O′-β′ Sialon在Y-Si-Al-O-N系统中的相关系

本文提出了Si₂N₂O-AlN-Y₂O_3系统的亚固相图,并修正了O’-β’Sialon在Y-Si-Al-O-N系统中的相关系。在Si-Al-O-N系统中,Si₃N₄和O’_ss(x=0.3)之间应有结线,它把O’-β’二相区分割成为两个相容性三角区:Si₃N₄-Si₂N₂O-O’_ss(x=0.3)和Si₃N₄-β’_ss(z=0.8)-O’_ss(x=0.3)。 Si₃N₄-O’_ss(x=0.3)-YAG-H相,在1550℃时形成为一相容性四面体区。如果加热到1700℃,而后于1200—1300℃退火热处理,则H相消失,相容性区变成为Si₃N₄-O’_ss(x=0.3)-YAG-Y₂Si₂O₇。 Si₃N₄-Si₂N₂O-O’_ss(x=0.3)-Y-2Si₂O₇(或H),Si₃N₄-O’_ss(x=0.3)-YAG-Y₂Si₂O₇(或H)和Si₃N₄-β_ss(z=0.8)-O’_ss(x=0.3)-YAG,这三个相容性区的确定,对开发制造O’-β’Sialon二相陶瓷有实用意义。     

Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统相关系

本文研究了Y₂O₃-Al₂O₃-Si₂N₂O系统的亚固相关系和1550℃的等温面相关系。研究结果表明,Si₂N₂O可与小于15mol％的Al₂O₃形成O′-Sialon(O′_s.s.)。2Y₂O₃·Si₂N₂O可与2Y₂O₃·Al₂O₃形成连续固溶体(J_s.s.).在Y₂O₃-Al₂O₃-Si₂N₂O系统的Si₂N₂O一端,Si₂N₂O与Y₂O₃会反应生成Si₃N₄和Y₁₀[SiO₄]₆N₂(H相)。因此在该系统中有四个四元相区:H-Si₂N₂O-O′_s.s.-Si₃N₄,H-3Y₂O₃·5Al₂O₃-O′_s.s.-Si₃N₄,H-3Y₂O₃·5Al₂O₃-Y₂O₃·Si₂N₂O-Si₃N₄,H-3Y₂O₃·5Al₂O₃-Y₂O₃·Si₂N₂O-J_s.s..在1550℃等温面相图中,在近Al₂O₃-Si₂N₂O系统一边有一个很大的液相区。其低共熔组成为:Y₂O₃:2Si₂N₂O:2Al₂O₃,T=1450℃。     

Si3N4-Y2O3-La2O3系统的相关系

本文提出了Si₃N-Y₂O₃-La₂O₃三元系统的亚固(固相线下)相图。在此系统中,形成四个含固溶体的两相区和八个三相区。在富Si₃N₄区,发现存在一个新相:0.4Y₂O₃·0.6La₂O₃·3Si₃N₄,它于1550℃开始生成,随着温度升高,生成量增大,然而极难获得其纯单相。钇黄长石Y₂O₃·Si₃N₄可被La₂O₃取代形成有限固溶体,其固溶限为55mol％La_2O₃,即0.45Y₂O₃·0.55La₂O₃·Si₃N₄。在Y-La-Si-O-N系统中,实验测得,具有同结构的三类含氮稀土硅酸盐,都分别形成连续取代固溶体。它们是:J相连续固溶体——2(Y,La)₂O₃·Si₂N₂O,K相连续固溶体——(Y,La)₂O₃·Si₂N₂O和H相连续固溶体——(Y,La)₁₀(SiO_4)₆N₂。     

