LP－MOCVD生长InGaAs／InP应变量子阱的研究

本文研究了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ对不同ｘ值的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ／ＩｎＰ生长条件，并且生长了压缩应变为０．５％三个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构，利用７７ＫＰＬ光谱分析了能级同阱宽的关系，实现最窄阱宽为４．４ｎｍ，最小全半高峰宽为１７．０ｍｅｖ。     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

腐植酸物质的表面增强拉曼散射

腐植酸物质的表面增强拉曼散射Ｅ．Ｊ．Ｌｉａｎｇ（梁二军）１，３，Ｙ．Ｈ．Ｙａｎｇ（杨育晖）３，Ｗ．Ｋｉｅｆｅｒ３１．郑州大学物理工程学院郑州４５００５２２．中国科学院化学研究所北京１０００８０３．ＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｅｒＰｈｙｓｉｋａｌｉｓｃｈｅＣｈ...     

A Simple Method for Designing Diffractive Optical Elements

ＡＳｉｍｐｌｅＭｅｔｈｏｄｆｏｒＤｅｓｉｇｎｉｎｇＤｉｆｒａｃｔｉｖｅＯｐｔｉｃａｌＥｌｅｍｅｎｔｓＭ．ＺｈｏｕＤ．Ｌｉｎ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｆＯｐｔｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｏｎＭｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯ...     

产生1．3μm辐射的InAsP量子势阱

产生１．３μｍ辐射的ＩｎＡｓＰ量子势阱日本Ｆｕｒｕｋａｗａ电气工业公司和光电技术研究公司合作研制成功１．３ｕｒｎ激光器。此激光器采用ＪｎＡｓＰ而不是采用ＧａｌｎＡｓＰ或ＧａｌｄｅＰ作为加载层量子势价结构中的激活区。与普通材料相比，ＩｎＡＳＰ结构的晶体...     

A High Efficient Stable Intracavity Doubling Nd：YAG Laser Pumped by a Laser Diode

ＡＨｉｇｈＥｆｆｉｃｉｅｎｔＳｔａｂｌｅＩｎｔｒａｃａｖｉｔｙＤｏｕｂｌｉｎｇＮｄ：ＹＡＧＬａｓｅｒＰｕｍｐｅｄｂｙａＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ￥ＺＨＡＮＧＫｕａｎｓｈｏｕ；ＸＩＥＣｈａｎｇｄｅ；ＧＵＯＲｉｎｇｘｉａｎｇ；ＰＥＮＧＫｕｎｃｈｉ（Ｉｎｓｔｉｔ...     

脉冲激光淀积Ba_（1－x）K_xBiO_3薄膜

我们用熔融法制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３氧化物超导体，其超导转变温度２８．５Ｋ，零电阻温度２５．２Ｋ．以此为靶，用脉冲激光淀积技术，制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３超导薄膜，Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝２４．５Ｋ，Ｔｃ（Ｒ＝０）＝２０．８Ｋ．     

K在InP（100）表面吸附及界面反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ在ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的吸附及其界面反应。由Ｋ吸附过程中Ｉｎ４ｄ和Ｐ２ｐ芯能级谱的变化发现：在碱金属Ｋ吸附于ｐ型ＩｎＰＯ（１００）表面的过程中，Ｋ－Ｐ之间发生了化学反应，形成Ｋ－Ｐ化合物，当Ｋ覆盖度０〉２１０Ｓｅｃ时稳定的Ｋ－Ｐ化合物基本形成，此时Ｐ２ｐ峰的峰形和峰位基本保持不变。Ｋ－Ｉｎ之间无明显的化学反应发生，但在Ｋ的吸附过程中，碱金属Ｋ对Ｉｎ有置换反应发生，     

PhysicsandChemistryinLaser－TrappedSingleMicroparticlesStudiedbyLightScattering

ＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＣｈｅｍｉｓｔｒｙｉｎＬａｓｅｒ－ＴｒａｐｐｅｄＳｉｎｇｌｅＭｉｃｒｏｐａｒｔｉｃｌｅｓＳｔｕｄｉｅｄｂｙＬｉｇｈｔＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＷ．Ｋｉｅｆｅｒ；Ｍ．Ｌａｎｋｅｒｓ；Ｊ．Ｐｏｐｐ；Ｍ．ＴｒｕｎｋａｎｄＥ．Ｕｒｌａｕｂ（Ｉｎ...     

