模糊聚类正交方法若干结果

本文提出一个新的模糊聚类方法:正交法,这种方法基于如下正交聚类原则:记截矩阵R_λ=(α₁,α₂,…,α_n),其中列向量α_j=(α_1j,α_2j,…,α_nj)^T,所谓向量α_i,α_j正交,指内积(α_i,α_j)=0。     

EV共聚物序列中的两种结构因素

系统描述了EV共聚物序列中两种结构因素对共聚物主链中亚甲基和次甲基¹³C NMR化学位移的贡献,将SCS方法与半经验方法结合起来,阐明了常数项δ_LE和δ₀的物理意义,提出了以聚乙烯链反式构象化学位移δ_t为基准计算上述亚甲基和次甲基化学位移的公式:δ_c=δ_t+Σn_iS_i+ΣP_jγ_j并在此基础上,讨论了聚乙烯,聚丙烯的特殊情况和乙丙共聚物的链结构.     

相位角对容性耦合电非对称放电特性的影响

电非对称效应作为一种新兴技术,被广泛用于对离子能量和离子通量的独立调控.此外,在改善等离子体的径向均匀性方面,电非对称效应也发挥了重要作用.本文采用二维流体力学模型,并耦合麦克斯韦方程组,系统地研究了容性耦合氢等离子体中当放电由多谐波叠加驱动时,不同谐波阶数k下的电非对称效应,重点观察了相位角θ_n对自偏压以及等离子体径向均匀性的影响.模拟结果表明：在同一谐波阶数下,自偏压随相位角θ_n的变化趋势不尽相同,且当k增大（k>3）时,自偏压随最高频相位角θ_k的变化范围逐渐减小.此外,通过调节相位角θ_n,可以改变轴向功率密度和径向功率密度的相对关系,进而实现对等离子体径向均匀性的调节.研究结果对于利用电非对称效应优化等离子体工艺过程具有一定的指导意义.     

高阶Adams公式的系数

当k的值不大时(例如k≤4),诸系数γiγi^*,β_kρ,β_kρ^*易于手工计算。但对大的k值(例如k≥5),手工计算已非易事。利用著名的计算机代数软件:REDUCE^[a],我们可以很容易地计算出诸系数γi,γi^*,β_kρ,β_kρ^*。     

基于负荷局域择优重新分配原则的复杂网络上的相继故障

相继故障普遍存在现实的网络系统中,为了更好地探讨复杂网络抵制相继故障的全局鲁棒性,采用网络中节点j上的初始负荷为L_j=k^α_j（k_j为节点j的度）的形式,并基于崩溃节点上负荷的局域择优重新分配的原则,提出了一个新的相继故障模型.依据新的度量网络鲁棒性的指标,探讨了4种典型复杂网络上的相继故障现象.数值模拟表明, 关键词： 相继故障 复杂网络 关键阈值 相变     

一维长程关联无序系统的局域性

研究了在紧束缚近似下,由de Moura和Lyra提出的一维长程关联无序模型的局域性. 分布在［-W/2,W/2］区间的格点位能,其关联函数〈ε_iεj〉的傅里叶变换满足S(k)∝k^-α,其中关联强度α>0. 利用participation ratio不仅证实了在α>2和W<4 关键词： 安德森局域化 长程关联 扩展态     

恒定温度应力加速实验失效机理一致性快速判别方法

针对加速实验中因失效机理发生改变而导致的无效实验问题, 对失效机理一致性和分别在不同应力下器件的初期退化参数分布的关系进行了研究. 研究证明了判断加速实验失效机理一致的条件: 1) 不同应力下失效分布的形状参数服从一致, 即m_i=m, i=1,2,3,···, 2) 尺度参数 η_i服从η_i= AF_i·η. 从而提供一种在实验初期即可根据参数退化分布快速判别不同应力下失效机理是否一致的方法, 避免了因失效机理发生改变而造成的无效加速实验. 最后对加速实验初期理论退化数据和多芯片组件厚膜电阻初期退化数据进行了威布尔分布参数估计, 并对其在不同应力下的失效机理一致性进行了判别. 关键词： 失效机理一致性 恒定温度应力加速实验 威布尔分布     

