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M.Pourbaix教授主编的《水溶液中电化学平衡图图集》是腐蚀电化学领域公认的权威著作。本文所讨论的M.Pourbaix问题,指的是该书中若干氢化物和氧化物元素的氧化数、电极反应机理及电极反应的可逆性和元素属性诸方面的错误。对于这些错误,本文依据物质结构和电化学原理进行了初步的分析和订正。 相似文献
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美国物理化学家 Marvin S.Antelman 著的《化学电极电位大全》(以下简称《大全》),是一本关于配合物电极电位专著,全书刊载了2500多个电极电位数据,其中大部分属首次报道。经查阅文献,《大全》自1982年初版以来未 相似文献
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回顾了短暂时间间隔测量的历史。条纹概念的引入、电光源和电子仪器的使用、激光的出现使能测量到的短暂时间间隔大大缩短。由于对撞脉冲锁模和啁啾脉冲压缩新概念的提出,人们将脉冲宽度压缩到了几个飞秒。介绍了自锁模钛宝石激光器的锁模、放大和调谐的工作原理以及飞秒技术在物理学、生物学、化学控制反应、光通讯等领域中的应用。 相似文献
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The heteroepitaxial growth of multilayer Cu/Pd(100) thin film via
pulse laser deposition (PLD) at room temperature is simulated by
using kinetic Monte Carlo (KMC) method with realistic physical
parameters. The effects of mass transport between interlayers, edge
diffusion of adatoms along the islands and instantaneous deposition
are considered in the simulation model. Emphasis is placed on
revealing the details of multilayer Cu/Pd(100) thin film growth and
estimating the Ehrlich--Schwoebel (ES) barrier. It is shown that the
instantaneous deposition in the PLD growth gives rise to the
layer-by-layer growth mode, persisting up to about 9 monolayers (ML)
of Cu/Pd(100). The ES barriers of The heteroepitaxial growth of multilayer Cu/Pd(100) thin film via pulse laser deposition (PLD) at room temperature is simulated by using kinetic Monte Carlo (KMC) method with realistic physical parameters. The effects of mass transport between interlayers, edge diffusion of adatoms along the islands and instantaneous deposition are considered in the simulation model, Emphasis is placed on revealing the details of multilayer Cu/Pd(100) thin film growth and estimating the Ehrlich-Schwoebel (ES) barrier. It is shown that the instantaneous deposition in the PLD growth gives rise to the layer-by-layer growth mode, persisting up to about 9 monolayers (ML) of Cu/Pd(100). The ES barriers of 0.08 ± 0.01 eV is estimated by comparing the KMC simulation results with the real scanning tunnelling microscopy (STM) measurements, 相似文献
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本文分析了碲镉汞(HgCdTe或MCT)中Te沉淀相,Hg空位的拉曼散射峰,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系,MCT中的Te沉淀相的拉曼峰位于125和145cm^-1处,此峰与标准的Te三角晶系的拉曼峰相比,往高能方向移动了2cm^-1,这表明Te沉淀相受到了压应力的作用,MCT中位于108cm^-1处微弱的拉曼峰来源于Hg空位,此峰只在p型和包含有反型层的MCT中出现,在n型的MCT中几乎不出现,MCT的拉曼二极散射峰对其表面完整性非常敏感,表面完整性好的拉曼峰很明显,而表面完整性较差的峰则不太明显,此峰的1LO(T)模的强度测量对晶体制备过程中的表面分析也可能供有用的信息。 相似文献