q-变形陀螺的粗粒描述和t-j模型

从RTT关系出发建立了完全可积的三角式Goryachev Chaplygin旋转仪的Hamilton量 ,通过使用SU_q( 2 )代数的多个Fermi子算符表示和作平均场等近似的粗粒描述后 ,发现它可以约化成t-j模型的Hamilton量.     

顶点算子超代数及相关的结合代数的表示

设 V 是一个顶点算子超代数. 该文得到了一系列的结合代数A_n(V)(对任何n∈ 1/2 + Z₊(i∈ {0,1})). 也给出了A_n(V) -模但非A_n-1/2(V) -模的不可约模范畴和单的可容许的V -模的范畴之间的一一对应关系. 对于给定的A_n(V) -模但非A_n-1/2(V) -模U, 还构造了一类广义Verma可容许的V -模M_n(U). 进而利用结合代数的表示进一步研究了顶点算子超代数的表示论.     

高温超导氧化物中非平衡载流子的能量弛豫与电声相互作用

利用超导体中非平衡能量平衡模型,研究室温下YBa₂Cu₃O_7-δ(δ=0.1,0.4,0.8)和PrBa₂Cu₃O₇外延膜中光激活非平衡载流子的弛豫动力学,计算了电声耦合常数λ发现随着氧含量的降低及用Pr替代Y,Cu-O面上空穴Fermi面向Cud⁹/d¹⁰带方向移动,非平衡载流子的驰豫时问增加而电声耦合常数明显减小.这一结果与瞬态反射谱测量结果符合得很好.这表明载流子浓度的降低减弱了电声相互作用,而这种作用可能是一种实空间的局域相互作用.     

强Θ类算子生成的C*-代数及其K-理论

本文研究由强类算子T生成的C^*-代数,证明了C^*(T)的换子理想I(T)是一列*同构于C₀(Z⁰)上n阶矩阵代数的n齐次代数和的闭包,特别当T完全非正常时,I(T)与C₀(Z₀)K(l²)*同构。本文第二部分得到完全非正常强类算子的谱与其近似点谱相等的一些等价条件,并计算了由该类算子生成的C^*-代数的一些K群。     

具有一个Fermi自由度的量子模型

详细讨论了具有一个Fermi自由度的量子模型 .模型的算子作用量具有定域算子规范对称性 .从一些具体的物理上的要求出发 ,可得到一组关于算子规范势B0 和规范变换算子U的约束条件 .Fermi型算子 ψ的Euler Lagrange运动方程给出通常的Fermi型运动方程 ,而算子规范势B₀ 的Euler Lagrange方程则只是一个约束 ,此约束就是通常Fermi子的正则量子化条件 .     

约束形式变分计算及其在孤立子方程研究中的应用

本文以纯代数方式发展了约束形式变分计算,应用这一方法证明了次之迹恒等式其中U=U(u_a,η),矩阵K满足假设为唯一可解的方程K_x=[U,K]。我们并指出:一系列不同作者用繁复计算得到的等式均为上述值得注目的迹恒等式的特例。这一等式并提示我们,对一些经典李代数言,其Killing-Cartan形可选为与谱问题φ_x=Uφ相连的方程族的Hamilton量。 我们还给出了次之有趣公式的基于约束变分计算的一种推导,以示方法的又一应用:其中B_η与L分别为AKNS方程族的Backlund变换与递推算子。     

局部R0-代数

文提出了局部R₀-代数的概念,并给出了相应的等价条件,即(i)R₀-代数L是局部的,(ii) ?x∈L,ord(x)<∞或ord(-x)<∞,(iii)每一个真滤子是primary.另外,我们又证明了任一R₀-代数是局部R₀-代数的子直积.     

SU(3)×U(1)规范理论中的弱电相互作用模型

本文利用手征混合表象构造了一个SU(3)×U(1)规范理论中的弱电相互作用模型.在sin^2θ_W=1/4的极限下,这个模型在低能范围则化为简单SU(2)×U(1)模型.当sin^2θ_W略小于1/4时,中性流部分有小的修正,可以通过实验进行检验.     

