电流扫描速度对临界电流影响的数值模拟研究

我们采用数值模拟的方法,利用电动力学方程和磁通玻璃态蠕动机制研究了电输运测量中电流扫描速度（ｄＩ／ｄｔ）对临界电流（Ｉｃ）的影响。结果表明,当加电流速度大于某一值ｄｌ＾＊／ｄｔ时Ｉｃ随ｄＩ／ｄｔ增加非线性减小。ｄＩ＾＊／ｄｔ与判据Ｖｃ的选择有关。当Ｖｃ大到一定程度,ｄＩ／ｄｔ对Ｉｃ的影响将无法观测到。     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

在层状超导体2H-NbSe2中的重入现象

我们测量了纯２Ｈ－ＮｂＳｅ２单晶样品在磁场下的直流电输运行为,得到了有重大现象的电阻随磁场变化Ｒ（Ｈ）、电阻随温度变化Ｒ（Ｔ）以及临界电流随磁场变化Ｉｃ（Ｈ）关系曲线。我们还采用六电极法同时测量了上、下表面的电势,得到了上、下表面重入不同步的新结果,这个新的实验结果可以由磁通动力学理论,结合Ａｎｄｅｒｓｏｎ磁通需动模型给予很好的解释。     

分形结构超导体中分形子对正常态电阻率和Hall电导率的影响

根据电子－分形子相互作用，解量子输运方程，研究了分形结构超导体正常态的电阻率ρｘｘ、Ｈａｌｌ电导率σｘｙ和Ｈａｌｌ角θＨ，结果表明，ρｘｘ与温度Ｔ近似成直线关系；ｃｏｔθＨ与Ｔ＾２成正比。     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

γ辐照对熔融织构YBa2Cu3Ox的电磁性能的影响

本研究了γ辐照对熔融织构（ＭＴＧ）ＹＢＣＯ的电磁性能的影响，辐照剂量分别为４×１０＾９ｒａｄ，２×１０＾９ｒａｄ。我们观察到当辐照剂量为２×１０＾９ｒａｄ时辐照后样品的Ｊｃ随磁场的增加而下降的速度比辐照前慢，但在我们所测磁场范围内辐照后的临界电流比辐照前低。通过对这些结果分析我们得出：γ辐照在晶界处理产生了缺陷，这些缺陷对磁通钉扎是有利的。     

质子射频场照射对碳—13自旋晶格弛豫的影响

用推广的Ｓｏｌｏｍｏｎ方程描述了＾１Ｈ通道加上射频场的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，分析表明在＾１Ｈ射频照射下＾１３Ｃ自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程，但是在一些实验条件下可以变为单指数的；数值计算给出了满足Ｔ１＾ｃ＜Ｔ１＾Ｈ和满足Ｔ１＾ｃ＞Ｔ１＾Ｈ的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫过程的明显差别，并显示了不同射频场强度的影响，实验观测了固体Ｌ－缬氨酸的甲基＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，所得结果与理论分析很好符合。     

图G的关联矩阵A与基本回路矩阵Bf之间关系的一种表示

根据图Ｇ的关联矩阵Ａ与图Ｇ关于某一生成树Ｔ的完全回路矩阵Ｂ之间的联系，导出关联矩阵Ａ与生成树Ｔ的基本回路矩阵Ｂ之间关系的的一种表示，Ｂｆ＝（Ｉ２Ａ＾Ｔｃ（Ａ＾Ｔｆ）＾－１），其中Ｉ为ｎｅ－ｎｖ＋１阶单位矩阵，Ａｃ对应生成树Ｔ的连枝集，Ａｔ对应生成树下Ｔ的树枝。     

光频辐射下高温超导薄膜响应行为

本报道了ＹＢＣＯ／ＳｒＴｉＯ３外延膜样品对波长λ＝０．６３μｍ ＨＥ－Ｎｅ激光照射下的光响应测量结果。实验表明，当温度在Ｔｃ附近时，光响应∞＾ΔＲ／ΔＴ以及∞（１／ｆ）＾１／２，其行为表现为辐射热效应。当温度较低时，其行为难以用辐射热效应解释，从而表现出非平衡光响应性质，基于一维热传导膜及光致准粒子激发观点，分别对上述不同性质的光响应进行了讨论。     

混合态中高温超导体的弱连接

本在研究高Ｔｃ超导体的弱连接时，考虑到Ｈ＞Ｈｃ１时存在的混合态。在传统Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ模型的基础上加入了结层内的涡漩线与超导体内的磁通线之间的相互作用，它给沿结平面方向运动的涡漩线带来了附加的钉孔或牵制，从而成功地解释了磁阻、动态磁阻、临界电流密度在Ｈｃ１附近的反常现象以及这些现象随温度的变化关系。