基于沉淀工艺制作四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极的研究

采用沉淀法制备四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极，将阴极和荧光屏封装起来抽真空并对屏施加电压，测试阴极的发射电流和荧光屏的发光亮度.利用沉淀法制备出面积为(13×15) cm²的阴极，测试结果表明，硅酸钾体积百分比在50×10^-3—83×10^-3范围，硝酸钡浓度在50×10^-4—77×10^-4 M范围，四脚氧化锌的浓度在82×10^-4—12×10^{-3相似文献}   

一种新型掺铒碲酸盐玻璃的光谱性质研究

研究了一种新型掺Er³⁺碲酸盐玻璃的光谱性质；应用Judd-Ofelt理论计算了碲 酸盐玻璃中Er³⁺离子的强度参数Ω(Ω₂=479×10^-20 cm²,Ω₄= 152×10^-20cm²,Ω₆=066×10^-20cm2)，计算了离子的自发跃迁概 率，荧光分支比；应用McCumber理论计算了Er³⁺的受激发射截面(σ_{e=1040×1 0^-21cm²)，Er³⁺离子⁴I13/ 2→⁴I15/2发射谱的 荧光半高宽(FWHM=655nm)及各能级的荧光寿命(⁴I13/2 能级为τrad =399ms)；比较了不同基质玻璃以及不同类型碲酸盐玻璃中Er³⁺离子的光谱 特性， 结果表明该掺铒碲酸盐玻璃具有更好的光谱性能，更适合于掺Er³⁺光纤放大 器实现宽带和高增益放大. 关键词： 碲酸盐玻璃 光谱性质 Judd-Ofelt理论}     

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流-电压特性和低频噪声研究，测试温度范围255—293K.实验结果表明随着温度的下降，器件的优值因子R₀A从45×10³Ωcm²增加到7×10⁴Ωcm².器件在低频区的主要噪 声成分是1/f噪声和产生-复合噪声，在高频区主要是散粒噪声.在测试的偏压内，器件的1/f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比，器件的Hooge系数为3×10^-4—7×10^-4.从噪声 功率谱密度曲线分析中得到产生-复合噪声的特征时间常数τ，通过τ的温度特性得到了器件的深能级. 关键词： 碲镉汞 优值因子 低频噪声 深能级     

掺铥钨酸钡单晶生长和光谱研究

采用Czochralski 法生长出光学质量的BaWO₄:Tm³⁺单晶,利用X粉末衍射实验确定了不同掺杂浓度晶体的晶胞参数.测定了晶体的室温吸收光谱,应用Juud-Ofelt理论,拟合了光谱的3个强度参数,其值分别为Ω₂=404×10^-20cm²,Ω₄=0509×10^-20cm²,Ω关键词： 4：Tm³⁺单晶')" href="#">BaWO₄：Tm³⁺单晶 吸收谱 光谱参数 上转换发光     

CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱和光致发光研究

用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在E_V+0365 eV和E_V+0282 eV的深中心,它们的浓度分别为167×10¹² cm^-3和386×10¹¹ cm^-2,俘获截面分别为143×10^-14cm²和153×10^-16cm².它们来源于以化学杂质形式存在的Au和（或）Te_Cd^-复合体,或与氩氧气氛下沉积CdTe时的氧原子相关. 关键词： 深能级瞬态谱 光致发光 CdS/CdTe太阳电池     

Er3+及Er3+/Yb3+共掺铋酸盐玻璃光谱性质研究

制备了Er³⁺及Er³⁺/Yb³⁺共掺铋酸盐玻璃，测试了样品的吸收光谱、荧光光谱.应用Judd-Oflet理论计算了Er³⁺在铋酸盐玻璃中的光谱强度参数，分别为Ω₂=(5.47—2.92)×10^-20cm²，Ω₄=(2.16—1.22)×10^-20cm², 关键词： 3+')" href="#">Er³⁺ 铋酸盐玻璃 3+/Yb³⁺共掺')" href="#">Er³⁺/Yb³⁺共掺 光谱性质     

