La1．85Sr0．15CuO4纳米线阵列的微结构与超导电性

采用溶胶凝胶结合多孔氧化铝硬模板约束的方法，成功制备出直径约30nm的La1．85Sr0．15CuO4纳米线阵列，用XRD与X-ray EDX测定了所制备纳米线的物相与成分；FE-SEM与TEM表征了其形貌特征；由HRTEM与SAKD测量分析了其微结构；磁化强度的测量结果表明样品具有L-30K的超导电性，比块材La1．85Sr0．15CuO4的Tc稍低．分析表明所制各的样品中存在一种α，b轴拉伸，c轴压缩的结构畸变，减弱了铜氧面内Cu3d和O2p轨道的杂化程度，减小了α，b面内的态密度，从而压制了体系的超导电性．     

空穴注入法掺杂对La_(2-x)Sr_xCu_(0.94)Ti_(0.06)O_4体系微结构的影响(英文)

本文首先在最佳掺杂的La1.85Sr0.15CuO4体系中用6%的Ti 4+取代Cu2+使其超导电性完全消失,然后用空穴注入法掺杂成功地合成了La2-xSrxCu0.94Ti0.06O4(0.15≤x≤0.39)系列多晶样品,并用X光衍射、红外透射光谱和拉曼光谱等实验手段对样品的结构、微结构以及样品中CuO6八面体的振动模进行了系统地研究.红外透射光谱和拉曼光谱测量研究结果表明,被注入的空穴将补偿那些围绕在杂质Ti周围的电子,这将导致Ti的有效价态降低并弱化CuO2面上的不对称性,使那些近邻杂质的被局域化的空穴重新变成巡游载流子,进而将重新开始对超导电性负责.     

超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯复合材料的输运性质

采用热压法获得了具有不同混合比例的超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯导电复合材料,并利用x射线衍射、扫描电子显微镜和标准四引线方法对复合材料的结构和低温电输运性质进行测量.实验结果显示,超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4颗粒随机分布在聚合物本体中,相互间没有连接构成网络结构.在正常态下,复合材料的电阻-温度变化曲线给出类半导体行为.但对应于超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4的超导转变温度Tc处,复合材料的电阻-温度变化曲线出现了极小值.室温下电阻率ρ随外加电场强度E的变化曲线测量结果表明,ρ-E曲线为一线形关系,随着电场强度E增加,电阻率ρ下降.文中对可能存在的导电机制进行分析,结果表明隧道贯穿模型可以很好地解释复合材料的导电机制.另外,外加电场强度E对复合材料的电输运特性有明显的影响.     

(La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的输运性质的研究

通过对系列（La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4（x=0,0.05,0.10,0.15)的多晶样品在4.2K-300K的电阻率和液氮温区内的热电势的测量,发现（La1-xSmx)0.185Sr0.15CuO4的电阻率在高温区呈现出线性关系,其斜率也随着x的增大而增大,在x=0.10时达到最大,而在Tc到100K的温区,随着Sm含量的增加,则呈现出由金属行为到类半导体行为的转变,同时超导温度Tc也随着降低,液氮温区内的温差热电势反映了随着Sm含量的增加,体系的载流子浓度也随之降低。     

高温超导体的电子结构、反铁磁交换和磁性超导机制

高温超导体中电子的自旋和电荷一样重要。文章对高温超导体的电子结构、磁性相互作用和关于单胞层La1.85Sr0.15CuO4存在超导态的最新实验结果作了扼要的介绍，并指出，电子的有效自旋耦合应当是产生高温超导电性的原因。     

电子型超导体Nd1.85Ce0.15CuO4单晶输运性质研究

我们测量了最佳掺杂的Nd1．85Ce0．15CuO4单晶的电阻率和ab面以及c方向热电势．ρ-T曲线在高温下表现为非常好的直线，超导转变比较尖锐Tc,mid=20．6K，说明我们的样品品质很好．低温下的电阻率拟合结果表明频率大约100K的软声子模与载流子有强烈相互作用，这是极化子模型有力的证据．对于热电势结果，令人惊奇的是，无论数值还是曲线形状，包括低温曳引峰的位置，c方向的热电势Sc与ab面内的热电势Sab非常接近．这可能是某种共同的机制导致的结果．比较Nd1．85Ce0．15CuO4和Sm1.85Ce0.15CuO4的热电势曲线可以发现，二的数值和曲线形状基本相同，而与La1．85Sr0．15CuO4差异较大，这进一步说明了顶点氧在这些体系中的作用．     

电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4-δ中Cu位V替代对超导电性的影响

本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCCO)中V4 离子替代Cu2 离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0～0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V4 离子替代Cu2 离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V4 替代Cu2 对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.     

La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4的结构相变研究

用高分辨电镜观察了室温下La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4和La1.88Sr0.12CuO4样品的原子结构像,观察到了其中的La2O2层和CuO2层沿c轴方向交叉堆砌.这两个样品的微结构非常相似,说明Nd掺杂没有造成周期性的调制结构.用变温X射线研究了La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4样品中低温正交(LTO)到低温四方(LTT)结构相变,给出了晶格常数随温度的演化过程.     

La1．48Nd0．4Sr0．12CuO4的结构相变研究

用高分辨电镜观察了室温下La1．48Nd0．4Sr0．12CuO4和La1.88Sr0.12CuO4样品的原子结构像，观察到了其中的La2O2层和CuO2层沿c轴方向交叉堆砌．这两个样品的微结构非常相似，说明Nd掺杂没有造成周期性的调制结构．用变温X射线研究了La1．48Nd0．4Sr0．12CuO4样品中低温正交（LTO）到低温四方（LTT）结构相变，给出了晶格常数随温度的演化过程．     

Sm2-xCexCuO4的物性研究

制备了Sm2-xCexCuO4的多晶样品.X-射线粉末衍射结果表明,该系列样品为K2NiF4214结构,当0.090.17时,为T'相.电阻率测量在0.15,0.17,0.19样品上观测到超导转变.最高Tc对应于x=0.17为13.6K,均远低于(Pr0.8La1.2)1.85Ce1.2CuO4 的超导转变温度(30K).这是由于该系列样品在远高于超导转变温度时就存在更强的载流子局域化效应.磁化率测量结果表明x=0.17的样品为体超导.该体系样品的Tc低、抗磁信号小与载流子的强局域化效应有关.热电势测量结果表明,在最佳超导组份附近斜率改变符号,欠掺杂区域载流子为电子型,过掺杂区域载流子为空穴型.