类镍等电子系列离子M1,M2,E2禁戒跃迁特性的理论研究

利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99，计算了类镍等电子系列离子(Z=45—95)的基组态3s²3p⁶3d¹⁰¹S₀以及低激发组态3s²3p⁶3d⁹4l,3s²3p⁵3d¹⁰4l和3s3p⁶3d¹⁰4l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用，解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象，探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律.     

Wn(n=3—27)原子团簇结构的第一性原理计算

使用密度泛函理论下的第一性原理方法，对W_n原子团簇(n=3—27)的结构特性进行了理论计算. 得到了W_n团簇(n=3—7)的最低能量结构和(n=8—27)的局域能量极小的典型结构. 使用凝胶模型，提出的电子组态1s²1p⁶1d¹⁰2s²1f¹⁴2p⁶3s     

Ar原子偶宇称3p5(2P1/2)nl′ [K′]J (l′=1, 3)自电离Rydberg态共振增强激发光谱

用脉冲直流放电产生Ar原子亚稳态3p⁵4s[3/2]₂和3p⁵4s′[1/2]₀．在单光子32500～35600 cm^-1能量范围内, 结合飞行时间质谱技术获得Ar原子共振增强激发光谱．光谱分析表明,所有谱线来源于Ar原子3p⁵4s[3/2]₂和3p⁵4s′[1/2]₀两个亚稳态吸收单个光子向偶宇称np′、nf′自电离Rydberg态序列的跃迁．实验观测到许多新的自电离能级,并获得更精确和系统的能级位置和量子亏损值数据．     

2s1/2—1d3/2壳层原子核能谱的壳模型分析

本文对2s_1/2-1d_3/2壳层原子核(A=30—40)能谱作了系统分析,计算仅限于由2s_1/2和1d_3/2支壳层产生的情态,但考虑了它们之间的全部组态混合效应。计算是采用多粒子壳模型的Talmi方法,将二体矩阵元当作参数,其值由实验确定。文中详细分析了Si³⁰,Si³¹,P³⁰,P³¹,P³²,S³²,Ar³⁷,Ar³⁸,K³⁸等原子核能谱,理论与实验符合颇好。     

Ar原子偶宇称3p5(2P1/2)nl''[K'']J(l''=1,3)自电离态激发谱线形研究

The even-parity autoionizing resonance series 3p⁵np''[3/2]_1,2, 3p⁵np''[1/2]₁, and 3p⁵nf''[5/2]₃ of Ar have been investigated exciting from the two metastable states 3p⁵4s[3/2]₂ and 3p⁵4s''[1/2]₀ in the photon energy range of 32500-35600 cm^-1 with an experimental bandwidth of ~0.1 cm^-1. The excitation spectra of the even-parity autoionizing resonance series show typical asymmetric line shapes. New level energies, quantum defects, line profile index and resonance widths, resonance lifetime and reduced widths of the autoionizing resonances are derived by a Fano-type line-shape analysis. The line profile index q and the resonance widths Γ are shown to be approximately proportional to the effective principal quantum number n^*. The line separation of the 3p⁵np'' autoionizing resonances is discussed.     

SiO2分子的基态(X1A1)结构与分析势能函数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO₂分子的电子态及其离解极限，采用B3P86方法，在6-311G^**水平上,优化出SiO₂基态分子稳定构型为单重态的C_2V构型，其平衡核间距R_e=R_Si—O=0.1587 nm,∠OSiO＝111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率ν(B₂)=945.4cm^-1，弯曲振动频率ν(A₁)=273.5 cm^-1和反对称伸缩振动频率ν(A₁)=1362.9cm^-1.在此基础上，使用多体项展式理论方法，导出了基态SiO₂分子的全空间解析势能函数，该势能函数准确再现了SiO₂(C_2V)平衡结构.     

钪原子的自电离里德伯能级3d4s(1D2)nf2 D3/2,3d4s(1D2)nf2 F5/2和3d4s(1D2)np2 D3/2<

在多通道量子亏损理论框架下,利用相对论多通道理论,分别在冻结实近似和考虑偶极极化下计算钪原子的J^π=(3/2)^-,(5/2)^-的三个收敛于 3d4s(¹D₂)的自电离里德伯系列的能级.对3d4s(¹D₂)np²D_3/2和3d4s(^{1 关键词： 相对论多通道理论 多通道量子亏损理论 电子-电子关联 自电离里德伯系列}     

199Hg+光频标的黑体辐射频移

光学频率标准会受到环境温度的黑体辐射影响发生频移,进而影响其准确度. 本文估算了¹⁹⁹Hg⁺的超精细能级5d¹⁰6s²S_1/2 (F=0)和5d⁹6s^{2 2}D_5/2 (F=2)的极化率,得到了室温(300 K)下黑体辐射引起的相对频移为-5.4×10^-17, 最后讨论了低温环境下黑体辐射对¹⁹⁹Hg⁺光频标的影响.     

