89Ru的β缓发质子衰变性质

藉助氦喷嘴带传输系统,采用"p-γ"符合的鉴别原理,成功地合成与鉴别了58Ni(36Ar, 2p3n)反应产生的核素89Ru, 并研究了它的β缓发质子衰变性质.实验给出89Ru的衰变半衰期为(1.2±0.2) s, 测定了它的β缓发质子能谱,提取出了89Ru经缓发质子衰变布居到子核88Mo的2+和4+态的相对终态分支比(100∶6).通过与统计模型计算结果进行对比,初步指定了89Ru基态的自旋-宇称(5/2+或7/2±)和质量过剩(-59.5 MeV).     

稀土区质子滴线附近新的β缓发质子衰变

用重离子束³⁵Ar轰击缺中子同位素靶⁹²Mo,⁹⁶Ru和¹⁰⁶Cd产生了质子滴线附近的β缓发质子先驱核¹²⁵Nd,¹²⁸Pm,¹²⁹Sm,¹³⁷Gd和¹³⁹Dy.配合氦喷嘴带传输系统用“p-γ”符合方法对它们进行了肯定的鉴别.它们的半衰期分别为：0.60(15)s,1.0(3)s,0.55(10)s,2.2(2)s和0.6(2)s.用统计模型理论计算对实验测定的¹²⁵Nd, ¹²⁹Sm,¹³⁷Gd和¹³⁹Dy的,和从前报道的¹²¹Ce,¹³⁵Gd的β缓发质子衰变的能谱和分支比进行了拟合.提取出¹²¹Ce, ¹²⁵Nd, ¹²⁹Sm,¹³⁵Gd, ¹³⁷Gd和¹³⁹Dy的基态自旋-宇称分别为5/2^±,5/2^±,1/2⁺(或3/2⁺),5/2⁺,7/2^±和7/2⁺.实验初步指认的基态自旋 宇称值与Nilsson能级图的预言值相符间接表明这6种核素的基态具有大形变,形变参数β₂在0.3左右.     

质子滴线区新的缓发质子先驱核121Ce

藉助核反应⁹²Mo(³²S ,3n)产生了未知的缓发质子先驱核¹²¹Ce ,并利用氦喷嘴快速带传输系统和“p-γ”符合方法对它进行了鉴别 .测定了¹²¹Ce的半衰期 ( 1.1±0 .1 )s,观测了它的β缓发质子能谱 ,粗略地估计了它的β缓发质子衰变道的分支比约为1% .首次观测了先驱核¹¹⁹Ba,¹²¹Ba和¹²²La经过β缓发衰变在“子核”中产生的低位能级到基态的γ 跃迁.     

在e+e-湮灭中粲介子产额的计算

根据文献[1]提出的在e⁺e^-湮灭中夸克产生与组合规律,本文计算了在e⁺e^-湮灭中各种粲介子的产额,计算结果同实验相符,这表明我们对e⁺e^-湮灭为强子所采用的机制是合理的。     

解在QK 型及Dirichlet 型空间中的线性微分方程

对于单位圆盘上系数函数是解析函数的复微分方程
f⁽ⁿ⁾+A_n-1(z)f^(n-1)+…+A₁(z)f''+A₀(z)f=0,
给出了方程的系数函数和解函数之间的关系, 即当系数函数A_j 满足给定的条件时, 方程的所有解属于Q_K型空间和Dirichlet 型空间.     

图的彩虹连通数与最小度和

令G是一个阶为n且最小度为δ的连通图. 当δ很小而n很大时, 现有的依据于最小度参数的彩虹边连通数和彩虹点连通数的上界都很大, 它们是n的线性函数. 本文中, 我们用另一种参数,即k个独立点的最小度和σ_k来代替δ, 从而在很大程度上改进了彩虹边连通数和彩虹点连通数的上界. 本文证明了如果G有k个独立点, 那么rc(GG)≤3kn/(σk+k)+6k-3. 同时也证明了下面的结果, 如果σ_k≤7k或σ_k≥8k, 那么rvc(G)≤(4k+2k²)n/(σ_k+k)+5k; 如果7k<σ_k<8k, 那么rvc(G)≤(38k/9+2k²)n/(σ_k+k)+5k.文中也给出了例子说明我们的界比现有的界更好, 即我们的界为rc(G)≤9k-3和rvc(G)≤9k+2k²或rvc(G)≤83k/9+2k², 这意味着当δ很小而σ_k很大时, 我们的界是一个常数, 而现有的界却是n的线性函数.     