部分相干径向偏振光束传输中相干性研究

根据广义惠更斯理论及相干偏振统一理论, 研究部分相干径向偏振光束在自由空间中传输时, 不同参考点处复相干度随传输距离的变化规律. 研究表明, 部分相干径向偏振光束在自由空间中传输, 不同参考点处, 复相干度模值随距离的变化规律有所差别. 当参考点位于原点时, 随着传输距离增大, μ_xx模值及μ_xy模值分布形式不变, 分布范围增大; 当参考点位于x轴上时, μ_xx模值由单峰值向三峰两谷对称形式演化, μ_xy模值由单侧两峰向四峰四谷对称形式演化, 完成演化所需传输距离与参考点距离x轴中心的远近有关, 参考点距离x轴中心越近, 完成演化所需的传输距离越短; 当参考点位于y轴时, 随着距离增大, μ_xx模值分布形式不变, 分布范围增大, μ_xy模值由上侧两峰向四峰四谷对称形式演化, 演化所需传输距离与参考点距y轴中心远近有关, 参考点距y轴中心越近, 完成演化所需的传输距离越短; 当参考点位于其他位置时(非特殊位置), μ_xx模值及μ_xy 模值分布规律, 遵从各自参考点在x轴, y轴上的分布规律的结合即参考点位于其他位置时, μ_xx模值及μ_xy模值分别随距离变化逐渐演化成三峰结构、四峰结构.     

出口雷诺数对平面射流自保持性的影响

通过实验研究出口雷诺数对平面湍流射流自保持性的影响. 测量的射流来自相同的喷嘴但不同的雷诺数Re（≡U_jh/ν,其中U_j是出口平均速度、h是窄缝出口的厚度和ν是黏性系数）,其变化范围是Re=4582—57735.所得的数据包括沿轴线的平均速度、湍流强度、积分尺度、高阶矩和能谱. 实验发现,随着Re的增大,平面射流发展减慢,平均速度和湍流强 关键词： 平面射流 雷诺数 自保持性     

周期力调制噪声驱动下单模激光系统的多重随机共振

在周期力调制噪声驱动下单模激光系统的光强方程中加入调幅波, 用线性化近似方法计算了系统的光强关联函数和输出信噪比, 并对信噪比进行数值计算和分析, 发现低频调制频率Ω、高频载波频率ω和周期力频率Ω_λ对系统的输出信噪比有很大的影响. 具体表现为信噪比R 随低频调制频率Ω 的变化过程中出现了多重随机共振和极强的单峰共振, 当Ω << ω 时, 系统出现的是多峰共振, 且随着Ω_λ 增加, 共振峰间的距离增大, 峰值位置不变; 当Ω → ω 时, 输出信噪比R迅速增大, 而Ω_λ 的影响被削弱甚至可以忽略, 多峰共振消失; 当Ω = ω 时, 系统出现了极强的单峰共振. 此外, 信噪比随周期力频率的变化呈现振幅减小的多重随机共振, 而随载流频率的变化出现单峰随机共振.     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

悬链曲面上的点粒子动力学及扩展空间约束系统量子化

扩张型正则量子化方案的核心内容是位置、动量以及哈密顿量同时量子化. 通过分析悬链面上粒子的扩张型正则量子化方案, 并且与薛定谔理论进行比较, 发现内禀几何中二维悬链面给不出与薛定谔理论相一致的结果, 而考虑将二维悬链面嵌入在三维欧氏空间之后, 还需要将正则量子化方案进行扩张, 可以得到体系的几何势能和几何动量, 并与薛定谔理论相一致.     

具有Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的XY模型的量子相干性

研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用的一维横场XY自旋链的量子相变和量子相干性.采用约旦-维格纳变换严格求解了哈密顿量,并描绘了体系的关联函数和相图,相图包含反铁磁相、顺磁相和螺旋相.利用相对熵和Jensen-Shannon熵讨论了XY模型的量子相干性.研究发现,相对熵与Jensen-Shannon熵所表现的行为都可以很好地表征该模型的量子相变.非螺旋相中量子相干性不依赖DM相互作用,而在螺旋相DM相互作用对量子相干性有显著影响.此外,指出了在带有DM相互作用的这一类反射对称破缺体系中关联函数计算的常见问题.     