Xe原子偶宇称5p5(2P1/2)nl'' [K'']J (l''=1, 3)自电离态共振增强激发光谱线形研究

利用脉冲直流放电技术制备的Xe原子亚稳态5p⁵6s[3/2]₂和5p⁵6s'[1/2]₀, 在单光子为28000～42000 cm^-1能量范围内, 结合飞行时间质谱技术获得Xe原子5p⁵np'[3/2]₁,[1/2]₁和5p⁵nf'[5/2]₃自电离Rydberg态的共振增强激发光谱. 根据Fano线形公式对呈现明显不对称线形的激发谱进行系统地分析,获得系统的能级位置、量子亏损、线性因子、共振宽度、共振态寿命和衰减宽度等数据,其中线形因子和共振宽度相对有效量子数呈线性关系. 另外分析了5p⁵np'序列的能级间距.     

Interactions of charmed mesons with nucleons in the ¯<Emphasis Type="Italic">p</Emphasis><Emphasis Type="Italic">d</Emphasis> reaction

We study the possibility to measure the elastic ΦN (Φ≡J/ψ,ψ(2S), ψ(3770), χ_2c) scattering cross section in the reaction ˉp+d→Φ+n _sp and the elastic D(ˉD)N scattering cross section in the reaction ˉp+d→D ⁻ D ⁰ p _sp. Our studies indicate that the elastic scattering cross sections can be determined for Φ momenta about 4–6 GeV/c and D/ˉD momenta 2–5 GeV/c by selecting events with p _t≥ 0.4 GeV/c for Φ's and p _t(p _sp) ≥ 0.5 GeV/c for D/ˉD-meson production. Received: 8 November 1999     

铥原子收敛于4f13(2F7/2o)6s(7/2,1/2)4o和4f13(2F7/2o)6s(7/2,1/2)3o偶宇称里德伯系列能级的电子关联效应

本文在多通道量子亏损理论框架下,利用相对论多通道理论,计算了铥原子收敛于4f¹³（²F_7/2^o）6s（7/2,1/2）₄^o和4f¹³（²F_7/2^o）6s（7/2,1/2）₃^o的三个偶宇称里德伯系列.通过将计算结果与美国国家标准与技术研究院数据进行比较,展示了两种类型的电子关联效应：1）里德伯系列之间的相互作用,导致里德伯系列的能级出现整体偏移;2）一个孤立的干扰态镶嵌在一个里德伯系列中,破坏了该里德伯系列能级的规则性.     

用同步辐射研究掺Tb3+氟化物K2GdF5的光谱和Gd3+-Tb3+能量传递

对比了不同激发波长下水热法合成的K2GdF5:Tb3+(摩尔分数0.5％)单晶材料的光致发光谱线;监测了5 D3→7F6和5 D4→7 F5的激发谱,给出了几组窄带吸收和3个宽带吸收;分析表明窄带发射为Gd3+的8 S7/2→6FJ、8S7/2→6GJ、8S7/2→6DJ、8S7/2→6IJ的跃迁,宽带发射为Gd3+的...     

低速~(84)Kr~(15+,17+)离子轰击GaAs单晶

用345 keV的Kr15+和340 keV的Kr17+离子以45fi角入射n型GaAs单晶(100)面,测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线.Krq+(q=15,17)离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能量引起Ga原子激发,其辐射光谱为Ga I 403.2 nm和Ga I 417.0 nm.入射离子中性化过程中俘获GaAs导带电子形成高激发态原子,通过级联退激填充3p,4d等空穴,P壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm,Kr II 430.4 nm,Kr II 434.0 nm和Kr II 486.0 nm,Kr II486.0 nm为较强谱线.实验结果表明,入射离子与GaAs单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关,较高电荷态Kr17+离子入射产生的光辐射产额大约为Kr15+离子的两倍.     