ZnS∶Mn2+纳米晶钠硼硅玻璃复合体的EPR研究 *

用熔融法制备了ZnS∶Mn²⁺不同含量的钠硼硅玻璃 .发光和激发光谱测量发现Mn离子可能占据替位 (Mn²⁺) _sub和间隙 (Mn²⁺) _int两种格位 .进一步的电子顺磁共振(EPR)实验证实了这一判断 ,并从EPR谱确认了(Mn²⁺) _sub,(Mn²⁺) _int和Mn团 3种格位态的存在 .观测到g因子和超精细结构(HFS)常数随纳米晶粒径的减小而增大 .这可能是由于量子限域效应下ZnS的sp³ 和Mn的3d⁵电子态杂化和表面态所引起的 .     

质环的求导和交换性

In this paper, we generalize some corresponding results of [1-4]. We obtain the main results as the following:Theorem 1 Let R be a prime ring of characteristic not 2 with nontrivial derivations d₁,d₂ and let U be a nonzero ideal of R . If C is the center of R, then the following conditions are equivalent : (i)d₁,d₂(x)∈C for all x∈U; (ii) [d₁(x),d₂(y)]∈C for all x,y∈U; (iii) d₁(x)d₂(y)+d₂(x)d₁(y)∈C for all x,y∈U; (iv) R is commutative.Theorem 2 Let R be a prime ring with nontrivial derivations d₁,d₂,…, d_n and U be a nonzero ideal of R. Let C be the center of R. If d₁(x₁)d₂(x₂)…d_n(x_n)∈C for all x₁, x₂…x_n)∈U, then R is commutative.     

分子气体中VUV/XUV相干光的产生 *

通过共振和非共振的三次谐波过程 ,在分子气体N₂ ,CO ,H₂ 和CH₄中产生了92～122nm之间的可调谐相干光 .对影响分子气体频率转换效率的各种因素 ,包括非线性极化率的谱线强度 ,介质密度和相位匹配等进行了必要的分析和讨论 .通过分析分子四波混频光谱的特点得到了分子的能级分布和粒子数布居等物理参数 ,这表明非线性光学频率转换过程提供了一种研究分子结构和分子光谱的手段.     

C60和C70薄膜光吸收谱研究 *

用透射光谱法和光热偏转谱法测得了C₆₀和C₇₀薄膜在宽能量范围(0.6到6.5 eV)的光谱,并计算了吸收系数.根据分子轨道模型分析了C₆₀和C₇₀薄膜的光跃迁行为.Fuller烯薄膜的弱吸收光谱与非晶硅的类似.用Tauc公式确定了C₆₀和C₇₀薄膜的光学带隙分别为1.75和1.65eV.Urbach吸收边和亚隙吸收表明Fuller烯薄膜中存在无序状态,导致带尾态和缺陷态,这虽非C₆₀或C₇₀薄膜所固有,但无序的存在给准确测定Fuller烯薄膜的禁带宽度带来障碍.讨论了偏转介质与衬底对Fuller烯薄膜的弱吸收光谱的影响.     

超对称群为SUSY SO(10)×Δ(48)×U(1)的模型及低能现象

创建了超对称群为SO(10)×Δ(48)×U(1)的模型,并在此基础上研究了包括中微子在内的所有低能Fermi子的质量和混合角.假定所有超场的Yukawa相互作用耦合常数是普适的.推导出的低能质量矩阵结构只和一个耦合常数及几个由对称性自发破缺所要求的真空期望值有关.决定夸克和带电轻子质量及其混合角所需的13个观察量,可由5个参数完全决定,并和现有实验符合.由此确定的U(1),SO(10)和SU(5)对称破缺的尺度满足大统一理论及质子衰变的要求中微子质量和轻子混合角也通过引入Majorana耦合而确定.对Los alamos实验室的LSND v_u→v_e实验,大气层中微子缺损实验和由热暗物质提出的质量限制均能合理解释.但太阳中微子困惑只能靠引入新的无弱作用中微子才能解决,并需要增加一个新的参数.更准确地测量a_s(M_z),V_cb,V_ub/V_cb,m_b,m_i,CP破坏及中微子振荡将更严格地检验本模型.     