含有奇异位势和临界指数的拟线性椭圆方程的G-对称解

本文讨论一类奇异拟线性椭圆型方程
-div(|x|^-ap|▽u|^p-2▽u)=μ+h(x)/|x|^(a+1)p|u|^p-2u+k(x)|u|^p-2u/|x|^bq,x∈R^N,
其中1 < p < N, 0 ≤ a < N-p/p, a ≤ b < a + 1, 0 ≤ μ < μ = (N-p/p-a)^p, q=p^*(a, b) = Np/N-(1+a-b)p,h 和k 是R^N上的连续有界函数, 且关于O(N) 的闭子群G满足某些对称性条件. 应用变分方法和Caffarelli-Kohn-Nirenberg 不等式, 在h与k满足适当条件下, 证得了一些G-对称解的存在性和多重性结果.     

稀土区质子滴线核142Ho的β 缓发质子衰变

通过重离子引起的核反应¹⁰⁶Cd (⁴⁰Ca, p3n)合成了新的β 缓发质子先驱核¹⁴²Ho, 并且配合氦喷嘴快速带传输系统用“p-γ”符合方法对它进行了首次鉴别. 观测了¹⁴²Ho的β 缓发质子衰变, 测定其半衰期为(0.4±0.1) s. 利用统计模型拟合实验估计的对质子女儿核¹⁴¹Tb中末态的相对分支比和缓发质子能谱, ¹⁴²Ho的基态自旋被指认为5, 6或7. 用Woods-Xason Strutinsky方法计算了¹⁴²Ho的核位能面, 其结果支持指认¹⁴²Ho的基态自旋宇称为7-. 作为副产品, 还首次观测到了来自先驱核¹³⁹Gd, ¹⁴⁰Tb, ¹⁴²Tb和¹⁴³Dy的β 缓发质子衰变产生的质子女儿核中的一些γ 跃迁.     

HβE 的局部半圆律和Gauss 波动

令β > 0, 考虑实直线R 上服从HβE 分布的n 个点λ₁, λ₂,..., λ_n. Dumitriu 和Edelman 发现了三对角矩阵模型, 并证明了规范化经验测度的整体Wigner 半圆律. 本文将证明当支撑内点处区间长度大于√log n 时, 其包含的点个数依概率收敛, 即局部半圆律成立. 并且(0,∞) 上点的个数围绕均值n/2 正态波动, 方差为log n/π²β. 结果的证明主要依赖于Valkó 和Virág 所用的计数表示以及经典鞅方法.     

k维Piatetski-Shapiro素数定理 *

研究了k(≥3)维的Piatetski Shapiro素数定理 .令π(x;c₁,… ,c_k)表示不超过x且具有形式 [n^c₁1]=… =[n^c_kk]的素数个数 ( 1 k- (k/( 4k²+2 ) )时 ,π(x;c₁,… ,c_k)具有渐近公式 .     

Hp(Rn×R+)(1<p<+∞)函数得渐近行为*

H^p(Rⁿ×R₊)(1<p<+∞)函数得渐近行为于70年代已获得整体上的描述,今利用扩张得空间EH^p(Rⁿ×R₊)的不同层次间的内在关联,给出每个层次H^p函数的具体的渐近行为,以及EH^p函数在整体上得渐近行为.     