Eu3+掺杂5Li2O-1Nb2O5-5TiO2发光陶瓷的制备及性能研究

以Li₂CO₃、Nb₂O₅、TiO₂和Eu₂O₃为原料,采用固相法制备Eu³⁺掺杂的5Li₂CO₃-1Nb₂O₅-5TiO₂（LNT）发光介质陶瓷。通过密度、XRD和荧光光谱测试,对0.2%（质量分数）Eu₂O₃掺杂的陶瓷片进行性能表征。结果表明：1 120℃烧结致密的陶瓷片,其晶相结构为“M-相”与Li₂TiO₃两相复合构成;在400 nm的近紫外光激发下,样品有较强的橙光（592 nm）和红光（615 nm）发射,分别属于Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₁的磁偶极跃迁和⁵D₀→⁷F₂的电偶极跃迁。     

State selective laser photodissociation of Tl2 at 337.1 nm by optogalvanic spectroscopy

This paper reports the first time achievement of laser photolysis of thallium dimers by single photon absorption of N₂-laser light at 337.1 nm resulting in a large population inversion of thallium 7 ²S excited state with respect to 6 ²P state. The photodissociation nitrogen laser pulse is spatially and temporally overlapped with the tunable dye laser pulse that is used for confirming the production of selectively excited thallium atoms. The dye laser excites the thallium atoms from 7 ²S state to high lying Rydberg states that collisionally ionize giving an ion-current signal which is subsequently processed by a box-car average/integrator and recorded on the chart recorder. The photodissociation of Tl₂ to Tl(7 ²S ) state demonstrates the existence of the molecular dissociative state 1g that is correlated with Tl 7 ²S +6 ²P states. A complete absence of 6 ²P state population among the photolysis products indicates a 100% prompt population inversion between 7 ²S and 6 ²P atomic states.     

真空紫外区Ar的高次离化光谱的研究

本文报道了波长在2000—194?真空紫外区域内Ar的高次离化光谱工作。观察到相当数量的新谱线,并归属了其中64条,还找到六个新能级,即:ArIV 3s²3p²(³P)3d²F_5/2,7/2, ArIV 3s²3p²(¹D)3d²S_1/2, ArV3s²3p3d关键词：     

The Hanle effect for the 3 S1/2 ↔ 3 P1/2 transition of sodium

Experimental results are reported for the Hanle effect on the 3 ²S_1/2 ↔ 3 ²P_1/2 transition of sodium at vapour densities between 10⁹ and 10¹² at/cm³.     

白光LED用红色荧光粉Sr2EuxGd1-xAlO5的制备及其发光性质

用高温固相反应法合成了Sr₂Eu_xGd_1-xAlO₅红色荧光粉,研究了荧光粉的晶体结构和发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu³⁺的⁵D₀→⁷F_J(J=0,1,2,3,4) 特征发射组成,其中Eu³⁺离子的⁵D₀→⁷F₁(λ=590 nm)和⁵D₀→⁷F₂(λ=622 nm)跃迁发射的强度最大。当Eu³⁺离子的摩尔分数为 0.75时,样品的发光最强。研究结果表明,Sr₂Eu_xGd_1-xAlO₅荧光粉是一种在近紫外芯片白光LED上有应用前景的红光荧光粉。     

近紫外激发具有颜色可调的Er3+/Eu3+共掺BiOCl荧光粉

本文采用固相法在500℃合成了Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl 荧光粉, 并通过XRD, SEM, 吸收, 激发和发射光谱研究了其结构、形貌和发光特性. XRD 和SEM结果表明在500℃下即可成功合成纯四方相片层结构的Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl荧光粉. 吸收光谱表明掺杂Er³⁺/Eu³⁺离子使BiOCl形成杂质能级; 激发光谱显示该荧光粉具有来自于基质BiOCl价带(VB)到导带(CB)跃迁的优异宽带近紫外激发特性. 在380 nm近紫外光激发下, 同时获得了Er³⁺离子和Eu³⁺离子的特征发射峰, 其中发光中心位于410 nm (²H_9/2→⁴I_15/2), 525 nm (²H_11/2→⁴I_15/2), 554 nm (⁴S_3/2→⁴I_15/2), 673 nm (⁴F_9/2→⁴I_15/2)的发射峰来自于Er³⁺离子的跃迁, 而581 nm(⁵D₀→⁷F₀), 594 nm (⁵D₀→⁷F₁), 622 nm (⁵D₀→⁷F₂), 653 nm (⁵D₀→⁷F₃), 699 nm (⁵D₀→⁷F₄)的发射峰则来自于Eu³⁺离子的跃迁. 值得注意的是, 与传统Er³⁺/Eu³⁺掺杂的材料不同, 该荧光粉还具有独特高效的紫光(Er³⁺)和长波红光(Eu³⁺)发射特性, 分析表明这与BiOCl的结构有关; 并且通过改变掺杂浓度, 实现了发光颜色由黄绿光→黄光→橙红光的调节. 研究结果表明Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl荧光粉有望成为一种潜在的近紫外激发白光LED荧光粉.