YBa2Cu3O7-δ超导体的物相及相变

本文利用原子集团变分方法,同时引入YBa₂Cu₃O_7-δ超导体Cu一0平面上O—O,O—□和□—□之间的近邻和次近邻相互作用的J,J′,取J′/J=0,±1/4,1/2和1几种值进行计算,给出了相应情况下的相图。理论计算指出,当J′/J=1/4时,其相图所给出的相变情况与目前YBa₂Cu₃O_7-δ超导体中的正交-四方相变一致;并讨论了低温下可能存在的几种相及其相变。     

R2O3-AIN-AI2O3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)系统的相关系

研究了R₂O₃-AIN-AI₂O₃(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及R₂O₃-AIN-AI₂O₃系统在1700℃的等温截面.发现存有一个组成为RAl₁₂O₁₈N的新相,其结构同β—Al₂O₃.本文对其它轻稀土元素可否形成新相也作了探讨.发现从La到Eu(除了Pm未测外)都能在组成RAl₁₂O₁₈N处形成含N的β-Al₂O₃相.经测定它们的单相区范围为:当R=Nd和Sm时,含Nβ-Al₂O₃相只发生在RAl₁₂O₁₈N组成处;而其它稀土的含Nβ-Al₂O₃相的组成都扩大到纯氧化物一端,即R₂O₃:11Al₂O₃处.经测定RAl₁₂O₁₈N的晶胞常数(a=5.557和c=22.00)几乎不随R而变化.1700℃时,在Nd₂O₃-Nd₂AlO₃N-NdAlO₃三角形区域中存有一个很大液相区.     

C3N4的制备与结构分析——I.Si衬底上的样品

采用偏压辅助热丝化学气相沉积方法,在Si衬底上合成晶态β-和a-C₃N₄材料.并观察到过渡层C_3-xSi_xN_y的形成.同时提出“晶格匹配选择生长条件”,对由C₃N₄六棱柱单晶棒组成的花状晶团的生长机理给出了定性的解释。     

添加稀土氧化物的热压氮化硅陶瓷

本工作制备了一种添加稀土氧化物的热压氮化硅陶瓷,其抗弯强度从室温到1300℃可保持在800—900 MPa,1400℃时为680 MPa,室温断裂韧性值为4.38—4.96 MPa m^1/2。X光扫描电子显微镜、电子探针及能量色散谱分析表明,这种材料由细小的β-Si₃N₄晶粒、α-Si₃N₄晶须、四方形含La晶体和含La玻璃相组成。对断口的观察发现这种陶瓷直到1400℃仍以穿晶断裂为主。此外,还就添加剂对强度和断裂韧性的影响进行了讨论。     

半参数回归模型的参数估计的Bootstrap逼近

设有半参数回归模型Y=Xβ+g(T)+e.对利用核光滑方法得到的参数分量β和误差方差σ²的估计量β_n和σ_n²,本文通过对原样本进行重抽样的方法,构造了β_n和σ_n²的Bootstrap 统计量β_n*和σ_n^*2.证明了在给定原样本的条件下,n^1/2(β_n*-β_n)和n^1/2(σ_n^*2-σ_n²)分别与n^1/2(β_n-β)和n^1/2(σ_n²-σ²)有相同的渐近分布.     

慢电子对氮、氧和氖原子散射的总截面的计算

本文用下列解析原子波函数 1s电子:φ₁(r)=N₁e^-μar, 2s电子:φ₂(r)=N₂[(μr)e^-μr-Ne^-μar], 2p电子:φ3(r)=N₃(μr)cosθe^-μr, φ₄(r)=N₄(μr)sinθe^iφ-μr, φ₅(r)=N₅(μr)sinθe^-iφ-μr,推导出入射电子与氮、氧和氖原子之间相互作用的解析势函数,其中包括了交换作用与极化作用。应用这种势函数并用分波法,文中还算出了慢电子在这三种原子的势场中运动的畸变波函数、相移及散射总截面。计算结果与实验值很符合。     