20Na衰变性质研究和16O反冲

通过²⁰Ne(p,n)²⁰Na反应,对核天体物理反应中引人注意的²⁰Na衰变作了较深入的研究。发现了²⁰Na的1个新的β⁺延迟a衰变道,其a能量和相对强度分别为(5896±6)keV和(0.0024±0.0003)kev(以2150 kev a峰强度为100)。同时在实验上观察到了²⁰Na β⁺延迟¹⁶O反冲,并由此推断出了β⁺延迟低能a衰变,a平均能量约为780kev,相对强度约为1.4。另外,还就此¹⁶O反冲和低能a衰变,讨论了低能带电粒子在物质中的能量损失规律。最后还对如何进一步甄别²⁰Na β⁺延迟低能a衰变提出了新的探测方法。     

广义态空间中Krein-Milman定理的算子类似

讨论在C^*-凸理论下C^*-代数A的广义态空间S_Cⁿ(A)中的Krein-Milman型问题.证明了S_Cⁿ(A)的任意一个BW-紧的C^*-凸子集K都具有一个C^*-端点,而且K是其C^*-端点的C^*-凸包.     

Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y的晶体结构、电子结构和超导电性

本文研究了Y替代Ca对Bi₂Sr₂Ca_1-xY_xCu₂O_8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO₂层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d⁹态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO₂层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d⁹L态)对应于超导体.     

与I-超滤相关的基数不变量

我们对自然数ω上的每一个理想I引入了一个新的基数不变量non^**(I). 我们证明相应的I-超滤的兼纳存在性可以用non^**(I)与连续统c的等式来刻画. 具体地, 我们有如下的结果:(1) 如果non^**(I)=c, 那么任何一个由小于c个集合生成的滤子都包含在某个I-超滤中.(2) 存在一个滤子刚好可以由non^**(I)个集合生成, 但不包含在任何一个I-超滤中.(3) 任何一个由小于non^**(I)个集合生成的超滤一定是I-超滤.以上的结果是相应的P-点和Ramsey超滤的经典结论的一个推广. 我们将对一些具体的理想, 确定non^**(I)的大小, 具体地, 我们得到了non^**(Fin×Fin)=∂, non^**(εD)=cov(M)以及对不满足Fin-BW性质的理想I, 都有non^**(I)>∂.     

关于有限p-群的正规闭包的一些条件

Berkovich 提出了研究满足下列条件的有限p-群G, 对于G的每一个非正规子群H满足(N₁)exp(H)=exp(H^G); (N₂) |H^G:H|≤ p; (N₃) H^G=HG''. 本文首先研究满足条件(N₃) 的有限p-群,然后讨论满足条件(N₁); (N₂) 和(N₃) 的有限p-群.     

S4(1)中常数量曲率的完备超曲面

本文把[1]的结论推广到超曲面是完备的情形,即我们证明了:设M³是单位球面S⁴(1)中常平均曲率及常数量曲率的完备超曲面。若S≤H²+6,则S只能等于1/3H²,3/4H²—1/4(H⁴+8H²)^1/2+3,(3/4)H²+1/4(H⁴+8H²)^{1/2相似文献}   

完全3- 一致超图的一类填充问题和覆盖问题

设Γ 是一些单t- 一致超图的集合. 填充设计P_λ(t, Γ, v) (或覆盖设计C_λ(t, Γ, v)) 是一个二元有序组(X, B), 其中X 是完全t- 一致超图λK_v^(t) 的顶点集, B 是λK_v^(t) 的一些子超图的集合, 要求每个子超图都同构于Γ 中的某一个超图, 每个子超图称为是一个区组, 并且满足λK_v^(t) 中的每一条边至多(或至少) 含在B 的λ 个区组中. 给定参数t, v, λ, Γ, 填充设计P_λ(t, Γ, v) 的最大可能的区组数称为填充数, 记为d_λ(t, Γ, v); 覆盖设计C_λ(t, Γ, v) 的最小可能的区组数称为覆盖数, 记为C_λ(t, Γ, v). 本文将确定Γ 中仅含超图K₄⁽³⁾ + e 时的d_λ(t, Γ, v) 和C_λ(t, Γ, v) 的精确值.     

l p值Gauss过程的增量有多大

设{Y(t),t≥0}={X_k(t),t≥0}^∞_k=1是独立的Gauss过程序列,σ²_k(h)=E(X_k(t+h)-X_k(t))².记σ(p,h)=(sum from k=1 to ∞ σ^p_k(h))^1/p,P≥1.考察σ(P,h)有界时Y(·)的大增量.作为一个例子,给出了无穷维分数Ornstein-Uhlenbeck过程在l^p空间中的大增量.所建立的方法适用于某些其它类型的平稳增量过程.     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。