C15化合物ZrZn2和ZrV2的磁性和超导性的自洽电子结构研究

本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn₂和ZrV₂电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在Fermi能级附近存在着平坦的能带,它可能对E_F处的态密度产生值得注意的影响.分波态密度的仔细分析表明:ZrZn₂和ZrV₂之间最主要的差别是原子Zr和V产生的d带的位置不同. 本文通过计算广义Stoner因子,研究了这些材料的磁性.结果发现,ZrZn₂存在着磁反常而ZrV₂是非磁性的.这一结果同实验观察一致.理论预言ZrV₂的超导转变温度T_c～15K,而ZrZn₂约为4K.同以前的各种计算比较,本文结果有大幅度的改进.     

离散事件动态系统的周期配置

用极大代数描述的离散事件动态系统X(k)=X(k-1)A?U(k)B中,A的右上三角块标准形的全部A_i的特征值λ_i,1≤i≤ω称为周期.本文证明了:能用状态反馈U(k)=X(k-1)K在[λ_i,+∞)中任意配置周期(即配置“极点”)的充要条件是A,B有匹配的标准形;还给出了周期配置与能达性的关系及在FMS中的应用.     

左右对称弱电规范理论中的轻子混合角和V3中微子的衰变

本文在左右对称规范理论SU(2)_L×SU(2)_R×U(1)模型中引入四种离散的水平对称性,分别得到各代轻子之间的混合角及相应的质量关系。文中对v₃的可能的质量值作了估计,并讨论了这四种模型中中微子非零质量和轻子混合所引起的各种物理效应。诸如夸克混合角的确定、μ—e普适性的表现形式、中微子振荡及其在天体物理学中的应用等等。特别着重讨论了模型B中重中微子(m_v3)约为2×10²MeV)的寿命和各种可能的衰变模式,以便为重中微子的实验探测提供一点线索。     

U-统计量对数律的精确渐近性

设{X_n, n ≥1}是独立同分布随机变量序列, U_n 是以对称函数(x, y) 为核函数的U -统计量. 记U_n =2/n(n-1)∑_{1≤i h(Xi, Xj), h1(x) =Eh(x, X2). 在一定条件下, 建立了∑n=2^∞(logn)^δ-1EUn²I {I U n |≥n ^1/2√lognε}及∑n=3^∞(loglognε)^δ-1/logn EUn² I {|U n|≥n^1/2√log lognε} 的精确收敛速度.}     

光纤中RM对SRS相对强度的影响

本文将喇曼混频(RM)作为影响光纤中多级受激喇曼散射(SRS)的主要因素,进行了理论研究。在理论分析中,同时计入RM和高级SRS,并提出了一组包括九个波的耦合微分方程组,计算了直到十级的SRS的数值解。用YAG:Nd Q-开关激光器、脉冲染料激光器和多模GeO₂·SiO₂玻璃光纤,对由单波长和双波长激光激励的多级SRS的相对强度进行了实验研究。理论分析结果和实验结果一致。实验上所观测到的SRS光谱是由于同时存在SiO₂和GeO₂四面体的形变振动而产生的。它们的振动频率为1.3×10¹³和1.4×10¹³赫兹。     

D4型量子包络代数的Gelfand-Kirillov维数

本文研究了D₄ 型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数的计算问题. 利用文献[1] 中给出的Gelfand-Kirillov 维数的计算方法和文献[2] 中给出的D₄ 型量子包络代数的Groebner-Shirshov 基计算了D₄型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数, 得到的主要结果是D₄ 型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数为28. 希望此结果为计算D_n型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数提供一些思路.     

交换环上GL3的同构

本文对交换环A和R讨论E₃(A)和E₃(R)之间以及GL₃(A)和GL₃(R)之间存在例外同构的必要与充分条件.文中给出的反例说明,两个不同构的环可以有同构的线性群.这部分地回答了代数群抽象同态会议所提出的一个公开问题.