线性模型中误差方差的二次型估计的可容许性问题

设有线性模型Y=(y₁…y_n)’=Xβ+ε=X(β₁…β_p)’+(ε₁…ε_n)’,这里n≥p,X已知,ε₁,…,ε_n相互独立,E(ε_i)=0,E(ε_i²)=σ²,E(ε_i³)=0,E(ε_i⁴)=3σ⁴,i=1,…,n,β∈R^p,0<σ~2<∞。令?={Y’AY:A≥0}。当损失函数为σ^-4(d-σ²)²且X=I_n或者X=1_n时,给出了 Y’AY(A≥0)在?中是σ₂的可容许估计的充分必要条件。又当ε～N(0,σ²I_n)时,给出了Y’AY(A≥0)在σ²的一切估计类中是可容许的充分条件。     

二阶抛物方程组解的Lp-正则性和Hölder连续性

在可控和自然增长条件下,非线性抛物组 u''_t-D_aA_i^a(x,t,u,Du)= B_i(x,t,u,Du),i=1,…,N,(x,t)∈Q之解。u∈L²(0,T;H¹(Ω,R^N))∩L^∞(0,T;L²(Ω,R^N))(或∩L^∞(Q,R^N))的空间导数D_au事实上属于L_loc^p(Q,R^N),p>2;拟线性抛物组 u''_t-Dα[A_ij^αβ(x,t,u)D_βu^j+a_j^a(x,t,u)]=B_i(x,t,u,Du),i=1,…,N的每一个解都在一开集 Q₁?Q上 Holder连续,且H^n+2-p(Q\Q₁)=0;若当j>i时A_ij^αβ=0,且B_i(x,t,u,p)关于|p|的增长阶小于2,则Q₁=Q;若A_ij^αβ和a_i^a都Holder连续,则D_au也在Q₁上 Holdler连续.     

Hirota型非线性发展方程的整体光滑解

本文研究如下Hirota型非线性发展方程 i?_tφ+α?_x²φ+iβ?_x²φ+iγ?_x(|φ|²φ)+δ|φ|²φ=0,Cauchy问题整体光滑解的存在性,唯一性及解的收敛性与衰减估计.     

关于矩阵典型域Poisson方程的基本解

本文讨论n阶矩阵典型域I-ZZ’> 0的Laplace-Beltrami不变微分算子tr△z的Poisson方程 ∑∑(I-ZZ’)_ij(I-Z’Z)_kl(?²u/?_Zil?_Zik=f(Z)的基本解的积分表达式(径向形式)。利用迭加原理和调和函数的Poisson积分公式,我们还能得到Poisson方程Dirichlet型边值问题的解的公式。     

铋系高温超导体的低温相向高温相转变机理

研究低温相(2212相)向高温相(2223相)转变的固体反应对于制备纯高温相(T_c=110K)非常重要.本研究结果指出,从2212相(Bi₂Sr₂CaCu₂O₈)转变为2223相(Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀)有两种机理起作用. 第一种机理是2223相在Bi₂Sr₂CaCu₂O₈+CuO+Ca₂CuO₃母相中成核,然后进行生长,称为“成核机理”. 第二种机理涉及到晶粒内反应.它仅需将一层钙原子和一层CuO原子同时插入2212结构,即可形成2223结构.这是一个离子扩散过程,称为“扩散机理”. 研究使用高分辨电子显微镜在原子水平上发现了这一过程.     

在双促进铁催化剂上氨合成反应机理与动力学方程

本文从已知实验事实的理论分析,包括使用EHMO量子化近似计算及反应速率方程的推导等理论分析方法,提出了氮的活化、氢的活化、²⁸N₂—³⁰N₂同位素交换的机理.并提出氮的分子吸附以及H^+δ对吸附N₂^-δ作用生成NH_x是氨合成反应的二个决定性步骤.N₂^-δ与NH_x的相对含量决定于催化剂组成和反应条件(温度、压力、原料组成).文中根据微观分子催化作用机理,推导出相应的动力学方程式,该方程形式上与Temkin推广式一致,二者仅差一氢吸附常数项,但微观作用机理与某些动力学参数的物理意义则有重要的不同.     

