正态电子偶素衰变率的实验研究

本文提出用外推N_2γ/N_3γ→0的方法测正态电子偶素的真空衰率λ₀,初步结果得到λ₀=7.034±0.013μs^－1,讨论了进一步改进实验的可能性.     

以eV为单位测量电子静止质量

以¹⁹²Ir的γ射线的能量准确值作为比较标准,用高纯锗γ谱仪测出正电子在充氧气的气凝硅胶中湮没γ射线能量的平均值,与在真空气凝硅胶中湮没γ能量相比较,定出仲态电子偶素湮没γ能量,经对电子偶素运动的相对论效应及电子偶素结合能等修正,得出电子静止质量m₀c²=510998.80±0.74eV.实验结果与电子静止质量的最近调节值在误差内一致.     

聚四氟乙烯中正电子湮没寿命谱中等寿命成份湮没过程性质研究

用时间选择谱仪-磁猝灭测量方法并经适当数据处理,研究了聚四氟乙烯高聚物中正电子湮没寿命谱中等成份(～1ns)的湮没过程性质.确定其为自旋三重态正电子素即o-Ps的猝灭.