温标为标准以后,寻求冰点的绝对温度与对气体温度计的改正两种工作统一起来了。又指出,在以绝对温标为标准以后,绝对温度测量的精确度将大大提高。 相似文献