“快”带电离子通过固体时的“尾流”效应

简略介绍了“尾流”效应（ｗａｋｅｅｆｆｅｃｔ）的等离子体模型，并依之模拟计算了１．９１５ＭｅＶＨ、２．０６０ＭｅＶＨ在１００Ａ碳膜中分解后０°方向的能谱形式。给出了相同条件下的实验结果，将两者做了比较。     

4HeH+核间距的实验测定

用MeV量级⁴HeH⁺在超薄无衬碳膜中的库仑爆炸,获得高频离子源产生⁴HeH⁺核间距的实测值为0.094±0.003nm.发现⁴HeH⁺与H⁺₂,H⁺₃不一样,其核间距大小和离子源种类及离子源参数有密切关系,并从⁴HeH⁺的形成机理与形成条件,解 关键词：     

用于团簇碰撞研究的多路多道谱数据在线获取与处理系统

开发成功了基于ISA总线的智能高速AD数据采集接口电路。在一台PC微机中,可以同时使用多个该接口电路而不占用更多的PC机内存空间。在显示和处理数据时,数据采集速度不受影响。在Windows环境下开发成功了配套软件。用此接口电路构成了多路多道能谱数据获取与在线处理系统,并已成功地应用于微团簇与固体相互作用的实验研究中。     

Ion source effect on the bond length of ^4HeH^＋

The bond length of ^4HeH^＋ resulting from collision-induced destruction is measured at 1.4420 MeV using the Coulomb Explosion Technique. The measured bond length of ^4HeH^＋ is 0.094±0.003nm. The bond length of ^4HeH^＋ obtained with our radio frequency （RF） ion source is larger than that obtained with a duoplasmatron ion source at Argonne National Laboratory （ANL）, but the bond lengths of H^＋2 and H^＋3obtained separately by ANL and by us with the two different ion sources are consistent with each other, which implies that there exists an ion source effect on the bond length of ^4HeH^＋. The main reason why the 4^4HeH^＋ bond lengths obtained by the two different ion sources are different is also discussed.     

H+离子在固体中的电子俘获

在0.6, 0.9, 1.2, 1.6和1.8 MeV的能量下, 测量了H⁺离子在不同厚度的碳膜中产生的中性产物H和负离子产物H-的产额Φ(H)和Φ(H^-). 测量结果表明, 在相同的能量下Φ(H)和Φ(H^-)都是常数, 而且Φ(H)比Φ(H^-)大几个数量级. 分析了H⁺在固体中运行时不断地俘获和损失电子的电荷交换过程. 证明快离子在固体中确实存在这个过程, 并得到了电荷交换截面比的经验公式.     

The electron capture of H+ ions in solid foils

The negative ion yields φ (H-)and the neutral atom yields φ (H) of 0.6, 0.9, 1.2, 1.6 and1.8 MeV H+ projectiles traversing various carbon foils have been measured. The experimental re-sults showed that neither φ (H-) nor φ (H) varies with the dwell time td at the same energy. φ (H) islarger than φ (H-) by about 3-4 orders of magnitude. The charge exchanging between H+ ionsand carbon foils was analyzed. It can be seen that the charge exchange is the most basic proc-ess.The experience formula of σc/σ/has been gotten.     

用Coulomb爆炸实测4HeD+的键长

用1.468 0 MeV 4HeD+在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸,获得4HeD+的键长实测值为(0.097±0.003)nm.讨论了4HeD+的形成机理.介绍了 4HeD+原始束中D+3污染的降低,及产物4He++和D+高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等.     

用Coulomb爆炸实测4HeD＋的键长

用1.468 0 MeV ⁴HeD^＋在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸,获得⁴HeD^＋的键长实测值为(0.097±0.003)nm.讨论了⁴HeD^＋的形成机理.介绍了⁴HeD^＋原始束中D₃＋污染的降低,及产物⁴HeD^＋＋和D^＋高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等.     

H3+团簇离子与固体相互作用

报道了H3+团簇通过碳膜对产生的各种产物的测量结果.分析讨论了三原子离子团簇与固体相互作用中的电荷交换过程.证明在产物的形成中,电荷交换过程起关键作用.分析研究了H3+团簇与固体作用中的团簇效应和尾流效应. 关键词： H3+团簇 电荷交换 团簇效应 尾流效应     

H_n~+团簇离子源设想

分析了n≥3的H+n团簇形成机理。指出在由小到大合成H+n团簇中,氢原子、分子和离子之间的离子分子反应是形成H+n的唯一途径。提出用改进的高频离子源产生各种H+n团簇的设想