非退化Cauchy-Riemann流形上¶b复形的正则性

对于余维数大于1的CR流形M 上的一点ξ , M 在ξ 附近的CR结构可由两步幂零Lie群G_ξ的CR结构来逼近.G_ξ随ξ变化而变化.M 上的¶_b和¶_b可由两步幂零Lie群上的¶_b和¶_b逼近.用两步幂零Lie群上¶_b的拟基本解构造非退化CR流形M上¶_b的拟基本解,并定义M 上的拟距离.¶_b和¶_b复形的正则性可从M 上的调和分析得到.     

(Fe1-xNix)_4N中Ni原子的磁体积和化学键效应

结合X射线衍射和⁵⁷Fe高压MÖssbauer谱,对Ni替代的Fe₄N的结构和超精细参数进行了研究。X射线的结果表明,Ni含量在0≤x≤0.6范围内可形成单相的Υ＇-(Fe_1-xNi_x)₄N化合物,且随着Ni含量的增加,材料的晶格常数很好地满足a₀(x)=3.7905-0.02157x-0.03167x²关系。用MÖssbauer谱区分了Ni原子的磁体积和化学键效应对Fe的超精细磁场和同质异能移的影响,并研究了不同晶位上这两种效应的成分依赖关系,发现两者的作用规律是不同的,但化学键效应对该材料性能的改变起主要作用。     

Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y的晶体结构、电子结构和超导电性

本文研究了Y替代Ca对Bi₂Sr₂Ca_1-xY_xCu₂O_8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO₂层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d⁹态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO₂层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d⁹L态)对应于超导体.     

Y-Ba-Cu-Sn-O体系的结构和性能

通过YBa₂Cu_³x)Sn_xO_7+y体系样品的结构参数、XPS和Mssbauer谱、电阻-温度关系、氧含量以及热分解温度的综合测量,发现:Sn在该体系中替代了Cu的位置并保持4价状态;在x<0.4范围内Sn替代Cu对晶体结构没有影响,引起T_c的变化也极小;Sn替代Cu使体系的氧含量增加,并明显地影响了Cu的价态,使Cu呈现+3价,实验在结构、氧缺位及电子态方面为认识超导电性的起源提供了一些重要信息,在综合分析实验结果的基础上,本文提出:金属原子与氧原子间的耦合程度决定了体系的超导电性。     

两类万有膨胀移位的刻划

本文具体刻划了这样两类万有膨胀移位算子:A_^?0)类单边加权移位和(BCP)_θ类单边加权移位.由此我们回答了一些有关问题.     

Schwarzian 导数, 几何条件和QK 空间

设ψ : D → Ω 是一个单叶函数, 利用Schwarzian 导数, 本文获得了log ψ′ 属于Q_K 空间的一个充要条件. 此外, 本文运用了一个几何条件来刻画Q_K 空间.     

An型扭双指标代数

给出了F (Δ)-有限的A_n型偏序集的扭双指标代数的完全分类     

Y-TZP及Y-TZP/Al2O3陶瓷的微波加热及微波烧结特性

用矩形单模TE_10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al₂O₃复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol％Al₂O₃的Y-TZP/Al₂O₃陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98％以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象.     

D2-C76旋光度的理论研究

应用电磁场与分子相互作用理论,给出了分子旋光度的计算公式.对D₂-C₇₆的旋光度进行了估算,得到它的旋光度约为1°/cm.     

空间形式中具有两个线性相关平均曲率函数的超曲面

在空间形式中, 我们构造了一类泛函, 其临界点包括极小与r 极小超曲面. 给出了临界超曲面的代数、微分和变分刻画. 我们证明了Simons 类不存在定理: 在单位球面中不存在稳定的临界超曲面. 同时证明了Alexandrov 类存在性定理: 在欧氏空间中球面是唯一的稳定的临界超曲面.     

乘积空间上加权Hp(0＜p≤1)空间的原子分解*

本文利用加权形式的Journe覆盖引理及其在高维空间的推广,建立乘积空间上加权H^p(0＜p≤1)空间的原子分解定理，并得到其中消失矩条件阶数的向量值表示，将单参数情形的有关结果推广到任意多个参数的情形，解决了由Chang及Fefferman在文献[1]中提出的问题。     

n-Lie 代数的扩张

文章主要研究n-Lie 代数的扩张问题. 首先利用n-Lie 代数的模作n-Lie 代数的T_θ- 扩张与T_θ^*-扩张. 再利用模度量3-Lie 代数,做3-Lie 代数的双扩张. 文章最后利用4- 指标阵构造了m 维3-Lie代数的双扩张.     

Banach 空间上算子的几种不可约性

本文根据Cowen-Douglas 算子的定义引入两类与强不可约算子有紧密联系的算子类— B_n 算子与B 算子. 说明了在可分Banach 空间上存在B_n 算子与B 算子. 文章详细讨论了几种具有不可约性的算子类之间的关系并得到了一个关系图. 本文还给出这些算子类的一些性质, 包括算子的(拟) 相似不变性等.     

秩函数与K0群的状态空间

给出了局部秩与稳定自由秩的表达式,得到了一类VN正则环的元素特征.利用K₀群的状态空间,给出了K0R有关性态的本质刻画.     

纳米复合材料Fex(SiO2)1-x中的界面相互作用和渗透效应对磁性的影响

采用机械合金法制备了纳米复合材料Fe_x(SiO₂)_1-x系列样品 .用X射线粉末衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )、M ssbauer谱和Faraday磁天平系统地研究了该系列样品不同Fe合量和不同球磨时间的微结构和磁性 .实验表明样品的微结构和磁性与球磨时间和Fe含量密切相关 .当样品的Fe含量少于 2 0wt% ,并球磨了 80h后呈现出非常复杂的微观结构 :α -Fe纳米晶粒和Fe团簇镶嵌在SiO₂ 基质中 ,形成α -Fe纳米岛状和纳米尺度的类三明治结构 .Fe-SiO₂ 界面的相互作用和渗透效应、纳米晶的尺寸效应和类三明治的特殊微观结构导致了纳米复合材料Fe_x(SiO₂)_1-x的物理性能的变化     

二维射影线性群与区传递4-(v,6,λ)设计

设D=(X,B)是一个4-(v,6,λ)设计,GAut(D)区传递地作用在D上且X=GF(q)∪{∞},这里GF(q)是q元有限域.如果G=PSL(2,q),则存在4-(12,6,4)设计;如果G=PGL(2,q),则存在4-(12,6,8),4-(18,6,24)和4-(33,6,12)设计.     

关于可构成实数在Lω1中分布的几个定理

任何一个可构成实数都是在L_ω1中构成的。本文指出,并不是L_ω1前面的每一层都会产生新的实数,并用元数学的方法(或者就是模型的方法)对这样的层作了宏观上的描述。     

解在QK 型及Dirichlet 型空间中的线性微分方程

对于单位圆盘上系数函数是解析函数的复微分方程
f⁽ⁿ⁾+A_n-1(z)f^(n-1)+…+A₁(z)f''+A₀(z)f=0,
给出了方程的系数函数和解函数之间的关系, 即当系数函数A_j 满足给定的条件时, 方程的所有解属于Q_K型空间和Dirichlet 型空间.     

在MOS结构Si-SiO2界面上的一个主界面缺陷

本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO₂界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_it(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO₂界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO₂系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO₂的能带;H_it(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。