色散方程的一类具任意稳定性的显格式

本文对色散方程u_r=au_xxx构造了一类中间层包含四个结点,带两个参数m和θ的三层显式差分格式。当m和θ满足一定的关系时,其稳定性条件为|γ|≤(m+1)/(4(m-1))(|m|>1),从而当取m充分接近1时,可得到任意大的稳定性条件,并且保持截断误差阶不变。数值例子验证了理论分析的结果。     

Effects of collision energy and rotational quantum number on stereodynamics of the reactions:H(~2S)+NH(v=0,j=0,2,5,10)→N(~4S)+H_2

The stereodynamical properties of H(~2S) + NH(v = 0,j = 0,2,5,10)→N(~4S) + H_2 reactions are studied in this paper by using the quasi-classical trajectory(QCT) method with different collision energies on the double many-body expansion(DMBE) potential energy surface(PES)(Poveda L A and Varandas A J C 2005 Phys.Chem.Chem.Phys.7 2867).In a range of collision energy from 2 to 20 kcal/mol,the vibrational rotational quantum numbers of the NH molecules are specifically investigated on v = 0 and j = 0,2,5,10 respectively.The distributions of P(θ_r),P(φ_r),P(θ_r,φ_r),(2π/σ)(dσ_(00)/dω_t)differential cross-section(DCSs) and integral cross-sections(ICSs) are calculated.The ICSs,computed for collision energies from 2 kcal/mol to 20 kcal/mol,for the ground state are in good agreement with the cited data.The results show that the reagent rotational quantum number and initial collision energy both have a significant effect on the distributions of the k-j',the k-k'-j',and the k-k' correlations.In addition,the DCS is found to be susceptible to collision energy,but it is not significantly affected by the rotational excitation of reagent.     

一端附壁高分子链的Monte Carlo研究

采用简立方格点上的Monte Carlo模拟,研究一端被无限大不可穿透平面壁吸附的高分子链的均方末端距<R²>,以及高分子链的质量中心到平面吸附壁的平均距离<Z>,与链长N、参数u(u=e^-ε/kT,ε是链骨架原子间的相互作用能量,k是玻耳兹曼常数,T是热力学温度)的关系。结果表明:<R²>和<Z>都服从标度律,<R²>=αN^γ,<Z>=βN^η,其中,γ、η、α、β都是u的函数;u从1减小到0.5,则γ从1.01增大到1.19,η从0.51增大到0.60.     

Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots

The test-QD in-situ annealing method could surmount the critical nucleation condition of InAs/GaAs single quantum dots(SQDs) to raise the growth repeatability.Here,through many growth tests on rotating substrates,we develop a proper In deposition amount(θ) for SQD growth,according to the measured critical θ for test QD nucleation(θ_c).The proper ratio θ/θ_c,with a large tolerance of the variation of the real substrate temperature(T_(sub)),is 0.964-0.971 at the edge and 0.989 but 0.996 in the center of a 1/4-piece semi-insulating wafer,and around 0.9709 but 0.9714 in the center of a 1/4-piece N~+ wafer as shown in the evolution of QD size and density as θ/θ_c varies.Bright SQDs with spectral lines at 905 nm-935 nm nucleate at the edge and correlate with individual 7 nm-8 nm-height QDs in atomic force microscopy,among dense 1 nm-5 nm-height small QDs with a strong spectral profile around 860 nm-880 nm.The higher T_(sub) in the center forms diluter,taller and uniform QDs,and very dilute SQDs for a proper θ/θ_c:only one 7-nm-height SQD in25 μm~2.On a 2-inch(1 inch = 2.54 cm) semi-insulating wafer,by using θ/θ_c = 0.961,SQDs nucleate in a circle in 22%of the whole area.More SQDs will form in the broad high-T_(sub) region in the center by using a proper θ/θ_c.     

二维等离子体并行PIC模拟的性能分析及应用

通过区域分解法实现了二维等离子体粒子模拟程序并行化,并将此程序运行在由16个Pentium Ⅲ 1.6G CPU组成的微机机群上,对其性能进行了测试.结果表明,在计算规模一定的情况下,并行程序的并行效率随计算结点的增加而降低;而在计算节点不变的情况下,并行效率随计算规模的增加而增加,并行计算更适合于计算规模大的物理问题.利用此并行程序计算了等离子体中的束流不稳定性,结果表明,在波动激发的线性增长阶段,等离子体束流激发的Alfv啨n波基本上沿背景磁场方向传播,其波数满足共振条件ω-kV_b=-Ω_i,其中ω和k分别为Alfvén波的频率和波数,V_b为束流的速度,Ω_i为离子的回旋频率.