HL-1M装置电子回旋加热过程中的超热电子测量

在HL-1M托卡马克上进行的电子圆旋共振加热实验表明，在低等离子体密度加热过程中。产生大量的超热电子。由Si(Li)和碘化汞(HgI2)半导体探测器阵列测量到的软X射线和中能(15～150keV)X射线能谱，得到超热电子的温度在30～60keV范围内。中能X射线辐射强度测量结果证实，等离子体对电子圆麓波的吸收是定域性的。在超热电子对MHD的相互作用中，主要的m／n=2/1模没有增强或抑制现象。     

HL-2A装置上DD热核聚变中子产额和通量的估算

用蒙特卡罗方法,利用MCNP3B编码计算了HL 2A装置芯部离子温度为5keV、离子密度为5×1013cm-3的DD热核聚变中子产额的空间分布,以及高场边A、低场边D、偏滤器的B和C点所在位置各种能量的中子辐射通量和平均通量。计算了由于D+D→P+T反应产生氚,在10%的氚与氘发生DT反应产生中子的条件下,热核聚变中子的产额以及在A、B、C、D各位置通量发生的变化。计算结果为发展新的聚变中子诊断系统、辐射防护和环境评估提供了依据。     

低杂波电流驱动中的雪崩逃逸增强及鱼骨不稳定性

等离子体中存在的一定数量的高能逃逸电子（E≥1MeV)通过大角度库仑散射从等离子体中碰撞出二次电子，二次电子被低杂波有效地加速成为逃逸电子，这些逃逸电子又被正反馈回等离子体，形成雪崩现象。在此过程中，一部分获得较大横向动量的二次电子或由低杂波驱动的高能电子可能被香蕉轨道捕获，这些被捕获在磁岛中的电子与某种模式的磁场扰动共振时，就出现鱼骨不稳定现象。     

HL-1托卡马克中逃逸电子的最高能量和光致中子

本文描述我们在实验观察到每次放电结束之前或大破裂之后,强烈的高能X射线出现,同时伴随着较强的光致中子辐射。其时逃逸电子的最大能量,在考虑到回旋辐射损失及逃逸电子速度的径向分量引起的回旋半径变小等情况后经计算可达50-62MeV,光致中子的强度为2.5×10~(10)s~(-1),与JET在破裂条件下的经验定标关系大致相符。     

补充加料过程中逃逸电子的雪崩现象

在靶丸注入和超声分子束注入等补充加料期间，虽然等离子体密度骤然增加，但用五通道碘化汞探测器阵列及碘化钠探测器在此期间均测到很强的X射线辐射，且射线峰爆发时间与靶丸注入及超声分子束注入时间对应得相当好，用二次电子发射形成雪崩型逃逸电子理论解释了实验测量结果。     

HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量

用新研制的五通道碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器阵列分别观测了在欧姆发热、弹丸注入及离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）条件下,ＨＬ－１Ｍ等离子体中的超热电子引起的能量在１０～１５０ｋｅＶ范围内的Ｘ射线辐射强度的时空变化,及超热电子辐射的Ｘ射线能谱。结果显示,在ＩＣＲＨ期间,等离子体边缘的Ｘ辐射增强,超热电子的温度大约为３０ｋｅＶ,ＩＣＲＨ的能量沉积在等离子体边缘。