Competition between Quantum Interference and Stimulated Electronic Raman Scattering Processes via Hybrid Excitation in a Na_2-Na System

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｉｎ 1 970ｓ,ＫｏｐｅｉｋｉｎａａｎｄＹａｎｓｏｎｒｅｐｏｒｔｅｄｔｈａｔｔｈｅｅｘｃｉｔｅｄｍｏｌｅｃｕｌｅｓｃｏｕｌｄｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｅｘｃｈａｎｇｅｔｈｅｉｒｅｎｅｒｇｉｅｓｔｏｔｈｅｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅａｔｏｍｓｔｈｒｏｕｇｈｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌｅｎｅｒｇｙ ｔｒａｎｓｆｅｒａｎｄｓｕｂｓｅｑｕｅｎｔｌｙｃａｕｓｅｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅｐｏｐｕｌａｔｉｏｎｉｎｔｈｅｅｘｃｉｔｅｄａｔｏｍｉｃｓｔａｔｅｓｉｎｓｏｄｉｕｍｏｒ ｐｏｔａｓｓｉｕｍｖａ…     

Amplified Spontaneous Emision of K_2 Yellow Band Excimer and Its Gain Measurement by e-beam-pumping

ＡｍｐｌｉｆｉｅｄＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＥｍｉｓｉｏｎｏｆＫ２ＹｅｌｏｗＢａｎｄＥｘｃｉｍｅｒａｎｄＩｔｓＧａｉｎＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｂｙｅ┐ｂｅａｍ┐ｐｕｍｐｉｎｇＸＩＮＧＤａ１）ＷＡＮＧＱｉ２）ＴＡＮＳｈｉｃｉ１）（１）Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ...     

辐射驱动内爆温度源脉冲整形研究

辐射驱动温度源脉冲整形是获得高压缩比的重要途径。本文从脉冲整形的基本原理出发，采用数值模拟方法，给出适合于神光Ⅲ装置内爆实验的辐射驱动温度源脉冲整形曲线。     

MEASUREMENTS OF Fe AND Cu K-Shell IONIZATION CROSS SECTIONS BY SLOW ELECTRON IMPACT

ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳＯＦＦｅＡＮＤＣｕＫ－ＳｈｅｌＩＯＮＩＺＡＴＩＯＮＣＲＯＳＳＳＥＣＴＩＯＮＳＢＹＳＬＯＷＥＬＥＣＴＲＯＮＩＭＰＡＣＴＬｉＴａｉｈｕａＡｎＺｈｕＬｕｏＺｈｅｎｇｍｉｎｇＣｅｎｔｅｒｆｏｒＲａｄｉａｔｉｏｎＰｈｙｓｉｃｓ，Ｉｎｓ...     

自组织InAs／GaAs量子垂直排列生长研究

利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６．５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构、下层以ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１．７ＭＬ变成１．５ＭＬ，透射业微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在器存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的     

辐射加热金X光再发射时间测量

利用星光Ⅱ三倍频激光打双盘靶，研究了辐射加热材料的Ｘ光发射时间。激光脉冲能量４０～６０Ｊ、脉冲宽度６００～７００ｐｓ。通过两台时间关联的亚千Ｘ光能谱仪分别监测双盘靶初、次级发射Ｘ光谱，给出了辐射加热次级Ｘ光再发射时间。     

高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器

介绍了研究分别限制结构ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延技术制造。在ＧａＡｓ衬底上制成的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ分别限制结构的激光器，主要参数如下：发射波入λ＝８０８ｎｍ，阈值电流密度Ｊ＝３００Ａ／ｃｍ＾２，对于条宽ω＝１００μｍ的激光器，连续功率为１－２Ｗ。     

808nm准连续阵列半导体激光器

报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率连续阵列半导体激光器,在频率１００Ｈｚ,脉冲宽度２００μｓ,占空比达２０％时,单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ。     

光折变“波导”诱失锁模ps激光脉冲自泵浦相位共轭

观察到失锁模５３２ｎｍｐｓ激光脉冲单独入射到掺Ｃｕ的ＫＮＳＢＮ晶体中，不能产生自泵浦相位共轭，但如果先用同波长的锁模ｐｓ激光脉冲在晶体中预制一条光折变“波导”，则可诱导失锁模激光脉冲形成自泵浦相位共轭．分别从“波导”形成和时间分辨光谱等方面研究了这一现象 关键词：     

Violet Band Excimer Emission of Zn_2 Excited by Relativistic Electron Beam

ＶｉｏｌｅｔＢａｎｄＥｘｃｉｍｅｒＥｍｉｓｉｏｎｏｆＺｎ２ＥｘｃｉｔｅｄｂｙＲｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍＸＩＮＧＤａ１）ＷＡＮＧＱｉ２）ＴＡＮＳｈｉｃｉ１）Ｋｅｎ－ｉｃｈｉＵｅｄａ３）（１）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＬａｓｅｒＬｉｆ...     

新型KTP电光偏转器的设计和分析

设计了新ＫＴＰ电光偏转器，当通光口径Ｄ＝４ｍｍ，长度Ｌ＝４０ｍｍ时，其时间分辨率为１８０ｐｓ，从而可获得最窄宽度为４００ｐｓ的整形激光脉冲，而相同结构的ＬｉＮｂＯ３电光偏转器最窄只可获得宽度为８３０ｐｓ的整形激光脉冲，分析了电光偏转器设计中影响其性能指标的因素，指出利用恒温炉装置可消除激光脉冲在传播过程中的波面畸变。