ZBLAN玻璃中Pr3+掺杂离子3P0和1D2能级的发光特性和寿命

对ZBLAN氟锆酸盐玻璃中Pr³⁺掺杂离子³P₀和¹D₂能级的寿命和发光特性进行了较详细的光谱学研究。首先测量了两种掺杂浓度(质量分数分别为1×10^-3,5×10^-3)的Pr³⁺:ZBLAN玻璃的吸收光谱,然后运用时间分辨激光光谱技术测量了³P₀和¹D₂能级在激光单光子共振激发下的荧光发射谱和能级寿命。将不同荧光发射谱带的强度和文献报道的Judd Ofelt理论计算辐射跃迁几率数值做了比较分析,证明了文献中理论计算结果的可靠性。由于浓度猝灭效应,在相同的激发条件下,掺杂浓度为1×10^-3样品的荧光发射强度明显大于5×10^-3样品的荧光发射强度。但是从我们的测量结果看,掺杂浓度对³P₀和¹D₂ 的能级寿命值无显著影响。掺杂浓度为1×10^-3时,Pr³⁺离子³P₀和¹D₂能级的寿命值分别为46,322μ_s。     

Tm3+/Yb3+共掺铋碲酸盐玻璃中的高效蓝色上转换荧光

制备了高折射率Tm³⁺/Yb³⁺共掺杂铋碲酸盐玻璃，利用棱镜耦合法测量出玻璃在632.8和1550nm波长处的折射率分别为2.0365和1.9795. 对玻璃的吸收、荧光和红外透过光谱展开了测试与分析，根据Judd-Ofelt理论对吸收光谱进行拟合，求得Tm³⁺的振子强度参数Ω_t(t=2，4，6)分别为3.90×10^-20, 2.03×10^-20和9.03×10^{-2 关键词： 3+}/Yb³⁺共掺')" href="#">Tm³⁺/Yb³⁺共掺 铋碲酸盐玻璃 光谱参数 上转换荧光     

热峰模型在聚碳酸酯非晶化潜径迹中的应用

为了描述快重离子在聚合物中的潜径迹行为，用不同能量的快重离子 (1158GeVFe5656,1755GeVXe136¹³⁶及2636GeVU238²³⁸) 辐照 叠层半结晶聚碳酸酯膜 (Makrofol KG型)，结合x射线衍射测量技术，在较宽的电子能损 (1 9—171keV/nm)和离子注量（5×1010¹⁰—3×1012¹² cm-2^-2）范围研究了离子在半 关键词： 离子辐照 聚碳酸酯 非晶化 潜径迹     

四角状氧化锌纳米材料的场致发射平板显示器

利用真空封装工艺，制备了四角状氧化锌纳米材料的平板显示器，研究了其阴极的场致发射的特性，实现了显示器的全屏点亮.通过显示器稳定性的讨论，发现四角状氧化锌纳米材料在低真空也能有较好的场发射特性.实验结果表明了氧化锌纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料. 关键词： 纳米材料 场致发射 平板显示器     

MW-ECR PE-UMS等离子体特性及对Zr-N薄膜结构性能的影响

采用静电探针技术对微波电子回旋共振(MW-ECR) 等离子体进行了诊断,利用等离子体增强 非平衡磁控溅射(PE-UMS)法在常温下制备了Zr-N薄膜, 通过EPMA，XRD，显微硬度对膜的 结构和性能进行评价.实验结果表明，随氮气流量增加，总的等离子体密度从807×10⁹c m^-3增加到831×10⁹cm^-3然后逐渐减小为752×10 ⁹cm^-3；而N₂⁺密度则从312×10^{8< /sup>cm-3线性递增到335×109cm-3；电子温度变化 不大.对薄膜而言，随N₂+密度增大，样品中氮含量增加，而晶粒逐 渐变小，当样品中N/ Zr原子比达到14时，薄膜中出现亚稳态的Zr₃N₄相以及非晶相， 在更高氮流量下，整 个薄膜转变为非晶态.与此相应，薄膜硬度由最初的225GPa增大到2678GPa 然后逐渐减 小到1982GPa. 关键词： 氮化锆薄膜 ECR等离子体 磁控溅射 诊断}     

Cathodoluminescence characteristics of particles and film of (Y, Zn)2O3:Eu phosphor prepared by spray pyrolysis