四方到正交YBa2Cu3O7-δ过渡体系的超导电性

在不同的退火温度下,由空气淬火方法制备出理想正交相和典型四方相的YBa₂Cu₃O_7-δ。单相样品,以及结构介于两者之间的过渡相样品。从X光衍射、电阻温度关系、交流磁化率温度关系等实验结果我们得到了如下结论:(1)样品的结构随着淬火温度的逐渐降低而产生由四方相向正交相的过渡;(2)YBa₂Cu₃O_7-δ四方相直至2.4K都是不超导的;(3)过渡体系样品中超导临界温度的高低依赖于样品结构的正交畸变程度;(4)本文中首次发现了不超导的四方相在100K附近结构相变可能存在的证据;(5)淬火温度较高的样品在高温区(>100K)的电导特性可以用样品中氧缺位的影响加以解释。     

假蜜环菌的研究 Ⅱ.假蜜环菌素的分离及结构测定

从假蜜环菌培养物的乙醇提取物中分离得四种成分,其中有两种是尚未报道过的新成分,一为香豆素衍生物,定名为假蜜环菌甲素(Armillarisin A),分子式C₁₂H₁₀O₅,熔点245℃(分解),用紫外、红外光谱、质谱、核磁共振光谱等确定,假蜜环菌甲素为3-乙酰基-5-羟甲基-7-羟基香豆素,并已人工合成,另一成分定名为假蜜环菌乙素(Armillarisin B),分子式C₉H₁₀N₂O₃,熔点162—163.5℃,用同样的方法初步测定了它的结构为α-羟基-α-苯基丙二酰胺。     

LiIO3的多型性相变及α,β,ζ-LiIO3的相对稳定性

本文用绝热比热仪测定了LiIO₃的α,β,ζ相的比热。用五次多项式最小二乘法拟合所得结果,求得了α,β,ζ相的熵、焓和自由能。根据自由能随温度的变化曲线,判断了它们在不同温度下的稳定性。低于200℃,α相是稳定相,高于300℃,β相是稳定相。ζ相的自由能在200—300℃分别与α,β相自由能接近。同时,从热力学和结构的观点,讨论了LiIO₃的相变机制和LiIO₃存在复杂多型性的热力学因素。     

Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ体系的声子振动谱和输运性质

研究了Y_1-xNd_xSr₂Cu_2.7Mo_0.3O_7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr₂Cu_2.7Mo_0.3 O_7-δ结构上与RBa₂Cu₃O_7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr₂Cu_2.7Mo_0.3O_7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果     

Tl-Ba-Ca-Cu-O体系一系列超导相的晶体结构

本文用粉末烧结法合成了Tl-Ba-Ca-Cu-O体系一系列超导试样。用X射线粉末衍射法对它们进行了结构分析,发现了一组点阵常数α值相同,c值不同的四方超导相。超导相由隔层(Tl-O单隔层或双隔层)和缺氧类钙钛矿型结构单元Ba₂×Ca_n-1Cu_nO_2n+1(n为整数)所组成。从晶体结构观点可分为两类:一类属Tl-O单隔层、简单四方点阵,空间群为p4/mmm,理想化学式为TlBa₂Ca_n-1Cu_nO_2n+2.5,n=1,2,3,4;另一类属Tl-O双隔层,体心四方点阵,空间群为I4/mmm,理想化学式为Tl₂Ba₂Ca_n-1Cu_nO_2n+1,n=1,2,3,4。这些超导相随n值的增加,超导转变温度升高。当n值相同时,体心四方点阵的超导转变温度比简单四方点阵高。并讨论了超导相结构之间的相互关系。提出了依据第一条衍射线面间距d值或点阵常数c值推测超导相晶体结构的方法。