双脉冲驱动锗薄膜靶产生的等离子体XUV光谱

用１米掠入射光栅谱仪测量了在点聚焦和线聚焦两种打靶方式下，单脉冲或双脉冲驱动锗薄膜产生的等离子体ＸＵＶ光谱。并对测得结果进行了分析讨论。在点聚焦打靶条件下，等离子体发射的ＸＵＶ光谱主要为底衬材料发射的谱线，集中在小于１９ｕｍ的波长范围内。在靶长１０ｍｍ线聚焦打靶条件下，Ｇｅ等离子体谱线增多，出现了ＧｅＸＸⅢ３ｓ─３ｐＪ＝０－１和Ｊ＝２－１两条激光线。Ｃ离子的Ｈα线显著变强。     

Cu等离子体X射线脉冲光源

介绍了１．０６μｍ激光加热Ｃｕ靶发射的１．２ｋｅＶ能区Ｘ射线转换效率和强度的测量方法和实验结果。结果表明，Ｃｕ等离子体是一种在１．２ｋｅＶ能区的ｘ射线强脉冲光源。     

利用环向电场提升等离子体电流以改善约束状态

利用一个小的环向涡旋脉冲电场（４．４Ｖ／ｍ，０．４５ｍｓ）成功地将ＨＴ－６Ｍ托卡马克等离子体电流从第一平顶（５５ｋＡ）提升到６０ｋＡ的第二平顶。其电流上升率大于１２ＭＡ／ｓ，电流上升时间远小于经典趋肤时间，实验中观察到了标志等离子体约束改善的明显物理现象。等离子体电流提升后，粒子约束时间提高了２．１倍，能量约束时间提高了１．６倍。 关键词：     

在HL－1M装置上用弯晶谱仪测量离子温度

本文叙述在ＨＬ－１Ｍ装置上用弯晶谱仪获取Ｆｅ的类Ｈｅ离子谱，用谱线的多谱勒加宽测量等离子体的离子温度，得到的等离子体ＨＬ－１Ｍ装置离子温度为５００—８００ｅＶ。     

用于等离子体电位测量的电容探针和发射探针

本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热，并在较强电子发射条件下运行（Ｉ_（ｅ０）／Ｉ_（ｅ０）＞１）。电容探针表面二次电子发射系数δ≥１。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为３×１０（－３）、５×１０（－４）。实验给出了ＭＭ－４会切中心等离子体电位Ｖ_（ｐ４）＝－８２±９－１２２±１２Ｖ；ＭＭ－４Ｕ东、西会切中心等离子体电位分别为Ｖ_（Ｐ４ｕ１）＝－５２．９±３．２Ｖ，Ｖ_（Ｐ４ｕ２）＝－６２±３．２Ｖ。     

HL—1M装置欧姆等离子体实验的初步分析

从１９９４年１０月２４日开始，对ＨＬ－１Ｍ装置进行欧姆加热等离子体的调试实验，获得了Ｉｐ＝３１０ｋＡ，ｑｎ＜２．５，ｎｃ＝３×１０＾１３ｃｍ＾－３，Ｔｃ（０）＞１ｋｅＶ，Ｔｉ（０）＞０．５ｋｅＶ和τＥ≈１０ｍｓ的平衡稳定等离子体。本文简述了ＨＬ－１Ｍ装置及其诊断等的实验结果进行了初步分析和讨论。     

全相对论性Vlasov－Maxwell方程的解析解

本文给出了全相对论性Ｖｌａｓｏｖ－Ｍａｘｗｅｌｌ方程的解析解。该解是Ｓｗａｄｅｓｈ［１］结果的推广，它既适用于高温聚变等离子体，也适用于有相对论漂移速度的等离子体。     

HL—1M托卡马克LHCD加热离子温度测量和杂质辐射特性

叙述了在ＨＬ－１Ｍ托卡马克ＬＨＣＤ实验中观测到的杂质ＶＵＶ辐射特性。用谱线的都卜勒展宽测量了离子温度。在一定的电子密度下，ＬＨＣＤ改善了等离子体的约束性能，对离子有显著的加热效果。     