Eu-doped Y₂O₃ particles with spherical shape and fine size were prepared by spray pyrolysis. The cathodoluminescence of Y₂O₃:Eu³⁺ powder was optimized by substituting small amount of zinc atoms in place of yttrium sites. As a result, the optimized (Y, Zn)₂O₃:Eu³⁺ phosphor showed 60% improved cathodoluminescence compared with Y₂O₃:Eu³⁺ particles. The prepared (Y, Zn)₂O₃:Eu³⁺ phosphor had spherical shape and 0.726 μm in mean size. Using these particles, the thickness of the phosphor film was controlled by varying the phosphor loading. The brightness and luminous efficiency of phosphor films prepared were monitored with varying the accelerating voltage ranges from 4 to 14 kV. The dependency of the luminous efficiency on the accelerating voltage was very sensitive to the phosphor loading. As increasing the accelerating voltage from 4 to 14 kV, the brightness of phosphor films prepared was monotonically increased from 200 to 1085 cd/cm²_, but the saturation in the luminous efficiency appeared at 10 kV. The highest efficiency was achieved when the number of phosphor-particles layer was about 3. More details about the luminous efficiency and brightness were discussed with changing the phosphor loading.     

Highly efficient transparent Zn2SiO4:Mn phosphor film on quartz glass

Highly efficient transparent Zn₂SiO₄:Mn²⁺ film phosphors on quartz substrates were deposited by the thermal diffusion of sputtered ZnO:Mn film. They show a textured structure with some preferred orientations. Our film phosphor shows, for the best photoluminescence (PL) brightness, a green PL brightness of about 20% of a commercial Zn₂SiO₄:Mn²⁺ powder phosphor screen. The film shows a high transmittance of more than 10% at the red-color region. The excellence in PL brightness and transmittance can be explained in terms of the textured crystal growth with a continuous gradient of Zn₂SiO₄: Mn²⁺ crystals.     

Er3+在二氧化硅介孔分子筛中的高效率发光及其分析

研究了一种新型的负载Er³⁺的二氧化硅介孔分子筛纳米材料,分析了其在有无功能化试剂全氟甲基磺酰(bis(perfluoromethylsulfonyl)amine)修饰作用下的吸收和荧光光谱特性,获得了高强度的荧光发射. 应用Judd-Ofelt理论计算了强度参数(Ω₂＝1.88×10^-20cm²,Ω₄＝5.45×10^-20cm^{2关键词： 发光 二氧化硅介孔分子筛 稀土离子 Judd-Ofelt理论}     

硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

Parameters of the cathode spot upon field emission

This work is devoted to studying the parameters of the cathode spot of a vacuum arc. According to calculations under conditions of autoelectronic emission, the temperature of the cathode spot is T _n = (1–2.5) × 10³ K, the electric-field strength is E = (1–6) × 10⁷ V cm^?1, and the current density in the spot is j _n = (0.15–3) × 10⁷ A cm^?2. The values of the cathode-spot parameters for cathodes of different materials are obtained and the type of electron emission is determined.     

掺铒锆钛酸铅镧陶瓷的上转换动力学分析

测量了掺铒锆钛酸铅镧(Er³⁺:PLZT)陶瓷的吸收光谱和上转换荧光光谱,利用Er³⁺:PLZT的吸收光谱,计算Er³⁺离子的辐射跃迁概率. 分析了980nm 激发下 Er³⁺:PLZT 的上转换荧光光谱,观察到明显的上转换荧光,且峰值位于540,564nm附近的绿色荧光带比 678nm 附近的红色荧光带强. 建立了Er³⁺离子跃迁的速率方程,通过求解速率方程并采用拟合荧光衰减实验曲线的方法,得出 关键词： 频率上转换 3+离子')" href="#">Er³⁺离子 锆钛酸铅镧陶瓷 速率方程     

高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω ·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×10¹⁷ cm^-3,迁移率为23 cm² ·V^-1 ·s^-1,良好的n型导电性来自于Zn_i和V_o关键词： 高压 陶瓷 n-ZnO 透明     

会务信息的电致发光矩阵大屏幕显示

本文概述了长春物理研究所为人民大会堂研制的交流(AC)、直流(DC)电致发光(EL)矩阵大屏幕会务信息显示的结果。其中,ACEL矩阵屏幕尺寸为2.5×3m2,由30块0.46×0.46m2的单元屏拼接而成。平均亮度20尼特,对比度10:1;DCEL矩阵屏幕为:1m2,行列数120×144,平均亮度45尼特,对比度大于10:1。在环境照度60lux条件下,观察距离分别为65m、20m。并从分析EL矩阵的显示特性出发,阐明了显示系统的设计要点,控制、匹配电路和亮度、对比度的关系;还给出了部分驱动电路结构和系统的应用结果。