全相对论性Vlasov—Maxwell方程的解析解

本文给出了全相对论性Ｖｌａｓｏｖ－Ｍａｘｗｅｌｌ方程的解析解。该解是Ｓｗａｄｅｓｈ＾［＾１＾］结果的推广，它既适用于高温聚变等离子体，也适用于有相对论漂移速度的等离子体。     

“快”带电离子通过固体时的“尾流”效应

简略介绍了“尾流”效应（ｗａｋｅｅｆｆｅｃｔ）的等离子体模型，并依之模拟计算了１．９１５ＭｅＶＨ、２．０６０ＭｅＶＨ在１００Ａ碳膜中分解后０°方向的能谱形式。给出了相同条件下的实验结果，将两者做了比较。     

MEVVA放电在材料表面改性上的应用

本文描述了金属蒸发真空弧放电的特点，阴极弧等离子体的形成过程，以及在加热蒸发电离方式相比ＭＥＶＶＡ放电的优越性。文章还叙述了建筑的ＭＥＶＶＡ离子源的实用参数，工作过程及ＭＥＶＶＡ等离子体源在全方位离子注入装置中的应用。     

电子温度对HL－1托卡马克低杂波电流驱动的影响

本文利用较简单的计算模型计算低杂波沿射线轨迹的能量沉积和电流分布。结果表明，当等离子体中心电于温度不太高（Ｔｅ＜１ｋｅＶ）时，边缘冷等离子体区电子－离子碰撞吸收的能量占相当大的比例，因此电流驱动效率较低。提高中心和边缘电子温度，将较大幅度地增加低杂波电流驱动效率，从而可解释为什么在小托卡马克中低杂波电流驱动效率比在大、中型托卡马克中小得多。     

电子温度对HL—1托卡马克低杂波电流驱动的影响

本文利用较简单的计算模型计算低杂波沿射线轨迹的能量沉积和电流分布。结果表明，当等离子体中心电子温度不太高（Ｔｅ〈１ｋｅＶ）时，边缘冷等离子体区电子－离子碰撞吸收的能量占相当大的比例，因此电流驱动效率较低。提高中心和边缘电子温度，将较大幅度地增加低杂波电流驱动效率，从而可解释为什么在小托卡马克中低杂波电流驱动效率比在大、中型托卡马克中小得多。     

HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量

用新研制的五通道碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器阵列分别观测了在欧姆发热、弹丸注入及离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）条件下,ＨＬ－１Ｍ等离子体中的超热电子引起的能量在１０～１５０ｋｅＶ范围内的Ｘ射线辐射强度的时空变化,及超热电子辐射的Ｘ射线能谱。结果显示,在ＩＣＲＨ期间,等离子体边缘的Ｘ辐射增强,超热电子的温度大约为３０ｋｅＶ,ＩＣＲＨ的能量沉积在等离子体边缘。     

HL－1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后的ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响     

HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后遥ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响。     

双盘靶等离子体运动和X光辐射

通过双盘靶实验我们观察到了等离子体的运动，运动速度小于３．５×１０７ｃｍ／ｓ；同时观测到了等离子体的会聚发射，Ｘ光的波段约在４００～７００ｅＶ之间，峰值能量在５００～６００ｅＶ之间。     

激光银等离子体XUV谱测量

用１ｍ掠入射光栅谱仪测量了入射激光功率密度为３～６ＴＷ／ｃｍ￣２时，块状银靶产生的等离子体ＸＵＶ光谱。对４～１１ｎｍ波长范围内的谱线进行辨认和分类。     

等离子本离子温度和角向旋转速度的测量

利用多道光学分析仪测量了ＨＴ－６Ｍ托卡马克ＣＶ２２７．１ｎｍ谱线线形分布,通过选点拟事得到了等离子体离子温度和旋转速度。     

金刚石镀膜装置中的等离子体参数测量

利用平行马赫探针和单探针对金刚石镀膜装置中的等离子体漂移速度、,离子密度及电子温度进行了测量,采用ＣｈｕｎｇＫｙｕ－Ｓｕｎ理论对平行马赫探针数据进行分析得到的马赫数为０．２８,电子温度为５ｅＶ,等离子体流速约为９８０ｍ．ｓ＾－１。单探针测行离子密度在１０＾１８～１０＾２０ｍ＾－３的范围内,电子温度在２－８ｅＶ的范围内。